4兆位( 512K ×8 )超快闪EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
SST28SF040A / SST28VF040A5.0 & 2.7 4Mb的( X8 )字节编程,擦除小扇区闪存
数据表
产品特点:
单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST28SF040A
- 2.7-3.6V的SST28VF040A
卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
内存组织: 512K X8
扇区擦除功能:每扇区256字节
低功耗
- 工作电流:15 mA(典型值)为5.0V和
10毫安(典型值)为2.73.6V
- 待机电流: 5 μA (典型值)
快速扇区擦除/字节编程操作
- 字节编程时间: 35 μs(典型值)
- 扇区擦除时间: 2毫秒(典型值)
- 完整的存储器重写: 20秒(典型值)
快速读取访问时间
- 5.0V的管理: 90和120纳秒
- 2.7-3.6V操作: 150和200纳秒
锁存地址和数据
硬件和软件数据保护
- 7 - 读周期的序软件数据
保护
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚排列
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米,并采用8mm x 20毫米)
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST28SF / VF040A是512K ×8位CMOS具有部门
擦除,字节编程的EEPROM 。该SST28SF / VF040A
使用SST专有的,高perfor-制造
曼斯CMOS超快闪EEPROM技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
替代方法。该SST28SF / VF040A擦除和
计划用单电源供电。该SST28SF /
VF040A符合JEDEC标准的引脚排列字节宽
回忆,是与现有的行业标兼容
准闪存EEPROM的引脚。
拥有高性能的编程, SST28SF /
VF040A典型字节编程在35微秒。该SST28SF /
VF040A典型扇区擦除在2毫秒。这两个计划和
擦除时间可以使用这样的接口的功能进行优化
作为触发位或数据#投票指示完成
写周期。为了防止无意中写的
SST28SF / VF040A对芯片硬件和软件
数据保护方案。设计,制造,以及
测试一个广泛的应用范围,在SST28SF /
VF040A提供与保证部门耐力
10,000次。数据额定保存大于100
年。
该SST28SF / VF040A最适合的应用程序
需要重新编程的非易失性大容量存储的亲
克,配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
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1
阳离子,在SST28SF / VF040A显著改善
性能和可靠性,同时降低功率消耗
化时,与软盘或EPROM相比,
的方法。闪存EEPROM技术成为可能
规范和控制,方便和经济更新
上线计划。该SST28SF / VF040A提高使用灵活
性,同时降低了程序和配置的成本
存储应用。
的功能框图中示出的功能块
在SST28SF / VF040A 。图1,图2 ,和图3示出了针
分配的32引脚PLCC , 32引脚TSOP和32
,
引脚PDIP封装。引脚说明和操作模式
通过5在表2中描述。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE#置为低电平,同时保持CE #
低。地址总线被锁定在WE#的下降沿
或CE # ,先到为准过去。数据总线被锁存
WE#或CE #的上升沿,以先到为准。
注意,该软件数据保护序列中的
地址锁存, OE #或CE #上升沿,
以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
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SST28SF040A / SST28VF040A
数据表
命令德网络nitions
表4中包含的命令列表及简要总结
的命令。以下是详细说明
操作发起的每个命令。
命令可以被重新发出多次必要
完成全片擦除操作。该SST28SF /
VF040A不能过度擦除。 (参见图8)
字节编程操作
通过写设置启动字节编程操作
命令(10H) 。一旦程序设置中进行,
节目由下一个WE#脉冲执行。参见图 -
URES 5和图6的时序波形。地址总线是
锁存WE#或CE #下降沿为准
去年发生。数据总线被锁存的上升沿
WE#或CE # ,先到为准,并开始亲
克操作。程序运行结束自动
matically由一个内部定时器。参见图16的
程序流程图。
一个设置命令,接着两步序列
一个执行命令,确保只有解决
字节被编程和其它字节不是无意中
编程。
扇区擦除操作
扇区擦除操作将擦除一个扇区内的所有字节
并且通过设置命令发起和执行的COM
命令。一个扇区包含256个字节。该部门可擦
增强了SST28SF的灵活性和实用性/
