1兆位/ 2兆位（ X8 ）许多时间内可编程Flash
SST27VF010 / SST27VF020
SST27VF010 / 0205.0V ，读为1Mb /的2Mb （ X8 ） MTP闪存
初步规格
产品特点：
组织为128K ×8 / 256K ×8
?? 2.7-3.6V读操作
卓越的可靠性
- 耐力：至少1000次
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 2 μA （典型值）
快速读取访问时间
- 70纳秒（ PLCC或TSOP ）
- 90纳秒（ PDIP ）
快速字节编程操作
- 字节编程时间： 15 μs（典型值）
- 芯片编程时间：
2秒钟（典型值）的SST27VF010
4秒（典型值）的SST27VF020
电擦除使用编程器
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间： 100毫秒（典型值）
JEDEC标准的字节宽度的EPROM引脚排列
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST27VF010 / 020顷128K ×8 / 256K ×8 CMOS ，
很多时间可编程（ MTP ）低成本闪存，制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化层调谐
neling注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。这些MTP装置
可电擦除和编程为至少1000
使用外部编程器与12V电源支持倍
层。它们具有在编程之前被擦除。这些
器件符合JEDEC标准引脚排列字节宽
回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST27VF010 / 020提供了15 μs的字节编程时间。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用中，这些器件还具有耐久
的至少1000个循环。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST27VF010 / 020顷适合应用
需要频繁写入和低功耗的非易失性stor-
年龄。这些器件将提高灵活性，效率和
性能，同时匹配在非易失性的低成本
当前使用的应用程序的UV - EPROM中，用OTP ，并
面具光盘。
以满足表面安装和常规通孔
要求， SST27VF010 / 020顷提供在32针
PDIP 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。看
,
图1 ，图2和3对引脚分配。
设备操作
该SST27VF010 / 020顷低成本闪存解决方案
可以用来替代现有的UV- EPROM， OTP ，并且
屏蔽ROM插槽。这些设备在功能上是
（读取和编程）和引脚兼容行业
标准EPROM产品。除了EPROM的功能
族体，这些器件还支持电擦除
经由外部编程操作。他们不
需要一个紫外光源来擦除，因此封装
年龄不具有窗口。
读
在SST27VF010 / 020的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ 。既，CE＃和OE ＃必须为低电平
该系统以获得从所述输出数据。一旦
地址是稳定的，地址存取时间是等于
从CE＃延迟输出（T
CE
） 。数据可在输出
把T的延迟之后
OE
从OE＃的下降沿，
假设CE＃引脚一直保持在低水平和地址
一直保持稳定至少吨
CE
-T
OE 。
当CE ＃引脚
高，芯片被取消选中，典型待机电流
2 μA被消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。
2003硅存储技术公司
S71251-00-000
12/03
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MTP是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27VF010 / SST27VF020
初步规格
字节编程操作
该SST27VF010 / 020顷使用一个外部程序
最终程序员。编程模式
SST27VF010 / 020是通过在断言11.4-12.0V激活
V
PP
针，V
DD
= 2.7-3.6V, V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
在OE ＃
引脚。这些设备被编程逐字节与
在所希望的地址使用单一脉冲所需的数据
（ PGM ＃引脚为低电平SST27VF010 / 020 ） 15微秒。使用
MTP规划算法，该字节编程亲
塞斯继续逐字节直到整个芯片已
编程。
销“不关心” 。的CE＃ （ PGM ＃的下降沿
SST27VF010 / 020）将启动芯片擦除操作。
一旦该芯片已被删除，所有字节必须进行验证
为FFH 。请参考图9为流程图。
产品标识模式
产品标识模式标识的设备上进行
在SST27VF010或SST27VF020和制造商为
SST 。这种模式可以由硬件来访问
方法。要激活此模式SST27VF010 / 020 ，则
编程设备必须强制V
H
（ 11.4-12.6V ）上
地址
9
随着V
PP
脚在V
DD
（ 2.7-3.6V ）或V
SS
。两
identi音响器的字节然后，可以从该设备测序
通过切换地址线A输出
0.
有关详细信息，请参阅表3
硬件操作。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST27VF010
SST27VF020
0001H
0001H
A9H
AAH
T1.0 1251
芯片擦除操作
只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由electri-
卡尔擦除改变每一个位中的设备设置为“ 1”。与
传统的EPROM ，它使用UV光做削片
擦除时， SST27VF010 / 020采用了电芯片擦除
操作。这节省了显著量的时间（约
30分钟的每个擦除操作）。整个芯片可以
在100毫秒的单个脉冲被删除（PGM ＃引脚
SST27VF010 / 020 ） 。为了激活擦除模式
SST27VF010 / 020 ，则11.4-12.6V被施加到A
9
销，
11.4-12.0V施加于V
PP
针，V
DD
= 2.7-3.6V, V
IL
on
CE＃引脚，
V
IH
在OE ＃引脚。所有其它地址和数据
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
的作者IAGRAM
SST27VF010/020
数据
BFH
0000H
X解码器
超快闪
内存
AMS - A0
地址缓冲器
y解码器
CE＃
OE ＃
A9
VPP
PGM ＃
I / O缓冲器
控制逻辑
DQ7 - DQ0
1251 B1.0
AMS = A17为SST27VF020 ， A16为SST27VF010
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1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27VF010 / SST27VF020
初步规格
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
7
-DQ
0
CE＃
OE ＃
V
PP
V
DD
V
SS
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
供电电源
编程或擦除
电源
地
无连接
未连接引脚。
T2.0 1251
功能
提供内存地址
要在读周期输出数据和接收过程中计划循环输入数据
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE ＃为低电平
栅极读操作过程中的数据输出缓冲器
芯片擦除和编程操作11.4-12.0V在高电压引脚
提供3.0V电源（ 2.7-3.6V ）
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
16
为SST27VF010和A
17
为SST27VF020
表3 ：O型
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
读
输出禁用
节目
待机
芯片擦除
编程/擦除禁止
产品标识
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
V
IL
PGM ＃
X
1
X
V
IL
X
V
IL
X
X
A
9
A
IN
X
A
IN
X
V
H
X
V
H
V
PP
V
DD
或V
SS
V
DD
或V
SS
V
PPH
V
DD
或V
SS
V
PPH
V
PPH
V
DD
或V
SS
DQ
D
OUT
高Z
D
IN
高Z
高Z
高Z
制造商ID （ BFH ）
器件ID
2
地址
A
IN
A
IN
A
IN
X
X
X
A
MS3
- A
1
=V
IL
, A
0
=V
IL
A
MS3
- A
1
=V
IL
, A
0
=V
IH
T3.0 1251
1. X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
2.设备ID = A9H为SST27VF010和AAH为SST27VF020
3. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
16
为SST27VF010和A
17
为SST27VF020
注意：
V
PPH
= 11.4-12.0V, V
H
= 11.4-12.6V
2003硅存储技术公司
S71251-00-000
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