4兆位（ 512K ×8 ）超快闪EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -只为SST28SF040A
- 2.7-3.6V的SST28VF040A
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
内存组织： 512K X8
扇区擦除功能：每扇区256字节
低功耗
- 工作电流：15 mA（典型值）为5.0V和
10毫安（典型值）为2.73.6V
- 待机电流： 5 μA （典型值）
快速扇区擦除/字节编程操作
- 字节编程时间： 35 μs（典型值）
- 扇区擦除时间： 2毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 20秒（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 2.7-3.6V操作： 150和200纳秒
锁存地址和数据
硬件和软件数据保护
- 7 - 读周期的序软件数据
保护
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚排列
封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米并采用8mm x 20毫米）
存储程序，配置或数据存储器。对于所有
系统的应用， SST28SF040A / 28VF040A显
着地提高性能和可靠性，同时
时相比降低功耗
软盘或EPROM的方法。闪光
EEPROM技术使得可以方便
规范和控制方案的经济性更新导通
线。该SST28SF040A / 28VF040A提高灵活性，
同时降低对程序和配置的成本
存储应用。
功能块图显示功能
该SST28SF040A / 28VF040A的块。图1和
图2显示了引脚分配32针TSOP ， 32针
PDIP和32引脚PLCC封装。引脚说明和
操作模式中的表1描述
到4。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
CE＃保持低电平。地址总线被锁存的
下降沿WE＃或CE＃ ，最后为准。该
数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准。请注意，该软件在数据
保护序列的地址被锁存在
的OE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准。
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产品说明
该SST28SF040A / 28VF040A是512K ×8位CMOS
扇区擦除，字节编程的EEPROM 。该
SST28SF040A / 28VF040A使用制造
SST专有的高性能CMOS超快闪
EEPROM技术。分裂栅单元设计
厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
可制造性与替代AP-比较
proaches 。该SST28SF040A / 28VF040A擦除和
计划用单电源供电。该
SST28SF040A / 28VF040A符合JEDEC标准
引脚为字节宽的记忆，并兼容
现行的行业标准闪存EEPROM的引脚排列。
拥有高性能的编程，
SST28SF040A / 28VF040A典型字节编程35
微秒。该SST28SF040A / 28VF040A通常以部门
删除在2毫秒。这两种编程和擦除时间可
采用优化的界面功能，如切换位或
数据＃投票指示完成写的
周期。为了防止无意中写的
SST28SF040A / 28VF040A对芯片硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST28SF040A / 28VF040A提供了保证
10个部门耐力
4
周期。数据额定保存
超过100年以上。
该SST28SF040A / 28VF040A最适合于应用程序
需要重新编程的非易失性质量阳离子
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了Silicon Storage Technology ，Inc.的2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标
310-3 6/00
1
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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SST28SF040A / SST28VF040A
数据表
命令德网络nitions
表3包含一个命令列表及简要总结
的命令。以下是详细说明
操作发起的每个命令。
扇区擦除操作
扇区擦除操作将擦除内的所有字节
扇区，并且由一个设置命令和一个开始
执行命令。一个扇区包含256个字节。这
扇区可擦除性增强了灵活性和实用性
在SST28SF040A / 28VF040A的，因为大多数的应用
系统蒸发散只需要改变一个小的字节数或
扇区，而不是整个芯片。
setup命令被写入20H的执行
装置。在执行命令由执行写入
D0H到设备。擦除操作开始与
的WE＃或CE ＃上升沿，以先到者为准
并通过使用内部定时器自动终止。
最终的擦除就可以利用数据＃确定
轮询，触发位，或连续读取检测
的方法。参见图8的时序波形。
一个设置命令，接着两步序列
一个执行命令，确保只有内存CON-
在解决行业内的帐篷被删除等
行业不误删除。
扇区擦除流程图说明
的存储器内容的快速和可靠的擦除内
一个扇区是按照扇区擦除完成
流程图如图17的整个过程
由两个命令的执行。在扇区
擦除操作的最大的4毫秒之后将终止。
复位命令可以执行终止
扇区擦除操作;但是，如果擦除操作
先于4毫秒超时终止，该扇区可
不能完全擦除。扇区擦除命令
补发根据需要完成多次
擦除操作。该SST28SF040A / 28VF040A不能
