SST2610
公司Bauelemente
3 A， 60 V ， RDS （ ON ） 90毫欧
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
该SST2610采用先进的处理技术，以实现尽可能低的导通电阻，
非常有效和符合成本效益的设备。
这是普遍适用于所有商业工业应用。
应用
低导通电阻
能够2.5V栅极驱动
包装信息
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
0.30
0.55
0
0.10
0
10
REF 。
G
H
I
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.20参考。
0.12 REF 。
0.37 REF 。
0.60参考。
0.95 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
3
连续漏电流
V
GS
@ 4.5V ，T
A
=25℃
3
连续漏电流
V
GS
@ 4.5V ，T
A
=70℃
1,2
漏电流脉冲
功耗
T
A
=25℃
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
D
P
D
TJ ， TSTG
评级
60
±20
3.0
2.3
10
2
0.016
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
℃
℃
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
R
θJA
评级
62.5
单位
℃ /
W
01月， 2005年修订版A
第1页4
SST2610
公司Bauelemente
3 A， 60 V ， RDS （ ON ） 90毫欧
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
正向跨导
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
零栅压漏电流（T
J
=25℃)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
VGS （ TH）
分钟。
60
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.05
-
5.0
-
-
-
-
马克斯。
-
-
3.0
-
±100
10
25
90
120
单位
V
V
/
V
S
℃
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=3A
V
GS
= ±20V
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0
g
fs
I
GSS
I
DSS
nA
漏极 - 源极漏电流
(T
J
=70℃)
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
西塞
科斯
CRSS
m
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
I
D
=3A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
G
=3.3Ω
R
D
=30Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
6
1.6
3
6
5
16
3
490
55
40
10
-
-
-
-
-
-
780
-
-
pF
ns
ns
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
Symbo
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
25
26
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 1.2 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 3A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/μs
1.脉冲宽度有限的最大。结温。
2.脉冲width300us ，占空比
≦
2%.
2
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫， 156 ° C / W安装在最小的时候。铜垫。
01月， 2005年修订版A
第2页4
SST2610
公司Bauelemente
3 A， 60 V ， RDS （ ON ） 90毫欧
N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
01月， 2005年修订版A
第3页4
SST2610
公司Bauelemente
3 A， 60 V ， RDS （ ON ） 90毫欧
N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线（续）
F = 1.0 MHz的
01月， 2005年修订版A
第4页4
QQ：2880707522 复制
