512千位/ 1兆位/ 2兆位（ X8 ）许多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
SST27SF512 / 010 / 0205.0V -读取512KB /为1Mb /的2Mb （ X8 ） MTP闪存
数据表
产品特点：
组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8
4.5-5.5V读操作
卓越的可靠性
- 耐力：至少1000次
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速读取访问时间
= 70纳秒
快速字节编程操作
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片编程时间：
1.4秒（典型值）的SST27SF512
2.8秒（典型值）的SST27SF010
5.6秒（典型值）的SST27SF020
电擦除使用编程器
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间： 100毫秒（典型值）
TTL I / O兼容性
JEDEC标准的字节宽度的EPROM引脚排列
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 28引脚PDIP为SST27SF512
- 32引脚PDIP为SST27SF010 / 020
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST27SF512 / 010 / 020顷一个64K ×8 / 128K ×8 / 256K
X8 CMOS ，很多时间可编程（ MTP ）成本低
闪光灯，制造与SST专有的，高perfor-
曼斯SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
这些MTP装置可电擦除和亲
使用外部编程器编程的至少1000倍
MER用12V电源。它们具有事先被擦除
编程。这些器件符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
特色
高性能
字节编程，
该
SST27SF512 / 010 / 020提供了20的字节编程时间
微秒。设计，制造和测试了一个宽光谱
应用TRUM ，这些器件还具有一个
耐力至少1000个循环的。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST27SF512 / 010 / 020顷适合应用
需要频繁写入和低功耗的非易失性stor-
年龄。这些器件将提高灵活性，效率和
性能，同时匹配在非易失性的低成本
当前使用的应用程序的UV - EPROM中，用OTP ，并
面具光盘。
以满足表面安装和常规通孔
要求， SST27SF512均提供32引脚
PLCC ， 32引脚TSOP和28引脚PDIP封装。该
,
SST27SF010 / 020顷提供32引脚PDIP 32引线
,
PLCC和32引脚TSOP封装。参见图1 ，图2和
3引脚分配。
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设备操作
该SST27SF512 / 010 / 020顷低成本闪存解决方案
可用于替代现有的UV- EPROM， OTP ，
并屏蔽ROM插槽。这些设备在功能上是
（读取和编程）和引脚兼容行业
标准EPROM产品。除了EPROM的功能
族体，这些器件还支持电擦除
经由外部编程操作。他们不
需要一个紫外光源来擦除，因此封装
年龄不具有窗口。
读
该SST27SF512的读操作/ 010 / 020所配置
通过CE＃和OE ＃控制。既，CE＃和OE ＃必须是低
该系统以获得从所述输出数据。一旦
地址是稳定的，地址存取时间是等于
从CE＃延迟输出（T
CE
） 。数据可在输出
把T的延迟之后
OE
从OE＃的下降沿，
假设CE＃引脚一直保持在低水平和地址
一直保持稳定至少吨
CE
-T
OE 。
当CE ＃引脚
高，芯片被取消选中，典型待机电流
10 μA被消耗。 OE＃为输出控制，并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线是在高
阻抗状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MTP是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
字节编程操作
该SST27SF512 / 010 / 020顷通过使用编程
外部编程。编程模式
SST27SF010 / 020是通过在断言11.4-12V激活
V
PP
针，V
DD
= 4.5-5.5V, V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
在OE ＃
引脚。编程模式SST27SF512被激活
通过OE ＃断言11.4-12V / V
PP
针，V
DD
= 4.5-5.5V,
和V
IL
在CE ＃引脚。这些设备被编程字节级
逐字节与所需的数据在所需的地址使用
单脉冲（ CE ＃引脚为低电平SST27SF512和PGM ＃
引脚为低电平SST27SF010的20微秒/ 020 ） 。使用MTP亲
编程算法，该字节编程过程CON-
tinues逐字节直到整个芯片已
编程。
产品标识模式
产品标识模式标识的设备上进行
在SST27SF512 ， SST27SF010和SST27SF020和
制造商为SST。这种模式可以由被访问
硬件方法。要激活此模式SST27SF010 /
020 ，编程设备必须强制V
H
(11.4-12V)
在地址A
9
随着V
PP
脚在V
DD
（ 4.5-5.5V ）或V
SS
。对
激活此模式SST27SF512 ，编程
设备必须强制V
H
（ 11.4-12V ）上的地址A
9
同
OE ＃ / V
PP
脚在V
IL
。然后两个标识符字节可能
通过切换地址线从设备的输出序列
A
0
。有关详细信息，请参阅表3和表4的硬件操作。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST27SF512
SST27SF010
SST27SF020
0001H
0001H
0001H
A4H
A5H
A6H
T1.2 1152
芯片擦除操作
只有这样，才能从“0”改变数据“1”是由electri-
卡尔擦除改变每一个位中的设备设置为“ 1”。与
传统的EPROM ，它使用UV光做削片
擦除时， SST27SF512 / 010 / 020采用了电削片
擦除操作。这节省了显著量的时间
（约30分钟，每个擦除操作）。整个
芯片可以在100毫秒的单个脉冲被删除（ CE＃销
低SST27SF512和PGM ＃引脚SST27SF010 /
