SST2605
-4.0A ， -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
公司Bauelemente
P沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOT-26
描述
0.37Ref.
0.20
0.60参考。
2.60
3.00
该SST2605 utiltzed提前处理技术，实现了最低
可能的导通电阻， extermely有效和具有成本效益的设备。
该SST2605普遍适用于所有商业工业应用。
0.25
1.40
1.80
0.30
0.55
0.95
REF 。
2.70
3.10
0~0.1
特点
*快速开关特性
*低栅极电荷
D
0
o
10
o
1.20Ref.
单位：毫米
D
6
D
5
S
4
*体积小&薄型封装
2605
日期代码
G
S
1
D
2
D
3
G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
评级
-30
±20
-4.0
-3.3
-20
2.0
0.016
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
3
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
Rthj -A
评级
62.5
o
单位
C / W
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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SST2605
公司Bauelemente
-4.0A ， -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
DS
=-24V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.0A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.0A
o
-0.02
_
_
_
_
-1.0
_
_
_
_
-
3.0
±
100
-1
-25
80
120
8.8
_
_
_
_
5.5
1
2.6
7
6
18
4
400
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
2
nC
I
D
=-4.0A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
_
_
_
_
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=15
Ω
640
_
_
90
30
6
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.0A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
分钟。
_
典型值。
_
21
14
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
= -1.6A ，V
GS
=0V.
是= -4.0A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/us
反向恢复时间
2
TRR
QRR
_
_
_
_
nS
nC
反向恢复电荷
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
O
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候156℃ / W 。铜垫。
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-4.0A -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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-4.0A ， -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
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图12.栅极电荷波形
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-4.0A ， -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
DS
=-24V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.0A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.0A
o
-0.02
_
_
_
_
-1.0
_
_
_
_
-
3.0
±
100
-1
-25
80
120
8.8
_
_
_
_
5.5
1
2.6
7
6
18
4
400
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
2
nC
I
D
=-4.0A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
_
_
_
_
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=15
Ω
640
_
_
90
30
6
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.0A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
分钟。
_
典型值。
_
21
14
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
= -1.6A ，V
GS
=0V.
是= -4.0A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/us
反向恢复时间
2
TRR
QRR
_
_
_
_
nS
nC
反向恢复电荷
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
O
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候156℃ / W 。铜垫。
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
15-Jun-2010
启示录
C
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-4.0A -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
的说明书中的任何改变将不被通知个人
15-Jun-2010
启示录
C
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-4.0A ， -30V ，R
DS （ ON）
80m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
http://www.SeCoSGmbH.com/
图12.栅极电荷波形
的说明书中的任何改变将不被通知个人
15-Jun-2010
启示录
C
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