1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -只为SST29EE010
- 3.0-3.6V的SST29LE010
- 2.7-3.6V的SST29VE010
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0-3.6V操作： 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作： 200和250纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米，采用8mm x 14毫米）
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产品说明
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是128K ×8
CMOS页，写的EEPROM制造与SST的
专有的高性能CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010写跟单
电源。内部擦除/编程是透明的
该用户。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
符合JEDEC标准的引脚排列字节宽
回忆。
拥有高性能的页面写的
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了一个典型的针对字节
写的39微秒的时间。整个存储器，即， 128
千字节，可以在少至5被写入页逐页
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成写的
周期。为了防止意外写操作时，
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010具有片上硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
中，请在SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供
具有10保证页 - 写耐力
4
周期。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010适合于AP-
需要方便和经济updat-褶皱
荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有
系统的应用， SST29EE010 / 29LE010 /
29VE010显著提高性能和了可靠性
性，同时降低功耗。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和组态
灰存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供32引脚
TSOP （8毫米X 20毫米采用8mm x 14毫米）和32引脚
PLCC封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也
可用。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
不需要单独的擦除和编程操作
系统蒸发散。内部定时写周期执行两个
擦除和编程对用户透明。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010具有行业标
准可选软件数据保护，其中SST
建议总是被激活。该SST29EE010 /
29LE010 / 29VE010与业界兼容标
准EEPROM的引脚和功能。
读
该SST29EE010的读操作/ 29LE010 /
29VE010均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
了Silicon Storage Technology ，Inc.的2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。指的是读周期
时序图进一步的细节（图3） 。
写
本页面写入到SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
应始终使用JEDEC标准软件数据
保护（ SDP）的3字节的命令序列。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010包含可选
JEDEC核准的软件数据保护方案。
SST建议的SDP总是被使能，由此，所述
写操作的描述将使用给出
SDP启用格式。
这三个字节的SDP启用和
SDP写命令是相同的;因此，任何
时间SDP写命令发出后，软件数据
保护是自动保证。
第一次
三字节的SDP命令被给出，该器件变成
SDP启用。随后发行的相同的COM的
命令会跳过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页，写结束时，整个
设备仍然受保护。有关更多说明，
请参见“正确使用的应用说明
JEDEC标准软件数据保护“和”亲
tecting防止意外使用写入时单
在这本书的数据电源闪存记忆“ 。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。步骤1和步骤2使用
相同的时序进行这两种操作。步骤3是IN-
ternally控制的写周期写入装入的数据
在页面缓冲器到用于非易失性存储器阵列
存储。在双方的SDP 3字节装入序列
和字节负载周期中，地址由锁存
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据是通过在CE＃的上升沿被锁存或
WE＃ ，以先到为准。内部写周期
通过T启动
BLCO
经过我们的上升沿定时器＃
或CE ＃ ，以先到为准。写周期，一旦
启动，将继续完成，典型地在5毫秒内。
参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的页面 -
写周期的时序图和图14和图16
流程图。
写操作有三个功能循环：在
软件数据保护负载序列，页面加载速度
周期，并且内部写周期。该软件数据
保护由一个特定的3字节装入SE-的
quence ，允许写入到所选择的页，并将
离开SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010受到保护
的页，写的末尾。页面加载周期由
的加载数据的1到128个字节到页缓冲器。该
内部写周期由T形
BLCO
超时和
写定时器操作。在写操作中，只
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进SST29EE010的页缓冲器/
内部开始前29LE010 / 29VE010
写周期。在内部写周期中，所有的数据
页缓冲器被同时写入到存储器
数组。因此， SST29EE010的页面写入功能/
29LE010 / 29VE010允许写入整个存储器
在低至5秒。在内部写周期，
主机可以自由地执行其他任务，如对
取系统中的设置在其他位置进行数据的
写入到下一个页面。在每一页写操作，所有
被加载到页缓冲器中的字节必须具有
在同一个页面的地址，即
7
至A
16
。任何字节不
装入用户数据将被写入到FF 。
看到该页面 - 写周期时序图4和图5
图。如果完成了三字节的SDP的后
负荷序列或初始字节负载周期，主机
加载一个字节级中的第二字节到页缓冲器
负载循环时间（T
BLC
） 100微秒时， SST29EE010 /
29LE010 / 29VE010会留在页面加载的周期。
附加的字节，然后装入连续。该
如果没有额外的字节是页面载入周期将被终止
载入中200微秒的页面缓冲（T
BLCO
）从
最后一个字节负载循环，也就是说，没有后续WE＃或CE ＃
之后WE＃或最后上升沿高向低转换
CE＃ 。在页缓冲器中的数据可以由一个被改变
随后的字节负载循环。可以在页面加载阶段
无限期地继续下去，只要主机继续
为100μs的字节装载周期的时间内加载设备。
页面被加载是由页地址确定
的最后一个字节的加载。
软件芯片擦除
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供芯片级
擦除操作，其允许用户同时
清除整个存储器阵列的“1”状态。这是
有用的时候，整个装置必须迅速删除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后，
该器件进入内部定时的周期相似，
写周期。在擦除操作，唯一有效的
读是触发位。见表4装载序列，
图9为时序图，和图18的液流 -
图。
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
写操作状态检测
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了两种软
器装置，用于检测在完成一个写周期，在
命令对系统进行优化的写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写检测结束
模式后上升WE＃或CE ＃启用为准
先发生，启动内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是在
内部写周期，任何尝试读取DQ
7
的最后的
字节中的字节负载循环加载将收到
配合真实的数据。一旦写周期
完成后， DQ
7
将显示真实数据。该装置是再
准备下一次操作。参见图6的数据＃
轮询的时序图和图15为一个流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何连续尝试
阅读DQ
6