是“ overerased ” 。
芯片擦除操作
通过设置命令启动芯片擦除操作
（ 30H ）和执行命令（ 30H ） 。芯片擦除
操作允许SST28SF040A的整个阵列/
28VF040A以在一次操作中被删除，而不是
2048扇区擦除操作。使用该芯片擦除
操作将重写整个时间减少
存储器阵列。芯片擦除操作将终止
最多不超过20毫秒后。复位命令即可
执行终止擦除操作;然而，如果
芯片擦除操作结束前20毫秒
超时时，芯片可能不能完全消除。如果一个
发生擦除错误了全片擦除命令即可蕾丝：
状告根据需要完成削片多次
擦除操作。该SST28SF040A / 28VF040A不能
被overerased 。 （见图7 ）
字节编程操作
通过写发起的字节编程操作
设置命令（ 10H ） 。一旦程序设置是
执行程序是由下面我们执行＃
脉搏。请参阅图4和图5的时序波形。该
地址总线被锁定在WE＃或CE ＃下降沿，
为准过去。数据总线被锁存的
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准，并
开始编程操作。程序操作
由内部计时器自动终止。见图
15，用于编程的流程图。
一个设置命令，接着两步序列
一个执行命令，确保只有解决
字节被编程和其它字节不不经意
ently编程。
该字节编程流程图说明
编程数据到SST28SF040A / 28VF040A是
按照该字节编程流程来完成
在图15中所示的字节编程命令设置
的字节进行编程。地址总线锁存
WE＃或CE ＃下降沿，最后的为准。
数据总线被锁存WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准，并开始计划操作
化。可以使用检测程序结束时任
数据＃查询，翻转位，或连续读取。
复位操作
复位命令被提供作为一种手段来安全地
中止擦除或编程命令序列。跟着
降脂无论是设置命令（擦除或编程）与
FFH的写操作都安全地中止操作。内存
内容也不会被改变。复位命令后，
该设备返回到读取模式。复位的COM
普通话不启用软件数据保护。看
图6的时序波形。
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读
通过设置CE ＃和OE ＃发起的读操作
为逻辑低电平并设置WE＃为逻辑高电平（见表2 ） 。
参见图3读周期时序波形。在读
来自主机的操作从阵列中检索数据。该
设备保持启用了读，直到另一个操作
模式被访问。在初始上电时，该设备是
在读取模式，可通过软件数据保护。该
设备必须是不受保护的执行写入的COM
命令。
在SST28SF040A / 28VF040A的读操作
通过OE ＃和CE ＃为逻辑低电平控制。当CE＃
为高电平时，芯片被取消选中，只有待机功耗意志
被消耗掉。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态，当CE ＃或OE ＃高。
读ID操作
通过写一个单独发起的读ID操作
命令（ 90H ） 。地址0000H将输出的读
制造商代码（ BFH ） 。地址0001H的读
将输出设备代码（ 04H ） 。任何其他有效的COM
命令将终止该操作。
数据保护
为了保护非易失性数据的完整性stor-
年龄的增长， SST28SF040A / 28VF040A提供两
硬件和软件功能，以防止意外
写入装置中，例如，系统加电期间
或断电。这些规定说明如下。
硬件数据保护
该SST28SF040A / 28VF040A都设计有硬
洁具功能，以防止意外写入。这样做是
在以下方面：
1.写周期禁止模式： OE ＃低， CE ＃或WE＃
高会抑制写操作。
2.噪声/毛刺保护：少一个WE＃脉冲宽度
超过5纳秒不会启动写周期。
3. V
CC
上电/掉电检测：写操作
被抑制时， V
CC
小于2.0V 。
4，上电后该设备在读取模式和
该设备是在软件数据保护状态。
软件数据保护（ SDP ）
该SST28SF040A / 28VF040A有软件方法
为进一步防止意外写入。为了进行
擦除或编程操作，两个步骤的命令
序列由一个建立命令，随后的
一个执行命令，避免了意外的擦除和
该装置的编程。
该SST28SF040A / 28VF040A将默认软件
上电后的数据保护。七个序列
连续读取特定地址将取消保护
该设备的地址顺序是1823H ， 1820H ，
1822H ， 0418H ， 041BH ， 0419H ， 041AH 。地址
公交车被锁存， OE ＃或CE ＃上升沿，而─
先出现。对类似的7读取序列
1823H ， 1820H ， 1822H ， 0418H ， 041BH ， 0419H ， 040AH
将保护装置。另请参阅图9和图10
7读周期序列软件数据保护。
在I / O引脚可以在任何状态下（即高，低或
三态） 。
写操作状态检测
该SST28SF040A / 28VF040A提供三种方式
检测完成一个写操作的，以
优化系统写操作。写的结束
操作（擦除或编程）可以用三个被检测
是指： 1 ）监测数据＃投票位; 2 ）监控
切换位;的相同或3）由两个连续的读
数据。这三个检测机制被描述
下文。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
出现与所使用的DQ冲突。为了防止
杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取AC-
cessed位置的附加两（2）倍。如果两个读数
是有效的，则该设备已完成写周期，
否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
该SST28SF040A / 28VF040A特征数据＃查询来
表示写操作状态。在写操作
化，任何尝试读取期间所加载的最后字节
字节载入周期将接收真实的补
在DQ数据
7
。一旦写周期完成时， DQ的
7
将
展现真实的数据。该设备然后准备进行下一次
操作。图11给出了数据＃查询时序波形
形式。为了让数据＃查询到正常工作，
字节被轮询之前必须编程擦除。
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切换位（ DQ
