512千位（ 64K ×8 ）页写EEPROM
SST29EE512
SST29EE512512Kb （ X8 ）页写，小扇区闪存
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 4.5-5.5V的SST29EE512
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 512页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 2.5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39 μs（典型值）
快速读取访问时间
- 4.5-5.5V操作： 70纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
产品标识可通过以下方式访问
软件操作
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米）
- 32引脚PDIP
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST29EE512是64K ×8 CMOS ，页写
EEPROM制造与SST专有的，高per-
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST29EE512写跟单
电源。内部擦除/编程是透明的
该用户。该SST29EE512符合JEDEC标
准引脚分配字节宽的回忆。
特色
高
性能
页写，
该
SST29EE512提供39典型的字节写入时间
微秒。整个存储器，即， 64K字节，可以写入
当使用页逐页在短短2.5秒
接口功能，如翻转位或数据＃查询到
表明在完成一个写周期。为了保护
防止误写入，在SST29EE512有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽光谱
的应用， SST29EE512提供了瓜尔
10,000次及担页写的耐力。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE512适合于需要应用
程序便捷，经济的升级， config-
uration ，或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
SST29EE512显著改善了性能和
可靠性，同时降低功耗。该
SST29EE512提高了灵活性，同时降低成本
程序，数据和配置存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE512是提供在32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也
可用。参见图1 ，图2和3对引脚分配。
设备操作
在SST页写EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE512不需要另行
率擦除和编程操作。内部定时
写周期执行两个擦除和编程透明
给用户。该SST29EE512有行业标准
可选的软件数据保护，这SST recom-
门兹总是被激活。该SST29EE512的COM -
兼容行业标准的EEPROM的引脚和
功能。
2005硅存储技术公司
S71060-09-000
9/05
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
512 Kbit的页面，写EEPROM
SST29EE512
数据表
读
该SST29EE512的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图4） 。
写入到所选择的页和将离开
SST29EE512保护的页面，写结尾。该
页面加载周期由加载1到128字节的数据
到页缓冲器。内部写周期包括的
T
BLCO
超时和写入定时器操作。在
写操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据字节到SST29EE512的页面缓冲
内部写周期的开始之前。在
内部写入周期，在页缓冲器中的所有数据被写入
同时到存储器阵列。因此，页面 -
SST29EE512的写入功能，使整个内存
被写在短短的2.5秒。在内部
写周期中，主机可以自由地执行其他任务，
如抓取系统中能够从其它位置数据
设置写至下一页。在每一个页面，写能操作
被加载到页缓冲器ATION ，所有字节必须
有相同的页面地址，即
7
至A
16
。任何字节
不加载用户数据将被写入FFH 。
请参阅图5和图6为页 - 写周期时序dia-
克。如果完成了三字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载一个仲
一个字节的负载周期时间内OND字节到页缓冲器
(T
BLC
）为100μs时， SST29EE512将停留在页级
负载循环。附加的字节，然后装入连续。
页面加载周期将如果没有额外的字节来终止
被装入在200 μs内页缓冲器（T
BLCO
）从
最后一个字节负载循环，也就是说，没有后续WE＃或CE ＃
之后WE＃或最后上升沿高向低转换
CE＃ 。在页缓冲器中的数据可通过一个之后，又被改变
quent字节负载循环。页面负载期间可以继续
无限期的，只要主机继续加载设备
为100μs的字节装载周期的时间之内。该页面是
加载的是由最后一个字节的页地址确定
加载。
写
页面 - 写在SST29EE512应该总是使用
JEDEC标准软件数据保护（ SDP ）
3字节的命令序列。该SST29EE512 CON-
包括作为可选JEDEC核准的软件数据保护
化方案。 SST建议SDP永远是
使能，由此，写入操作的描述将
利用使能的SDP格式进行说明。
三字节
SDP启用和SDP写命令是相同的;
因此，任何时候发出SDP写命令，
软件数据保护，自动保证。
该
第一次的三字节的SDP给出命令，该设备
成为SDP启用。随后发行的同
命令绕过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页，写结束时，整个
设备仍然受保护。有关更多说明，
请参阅应用笔记
正确使用
JEDEC标准软件数据保护
和
保护
对无意识使用单电源时
供应闪存。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE512 。步骤1和2使用相同的定时为
操作。步骤3是内部控制的写周期为
写在页面缓冲器加载到存储器中的数据
阵列为非易失性存储。期间都在SDP三
字节装入序列和字节负载周期中，地址
通过CE＃或WE＃的下降沿进行锁存，
为准过去。该数据由崛起锁存
任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
内部写周期是通过T启动
BLCO
之后，定时器
上升WE＃或CE ＃ ，以先到者为准的边缘。该
写周期，一旦启动，将继续完成，典型
美云在5毫秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃
控制页面 - 写周期的时序图和图
15和17的流程图。
写操作有三个功能循环：该软
洁具数据保护负载序列的页面加载周期，
和内部写周期。该软件数据保护
由一个特定的3字节装入序列，允许
2005硅存储技术公司
软件芯片擦除
该SST29EE512提供了全片擦除操作，该操作
允许用户同时清除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后，
该器件进入内部定时的周期相似，
写周期。在擦除操作，唯一有效的读
是触发位。见装载序列表4 ，图10
时序图，图19为流程图。
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SST29EE512