020 ） 。为了激活擦除模式SST27SF010 /
020 ，该11.4-12V施加到V
PP
AND A
9
销，V
DD
= 4.5-
5.5V, V
IL
在CE ＃引脚，
V
IH
在OE ＃引脚。为了爱科特
瓦泰岛擦除模式SST27SF512 ，在11.4-12V应用
到OE ＃ / V
PP
AND A
9
销，V
DD
= 4.5-5.5V ，和V
IL
在CE ＃
引脚。其他所有的地址和数据引脚“不关心” 。该
坠落的CE＃边缘（ PGM ＃为SST27SF010 / 020 ）将启动
芯片擦除操作。一旦芯片被擦除，
所有字节必须为FFH进行验证。参阅图11和
12为流程图。
数据
BFH
0000H
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512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
的作者IAGRAM
SST27SF512
X解码器
超快闪
内存
A15 - A0
地址缓冲器
y解码器
CE＃
OE ＃ / VPP
A9
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ7 - DQ0
1152 B2.1
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
的作者IAGRAM
SST27SF010/020
X解码器
超快闪
内存
AMS - A0
地址缓冲器
y解码器
CE＃
OE ＃
A9
VPP
PGM ＃
I / O缓冲器
控制逻辑
DQ7 - DQ0
1152 B3.2
AMS = A17的SST27SF020 ， A16的SST27SF010
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512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
SST27SF512 SST27SF010 SST27SF020
PGM ＃
PGM ＃
A14
VDD
VPP
A12
A15
A16
VDD
VPP
A12
A15
A16
VDD
A12
A15
SST27SF010 / 020 SST27SF512
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
SST27SF010 / 020 SST27SF512
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
NC
DQ3
DQ4
DQ5
A13
NC
A7
NC
A17
SST27SF512 SST27SF010 / 020
A8
A9
A11
NC
OE ＃ / VPP
A10
CE＃
DQ7
DQ6
1152 32 - PLCC P1.4
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
PLCC
SST27SF020 SST27SF010 SST27SF512
A11
A9
A8
A13
A14
NC
NC
VDD
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1152 32 - TSOP P2.2
DQ6
VSS
SST27SF512 SST27SF010 SST27SF020
OE ＃ / VPP
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃
OE ＃
A17
PGM ＃
VPP
A16
NC
PGM ＃
VPP
A16
标准引脚
顶视图
死亡最多
图2 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
TSOP （ 8
MM X
14
MM
)
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512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
SST27SF020 SST27SF010
SST27SF512
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
SST27SF512
VDD
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃ / VPP
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1152 28 - PDIP P3.2
SST27SF010 SST27SF020
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
PGM ＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
PGM ＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28-pin
PDIP
顶视图
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1152 32 - PDIP P4.1
图3 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
28-
引脚和
32-
针
PDIP
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
7
-DQ
0
CE＃
OE ＃
OE ＃ / V
PP
V
PP
V
DD
V
SS
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出使能/ V
PP
供电电源
编程或擦除
电源
地
无连接
未连接引脚。
T2.4 1152
功能
提供内存地址
要在读周期输出数据和接收过程中计划循环输入数据
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE ＃为低电平
对于SST27SF010 / 020 ，以栅极读操作期间，数据输出缓冲器
对于SST27SF512 ，向栅极读操作和高电压期间，该数据输出缓冲器
在芯片擦除和编程操作销
对于SST27SF010 / 020 ，在芯片擦除和编程操作高压引脚
11.4-12V
提供5.0V电源（ 4.5-5.5V ）
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
对于SST27SF512 ，A
16
对于SST27SF010 ，和A
17
对于SST27SF020
2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
5
QQ：2880707522 复制