VF040A ,因为大多数应用程序只需要改变一
小数目的字节或扇区的,而不是整个芯片。
setup命令被写入20H的执行
装置。在执行命令是通过写D0H执行
到设备。擦除操作开始上升
边缘的WE#或CE # ,先到为准并终止
通过使用内部定时器自动止数据。该终了
擦除就可以利用数据#查询,瓶酒确定
GLE位,或连续读取检测方法。参见图 -
9茜时序波形。
一个设置命令,接着两步序列
一个执行命令,确保只有存储内容
在解决行业被删除等环节中
不误删除。
该字节编程流程图说明
编程数据到SST28SF / VF040A是accom-
按照所示的字节编程流程图plished
图16.字节编程命令设置字节
进行编程。地址总线被锁定在下降
WE#或CE #边缘,无论最后发生。数据总线
被锁在WE#或CE #的上升沿为准
首先出现,并开始编程操作。年底
您就可以利用数据#投票进行检测程序,
触发位,或连续读取。
扇区擦除流程图说明
的内存储器中的内容快速和可靠的擦除
部门是按照扇区擦除液流 - 完成
图,如图18。整个过程包括
两个命令的执行。该扇区擦除操作
最多4毫秒后ATION将终止。复位的COM
命令可以被执行以终止扇区擦除
操作;但是,如果擦除动作结束
之前的4毫秒超时,扇区可能不完全
删除。扇区擦除命令,可以重新发出为
根据需要多次才能完成擦除操作。
该SST28SF / VF040A不能过度擦除。
复位操作
复位命令被提供作为一种手段来安全地
中止擦除或编程命令序列。后续
荷兰国际集团无论是设置命令(擦除或编程)与写
FFH会安全地中止操作。记忆的内容将
不被改变。复位命令之后,该设备
返回到读取模式。 Reset命令不
使软件数据保护。参见图7为定时
波形。
芯片擦除操作
通过设置命令启动芯片擦除操作
( 30H )和执行命令( 30H ) 。芯片擦除
操作允许SST28SF / VF040A的整个阵列
在一次操作中被擦除,而不是2048以部门
擦除操作。采用该芯片擦除操作将迷你
迈兹重写整个存储器阵列的时间。该芯片级
擦除操作最多20毫秒之后将终止。一
reset命令可以被执行以终止擦除
操作;但是,如果芯片擦除操作时结
之前的20毫秒超时经过NAT时,芯片可能并不的COM
pletely删除。如果发生擦除错误了全片擦除
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读
通过设置CE #开始的读操作,而OE #到
逻辑低和设置WE#为逻辑高电平(见表3 ) 。看
图4为读周期时序波形。在读操作
灰从主机从阵列中检索数据。该装置
保持启用的读,直到另一个操作模式
访问。在初始上电时,该装置是在读取
模式,是软件数据保护。该设备必须是
未受保护的执行写命令。
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4兆位超快闪EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
数据表
该SST28SF的读操作/ VF040A是CON-
在逻辑低电平受控通过OE #和CE # 。当CE #为高电平,
该芯片被取消选中,只有待机功耗将CON组
SUMED 。 OE#为输出控制,用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻
状态时, CE #或OE #高。
的OE #或CE #上升沿,以先到为准。类似
1823H七读取序列, 1820H , 1822H , 0418H ,
041BH , 0419H , 040AH将保护装置。另请参阅
图10和图11为7读周期序列软件
数据保护。在I / O引脚可以在任何状态下(即高,
低,或三态) 。
读ID操作
通过写一个单独的COM发起读ID操作
命令( 90H ) 。地址0000H将输出MAN-的读
造商的ID ( BFH ) 。地址0001H将输出的读
设备ID ( 04H ) 。任何其他有效的命令将termi-
内特此操作。
写操作状态检测
该SST28SF / VF040A提供三种方式来检测
写操作完成后,为了优化
系统写操作。写操作结束
(擦除或编程)可以通过三种方式来检测: 1 )
监测数据#投票位, 2 )监测的切换
位,或3)由两个连续的读出相同的数据。这些
三个检测机制如下所述。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此,无论是数据#查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况,系统可以有可能
获得一个错误的结果,即,有效数据可能会以CON组
flict所使用的DQ 。为了防止杂散rejec-
化,如果一个错误的结果发生时,软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两(2)倍。如果两个读数是有效的,则
设备已完成写周期,否则rejec-
化是有效的。
数据保护
为了保护的非易失性数据存储的完整性,
在SST28SF / VF040A同时提供
硬件和软件功能,以防止意外
写入装置中,例如,在系统上电
或掉电。这些规定说明如下。
硬件数据保护
该SST28SF / VF040A设计有硬件为特色的
Tures的,以防止意外写入。这是在跟着做
降脂方式:
1.写周期禁止模式: OE #低, CE #或WE#
高会抑制写操作。
2.噪声/毛刺保护:少一个WE#脉冲宽度