SST29EE512512Kb （ X8 ）页写，小扇区闪存
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 4.5-5.5V的SST29EE512
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 512页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 2.5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39 μs（典型值）
快速读取访问时间
- 4.5-5.5V操作： 70纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
产品标识可通过以下方式访问
软件操作
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米）
- 32引脚PDIP
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST29EE512是64K ×8 CMOS ，页写
EEPROM制造与SST专有的，高per-
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST29EE512写跟单
电源。内部擦除/编程是透明的
该用户。该SST29EE512符合JEDEC标
准引脚分配字节宽的回忆。
特色
高
性能
页写，
该
SST29EE512提供39典型的字节写入时间
微秒。整个存储器，即， 64K字节，可以写入
当使用页逐页在短短2.5秒
接口功能，如翻转位或数据＃查询到
表明在完成一个写周期。为了保护
防止误写入，在SST29EE512有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽光谱
的应用， SST29EE512提供了瓜尔
10,000次及担页写的耐力。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE512适合于需要应用
程序便捷，经济的升级， config-
uration ，或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
SST29EE512显著改善了性能和
可靠性，同时降低功耗。该
SST29EE512提高了灵活性，同时降低成本
程序，数据和配置存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE512是提供在32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也
可用。参见图1 ，图2和3对引脚分配。
设备操作
在SST页写EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE512不需要另行
率擦除和编程操作。内部定时
写周期执行两个擦除和编程透明
给用户。该SST29EE512有行业标准
可选的软件数据保护，这SST recom-
门兹总是被激活。该SST29EE512的COM -
兼容行业标准的EEPROM的引脚和
功能。
2005硅存储技术公司
S71060-09-000
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
512 Kbit的页面，写EEPROM
SST29EE512
数据表
读
该SST29EE512的读操作是由控制
CE＃和OE ＃ ，既要低的系统，以获得
从输出数据。 CE＃用于器件选择。
当CE ＃为高电平时，芯片被取消，只待机
功率消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。请参阅
了解更多详情的读周期时序图（图4） 。
写入到所选择的页和将离开
SST29EE512保护的页面，写结尾。该
页面加载周期由加载1到128字节的数据
到页缓冲器。内部写周期包括的
T
BLCO
超时和写入定时器操作。在
写操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据字节到SST29EE512的页面缓冲
内部写周期的开始之前。在
内部写入周期，在页缓冲器中的所有数据被写入
同时到存储器阵列。因此，页面 -
SST29EE512的写入功能，使整个内存
被写在短短的2.5秒。在内部
写周期中，主机可以自由地执行其他任务，
如抓取系统中能够从其它位置数据
设置写至下一页。在每一个页面，写能操作
被加载到页缓冲器ATION ，所有字节必须
有相同的页面地址，即
7
至A
16
。任何字节
不加载用户数据将被写入FFH 。
请参阅图5和图6为页 - 写周期时序dia-
克。如果完成了三字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期，主机加载一个仲
一个字节的负载周期时间内OND字节到页缓冲器
(T
BLC
）为100μs时， SST29EE512将停留在页级
负载循环。附加的字节，然后装入连续。
页面加载周期将如果没有额外的字节来终止
被装入在200 μs内页缓冲器（T
BLCO
）从
最后一个字节负载循环，也就是说，没有后续WE＃或CE ＃
之后WE＃或最后上升沿高向低转换
CE＃ 。在页缓冲器中的数据可通过一个之后，又被改变
quent字节负载循环。页面负载期间可以继续
无限期的，只要主机继续加载设备
为100μs的字节装载周期的时间之内。该页面是
加载的是由最后一个字节的页地址确定
加载。
写
页面 - 写在SST29EE512应该总是使用
JEDEC标准软件数据保护（ SDP ）
3字节的命令序列。该SST29EE512 CON-
包括作为可选JEDEC核准的软件数据保护
化方案。 SST建议SDP永远是
使能，由此，写入操作的描述将
利用使能的SDP格式进行说明。
三字节
SDP启用和SDP写命令是相同的;
因此，任何时候发出SDP写命令，
软件数据保护，自动保证。
该
第一次的三字节的SDP给出命令，该设备
成为SDP启用。随后发行的同
命令绕过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页，写结束时，整个
设备仍然受保护。有关更多说明，
请参阅应用笔记
正确使用
JEDEC标准软件数据保护
和
保护
对无意识使用单电源时
供应闪存。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE512 。步骤1和2使用相同的定时为
操作。步骤3是内部控制的写周期为
写在页面缓冲器加载到存储器中的数据
阵列为非易失性存储。期间都在SDP三
字节装入序列和字节负载周期中，地址
通过CE＃或WE＃的下降沿进行锁存，
为准过去。该数据由崛起锁存
任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
内部写周期是通过T启动
BLCO
之后，定时器
上升WE＃或CE ＃ ，以先到者为准的边缘。该
写周期，一旦启动，将继续完成，典型
美云在5毫秒。参见图5和图6为WE＃和CE ＃
控制页面 - 写周期的时序图和图
15和17的流程图。
写操作有三个功能循环：该软
洁具数据保护负载序列的页面加载周期，
和内部写周期。该软件数据保护
由一个特定的3字节装入序列，允许
2005硅存储技术公司
软件芯片擦除
该SST29EE512提供了全片擦除操作，该操作
允许用户同时清除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后，
该器件进入内部定时的周期相似，
写周期。在擦除操作，唯一有效的读
是触发位。见装载序列表4 ，图10
时序图，图19为流程图。
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