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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第353页 > SST2100
N沟道耗尽模式
横向DMOS FET
公司
SD2100 / SST2100
特点
描述
的SD2100 / SST2100是耗尽型DMOS的横向场效应管
提供超高速开关具有极低
电容。该产品可在TO- 72和面
安装SOT -143 。
订购信息
部分
SD2100
SST2100
XSD2100
包
温度范围
TO-72
-55
o
C至+ 125
o
C
SOT-143
-55
o
C至+ 125
o
C
排序芯片载体-55
o
C至+ 125
o
C
快速切换。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
ON
1.0ns
低电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
RSS
2pf
低R
ON
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
模拟开关
放大器器
应用
连接图
3
TO-72
2
4
1
3
2
漏
(2)
体
(4)
门
(3)
来源
1
1
2
3
4
来源
漏
门
基板
3
2
1
4
4
1
底部视图
4
体
与案例
漏
2
3
门
来源
(1)
身体在内部
连接于箱体
（ TOP VIEW ）
最热（ SOT -231 ）
CD1-2
SST2100
D10
SD2100 / SST2100
公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
V
GS
V
DS
I
D
P
D
参数/测试条件
栅源电压
漏源电压
漏电流
功耗
功率降额
T
J
T
英镑
T
L
工作结温
储存温度
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒）
范围
±25
25
50
300
2.4
-55到150
-55到150
300
o
单位
V
mA
mW
毫瓦/
o
C
C
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
STATIC
V
（ BR ） DS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭
)
V
GS
漏源击穿电压
门反向电流
饱和漏极电流
门源截止
栅源电压
0.4
120
r
DS （ ON）
动态
g
fs
g
os
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
开关
t
D（上）
t
r
t
关闭
打开-O FF时间
0.7
开启时间
0.4
5
ns
V
DD
= 5V ，R
L
= 680, V
IN
= -4V至-2V
正向跨导
输出电导
正向跨导
输出电导
共源输入电容
反向传输电容
8000
250
10000
350
5
1
7000
V
DG
= 10V, V
BS
= 0V时，我
D
= 10毫安中，f = 1kHz时
500
6
pF
2
V
DS
= 10V ， F = 1MHz时， V
GS
= V
BS
= -5V
1000
V
DS
= 10V, V
GS
= V
BS
= 0V ， F = 1kHz时
500
S
漏源导通电阻
40
50
0
1.5
200
25
±0.05
7
-1.5
-0.3
-1
0.5
15
±1
10
-2
1
V
V
nA
mA
V
GS
= V
BS
= -5V ，我
D
= 1A
V
GS
=
±25V,
V
DS
= V
BS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
BS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1μA ，V
BS
= 0V
V
DG
= 10V
V
BS
= 0V
I
D
= 100A
V
BS
= 0V
I
D
= 5毫安
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0V
V
GS
= 5V
参数
典型值
1
民
最大
单位
测试条件
注1 ：
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
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SNJ54ABT273FK
S29AL008D70BAIR11
S75PL127NCGJAWGZ3
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SST2100
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    -
    -
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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