256千比特/ 512千位/ 1兆位/ 2兆位（ X8 ）
许多-时间内可编程Flash
SST27SF256 / SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
SST27SF256 / 512 / 010 / 0205.0V -读的256Kb / 512KB /为1Mb /的2Mb （ X8 ） MTP闪存
数据表
产品特点：
组织为32K ×8 / 64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8
4.5-5.5V读操作
卓越的可靠性
- 耐力：至少1000次
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速读取访问时间
= 70纳秒
= 90纳秒
快速字节编程操作
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片编程时间：
0.7秒（典型值）的SST27SF256
1.4秒（典型值）的SST27SF512
2.8秒（典型值）的SST27SF010
5.6秒（典型值）的SST27SF020
电擦除使用编程器
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间： 100毫秒（典型值）
TTL I / O兼容性
JEDEC标准的字节宽度的EPROM引脚排列
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 28引脚PDIP为SST27SF256 / 512
- 32引脚PDIP为SST27SF010 / 020
产品说明
该SST27SF256 / 512 / 010 / 020顷一个32K ×8 / 64K ×8 /
128K ×8 / 256K ×8 CMOS ，很多时间可编程
（ MTP ）的低成本闪存，采用SST专有的制造，
高性能的超快闪技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。这些MTP装置可电擦除
与使用外部亲编程为至少1000倍
老奶奶用12伏电源。它们必须是
在编程之前擦除。这些器件符合
JEDEC标准引脚排列字节宽的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST27SF256 / 512 / 010 / 020提供了一个字节编程时间
20微秒。设计，制造和测试了一个宽
的应用范围，这些器件还具有一个
耐力至少1000个循环的。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST27SF256 / 512 / 010 / 020顷适合于各种应用
需要频繁写入和低功耗的非易失性
存储。这些器件将提高灵活性，效率，
和性能，同时匹配在非易失性的低成本
当前使用的应用程序的UV - EPROM中，用OTP ，并
面具光盘。
以满足表面安装和常规通孔
要求， SST27SF256 / 512提供在32针
PLCC ， 32引脚TSOP和28引脚PDIP封装。该
,
SST27SF010 / 020顷提供32引脚PDIP ，32引脚PLCC
,
和32引脚TSOP封装。参见图1 ，图2和3为
引脚排列。
2001硅存储技术公司
S71152-02-000 5/01
502
1
设备操作
该SST27SF256 / 512 / 010 / 020顷低成本闪存解决方案
化，可以用来取代现有的UV- EPROM， OTP
,
并屏蔽ROM插槽。这些设备在功能上是
（读取和编程）和引脚与业界标兼容
准EPROM产品。除了EPROM的功能
这些设备也经由支持电擦除操作
外部编程。它们不要求一个紫外光源，以
擦除，因此，产品的不具有窗口。
读
该SST27SF256的读操作/ 512 / 010 / 020
通过CE＃和OE ＃控制。既，CE＃和OE ＃必须
低的系统，以获得从所述输出数据。一旦
地址是稳定的，地址存取时间是等于
从CE＃到输出的延迟（T
CE
） 。数据可在
T的延迟后输出
OE
从OE＃的下降沿，
假设CE＃引脚一直保持在低水平和地址
一直保持稳定至少吨
CE
- T
OE
。当CE ＃引脚
为高电平时，芯片被取消选中，一个典型待机电流
10 μA被消耗。 OE＃为输出控制，并
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
字节编程操作
该SST27SF256 / 512 / 010 / 020顷使用编程
外部编程。编程模式
SST27SF256 / 010 / 020被认定激活12V （±5 ％ ）
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MTP是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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