将产生交替的0和1的，即
0和1之间切换时，在写入周期是
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。参见图7为切换位
时序图和图15的流程图。最初的
读出的翻转位的，通常是一个“1”。
数据保护
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010同时提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
CC
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
CC
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止inad-
在上电或掉电vertent写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供
JEDEC批准的可选软件数据保护
方案所有数据修改操作，即写入和
芯片擦除。有了这个计划，任何写操作重
张塌塌米内纳入了一系列的三个字节装入操作
系统蒸发散到前面的数据装入操作。三
字节序列载荷用于启动写周期，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是随
软件数据保护禁用。
软件保护方案可以通过启用
施加一个3字节的序列的设备，在一
页面加载周期（图4和5）。该设备将随后
被自动设置到数据保护模式。任何
随后的写操作都需要在前面
三字节序列。请参阅表4的具体软
器指令代码和图4和图5为时序
图。要设置设备进入未受保护的模式，
一个6字节的序列是必需的。请参阅表4为
具体的代码和图8的时序图。如果一个
写时试图SDP启用该设备将
在非访问状态 300微秒。 SST建议
软件数据保护始终启用。见图
16的流程图。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010软件数据
保护是一个全球性的命令，保护
（或解除）对整个存储器阵列中的所有页面
一旦启用（或禁用） 。因此，使用SDP的
单页，写使SDP整个阵列。
单页本身不能被启用SDP或
禁用。
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1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
单电源供电，可重编程非易失性memo-
里斯可能会无意中改变。 SST强烈recom-
门兹的软件数据保护（ SDP ）总是
启用。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010应
使用SDP的命令序列进行编程。 SST
建议SDP禁用命令序列不
发给之前写入的设备。
请参阅位于下面的应用手册
本数据手册的使用背面的详细信息
SDP ：
防止无意识使用时
单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件数据
保护
多个制造商在同一个插座上。有关详细信息，
见表3硬件操作或表4为
软件的操作，图10为软件ID条目
和读取的ID输入时序图和图17
命令序列流程图。制造商和
设备码是相同的两个操作。
产品标识模式退出
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
制造商ID
SST29EE010设备ID
SST29LE010设备ID
SST29VE010设备ID
字节
0000 H
0001 H
0001 H
0001 H
数据
BF
07 H
08 H
08 H
304 PGM T1.2
产品标识
产品标识方式将设备识别为
在SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010和制造商
为SST。该模式可以通过硬件访问或
软件操作。对硬件的操作通常是
所使用的编程，以确定正确的算法
为SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010 。用户可以
要使用该软件产品标识操作
识别部（即使用该设备码），当使用
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出软件ID退出来完成（重置）
操作时，它返回到设备的读操作。
复位操作也可以用于重置
设备到读模式无意中经过短暂
条件下，显然会导致器件工作
异常，如不正确读出。见表4
软件命令代码，图11为时序波形
表格和图17为一个流程图。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
作者IAGRAM
SST29EE010/29LE010/29VE010
X解码器
1,048,576位
EEPROM
电池阵列
A16 - A0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
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SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
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标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
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OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
304 ILL F01.1
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F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP
WE＃
VCC
A12
A15
A16
NC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VSS
NC
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A15
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A6
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A3
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A0
DQ0
DQ1
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VSS
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32-Pin
6
PDIP
7
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顶视图
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VCC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
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DQ4
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NC
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A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A7
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A3
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DQ0
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304 ILL F02.0
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
10
11
12
13
14
15
16
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
P
LASTIC
DIP
S和
32-
领导
PLCC
S
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
16
-A
7
行地址输入
A
6
-A
0
DQ
7
-DQ
0
列地址
输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义页面的
写周期。
列地址被切换到页面加载数据。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作
提供5伏电源（ ±10％）为SST29EE010 ， 3伏的电源
（ 3.0-3.6V ）为SST29LE010和2.7伏的电源（ 2.7-3.6V ），用于所述
SST29VE010
未连接引脚。
304 PGM T2.0
CE＃
OE ＃
WE＃
VCC
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
VSS
NC
地
无连接
2000硅存储技术公司
5
304-3 6/00
QQ：2881677436 复制