6
)
另一种装置，用于确定所述写操作
状态监测的触发位， DQ
6
。在一
写操作，尝试连续读取数据
该装置将导致DQ
6
逻辑0之间切换
（低）和逻辑1 （高） 。当写周期的COM
完成之后，那位触发将停止。该设备就准备好了
接下来的操作。参见图12翻转位时序
波形。
连续读取
一个替代装置，用于确定写入的端
操作是由读出同一地址为2 CON-
secutive数据相匹配。
产品标识
产品标识方式将设备识别为
SST28SF040A / 28VF040A和制造商为
SST 。该模式可以通过硬件来访问和
软件操作。对硬件的操作通常是
使用外部编程来识别正确的
算法的SST28SF040A / 28VF040A 。用户可以
要使用的软件操作，以确定该设备
（即，使用该设备的代码）。有关详情请参阅表2
对硬件的操作和图18中的软件
操作。的制造商，设备代码是
相同的两个操作。
P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
制造商ID
器件ID
字节
0000 H
0001 H
数据
BF
04 H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
作者IAGRAM
SST28SF040A/28VF040A
X解码器
4,194,304位
EEPROM
电池阵列
A18 - A0
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
310 ILL B1.0
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数据表
A11
A9
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A13
A14
A17
WE＃
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
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6
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11
12
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16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
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19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
310 ILL F01.1
1
2
3
4
5
WE＃
VCC
F
IGURE
1: S
TANDARD
P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP
A12
A15
A16
A18
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
A18
A16
A15
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A5
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A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
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32-Pin
6
PDIP
7
8
顶视图
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VCC
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
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A3
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A0
DQ0
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A17
6
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
7
8
9
10
310 ILL F02.0
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
P
LASTIC
DIP
S和
32-P
IN
PLCC
S
T
ABLE
1: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
行地址输入
A
18
-A
8
A
7
-A
0
列地址输入
DQ
7
-DQ
0
数据输入/输出
11
12
13
14
15
16
CE＃
OE ＃
WE＃
VCC
VSS
注意：
(1)
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
功能
提供的内存地址。行地址定义的扇区。
选择扇区内的字节。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃ ， CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
(1)
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
(1)
提供5伏电源（ ±10％）为SST28SF040A ，和2.7-3.6V
供应的SST28VF040A
310 PGM T1.2
该引脚在内部上拉了一个电阻。
2000硅存储技术公司
5
310-3 6/00
QQ：2880707522 复制