超过5纳秒不会启动写周期。
3. V
DD
上电/掉电检测:写操作
化被抑制时, V
DD
小于2.0V 。
4,上电后,该设备在读取模式
并且该设备是在软件数据保护
状态。
数据#投票( DQ
7
)
该SST28SF / VF040A特征数据#投票指示
写操作状态。在写操作期间,任何
尝试读取字节负载过程中加载的最后字节
循环将收到DQ的真实数据的补
7
.
一旦写周期完成时, DQ的
7
会表现出真正的
数据。该设备然后准备进行下一次操作。看
图12为数据#查询时序波形。为了使
数据#投票才能正常工作,该字节被调查
必须在编程之前被擦除。
软件数据保护( SDP )
该SST28SF / VF040A有软件的方法来进一步
防止意外写入。为了执行一个擦除或
运行状态下,两个步骤的命令序列CON组
一个设置命令后跟一个执行的COM的sisting
普通话避免无意擦除的和编程
装置。
该SST28SF / VF040A将默认软件数据亲
上电后保护。七个连续的序列
在读取特定地址将取消保护器件
地址顺序是1823H , 1820H , 1822H , 0418H ,
041BH , 0419H , 041AH 。地址总线被锁存的
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切换位( DQ
6
)
另一种装置,用于确定所述写操作
状态监测的触发位, DQ
6
。在写
操作中,尝试连续读取从数据
设备将导致DQ
6
逻辑0 (低)之间切换
逻辑1 (高) 。当写周期完成时,将触发
岭大战将停止。该设备然后准备下一次操作
化。参见图13翻转位时序波形。
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SST28SF040A / SST28VF040A
数据表
连续读取
一个替代装置,用于确定写入的端
操作是由读出同一地址为2次连续
略去数据相匹配。
SST28SF / VF040A 。用户可能希望使用该软件
动作识别设备(即,使用的设备ID ) 。
有关详情请参阅表3对硬件的操作和图 -
茜19的软件操作。制造商和
设备ID是相同的两个操作。
表1 :P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST28SF/VF040A
0001H
04H
T1.1 310
产品标识
产品标识方式将设备识别为
SST28SF / VF040A和制造商为SST。这
模式可以通过硬件和软件来访问操作
系统蒸发散。对硬件的操作通常由一个外部
最终程序员找出正确的算法为
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
A18 - A0
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE#
OE #
WE#
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
310 ILL B1.1
WE#
VDD
A12
A15
A16
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
310 ILL F02.3
图1 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
PLCC
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4
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数据表
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
310 ILL F01.2
图2 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
TSOP
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
310 ILL F19.0
图3 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
PDIP
表2 :P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
18
-A
8
A
7
-A
0
引脚名称
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义的扇区。
选择扇区内的字节
要在读周期输出数据,并在写周期接收输入数据。
数据在一个写周期内锁定。
输出处于三态,当OE #或CE #为高电平。
要激活设备时, CE#为低。
1
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
1
提供:
5.0V电源( ±10%)为SST28SF040A
2.7V电源( 2.7-3.6V )的SST28VF040A
T2.2 310
DQ
7
-DQ
0
CE#
OE #
WE#
V
DD
V
SS
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
1.该引脚在内部上拉了一个电阻。
2001硅存储技术公司
S71077-04-000 6/01
310
5