焦耳/ SST201系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
J201
J202
J204
产品概述
产品型号
J/SST201
J/SST202
J/SST204
SST201
SST202
SST204
V
GS （ OFF ）
(V)
0.3
to
1.5
0.8
to
4
0.3
to
2
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
40
40
25
g
fs
MIN（ ms）的
0.5
1
0.5
I
DSS
敏（毫安）
0.2
0.9
0.2
特点
D
D
D
D
低截止电压： J201 <1.5 V
高输入阻抗
非常低噪声
高增益：一个
V
= 80 @ 20
mA
好处
D
从低压全性能
电源：低至1.5 V
D
信号损失/系统错误
D
高灵敏度系统
D
高品质低级别的信号
放大器阳离子
应用
D
高增益，低噪声放大器
D
低电流，低电压
电池供电的放大器
D
红外探测器放大器
D
超高输入阻抗
前置放大器
描述
在J / SST201系列具有低漏电，低噪音，
低截止电压与低级别的电源使用。
在J / SST201是极好的电池供电设备和
低电流放大器。
J系列， TO- 226 （ TO- 92 ）塑料封装，可提供低
成本，同时将SST系列，TO- 236 （ SOT-23 ）封装，
提供表面贴装能力。无论是J和SST系列
在带与卷筒的自动组装功能（见
包装信息） 。
对于同类产品采用TO- 206AA （ TO- 18 ）的包装，看
2N4338 / 4339 /四千三百四十一分之四千三百四十数据表。
应用程序信息，请参阅AN102和AN106 。
TO-226AA
(TO-92)
1
D
2
S
G
3
2
1
TO-236
(SOT-23)
D
S
3
G
顶视图
顶视图
J201
J202
J204
SST201 （P1） *
SST202 （P2） *
SST204 （P4） *
*标识代码为TO- 236
文档编号： 70233
S- 40393 -REV 。 G， 15 -MAR -04
www.vishay.com
1
焦耳/ SST201系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
a.
减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST201
J/SST202
J/SST204
c
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 10 V，I
D
- 0.1毫安
V
DS
= 15 V, V
GS
=
5
V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
2
1
2
2
0.7
40
0.3
0.2
1.5
1
100
40
0.8
0.9
4
4.5
100
25
0.3
0.2
2
3
100
V
mA
pA
nA
pA
V
动态
共源
正向跨导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
4.5
pF
1.3
6
nV/
√Hz的
NPA ， NH
0.5
1
0.5
mS
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。见2N / SST5484系列J204和SST204典型特性曲线。
www.vishay.com
2
文档编号： 70233
S- 40393 -REV 。 G， 15 -MAR -04
焦耳/ SST201系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
I
DSS
饱和漏极电流（mA ）
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
5
栅极漏电流
10 nA的
g
fs
正向跨导（MS ）
I
G
@ I
D
= 500
mA
I
D
= 100
mA
1 nA的
I
G
栅极漏电流（ A）
T
A
= 125_C
I
GSS
@ 125_C
I
D
= 500
mA
I
D
= 100
mA
1 pA的
T
A
= 25_C
I
GSS
@ 25_C
8
4
6
g
fs
4
I
DSS
3
100 pA的
2
10 pA的
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
0
0.1帕
0
15
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
30
1500
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
10
g
fs
正向跨导（MS ）
2
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
1200
g
os
8
1.6
T
A
=
55_C
g
os
输出电导（MS ）
900
6
r
DS
4
1.2
25_C
0.8
600
300
r
DS
@ I
D
= 100
毫安，
V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
0
1
2
3
4
5
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
2
0.4
125_C
0
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
400
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
GS
= 0 V
2
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
360
0.1
V
I
D
漏极电流（mA ）
I
D
漏极电流（mA ）
1.6
V
GS
= 0 V
1.2
0.3
V
0.8
0.6
V
0.4
1.2
V
0.9
V
240
160
0.2
V
0.3
V
80
0.5
V
0.4
V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70233
S- 40393 -REV 。 G， 15 -MAR -04
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏源极电压（ V）
www.vishay.com
3
焦耳/ SST201系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
500
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
2
传输特性
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
DS
= 10 V
400
I
D
漏极电流（mA ）
I
D
漏极电流（mA ）
1.6
T
A
=
55_C
1.2
25_C
300
T
A
=
55_C
25_C
200
125_C
100
0.8
0.4
125_C
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
栅源电压（ V）
1.5
g
fs
正向跨导（MS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
4
g
fs
正向跨导（MS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
1.2
T
A
=
55_C
0.9
25_C
3.2
2.4
T
A
=
55_C
25_C
0.6
125_C
0.3
1.6
0.8
125_C
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
GS
栅源电压（ V）
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
栅源电压（ V）
200
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
10 V
I
D
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
2000
导通电阻与漏电流
160
A
V
电压增益
1600
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
120
1200
80
1.5
V
40
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
800
1.5
V
400
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
www.vishay.com
1
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
文档编号： 70233
S- 40393 -REV 。 G， 15 -MAR -04
1
4
焦耳/ SST201系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
共源输入电容
与栅源电压
C
RSS
逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
5
共源逆向反馈电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
8
C
国际空间站
输入电容（pF ）
4
6
V
DS
= 0 V
4
10 V
2
3
V
DS
= 0 V
2
1
10 V
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅源电压（ V）
3
输出电导与漏极电流
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
Hz
20
等效输入噪声电压与频率的关系
V
DS
= 10 V
g
os
输出电导（ μS ）
2.4
16
en
噪声电压内华达州/
1.8
T
A
=
55_C
0.8
12
I
D
@ 100
mA
25_C
8
V
GS
= 0 V
4
0.4
125_C
0
0.01
0.1
I
D
漏极电流（mA ）
1
0
10
100
1k
f
频率（Hz）
10 k
100 k
300
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
0.7
V
V
GS
= 0 V
1.0
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
1.5
V
240
I
D
漏电流（ μA ）
0.1
180
0.2
120
0.5
0.3
0.4
I
D
漏极电流（mA ）
0.8
V
GS
= 0 V
0.6
0.3
0.4
0.6
60
0.2
0.9
1.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
漏源极电压（ V）
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70233
S- 40393 -REV 。 G， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
焦耳/ SST201系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST201系列
低截止电压
高增益
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
正向栅电流
最大电压
栅漏电压
栅极至源极电压
-40V
-40V
50mA
350mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
1
高增益
N沟道JFET
V
GS （ OFF ）
≤
1.5V
A
V
= 80 V/V
J系列
SST系列
SOT-23
顶视图
TO-92
底部视图
S摹
1 2 3
S
D
1
3
2
G
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
特征
门源
击穿电压
门源截止
电压
焦耳/ SST201 ， 202
J/SST204
J/SST201
J/SST202
J/SST204
J/SST201
J/SST202
J/SST204
民
-40
-25
-0.3
-0.8
-0.3
0.2
0.9
0.2
-2
-2
2
焦耳/ SST201 ， 204
J/SST202
0.5
1
4.5
1.3
6
mS
pF
纳伏/赫兹÷
-1.5
-4
2
1
4.5
3
-100
pA
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 0.1毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= -5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f
= 1kHz时
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
f
= 1kHz时
mA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10nA的
典型值
最大单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
e
n
漏极至源极
2
饱和电流
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
前锋
跨
输入电容
反向传输电容
噪声电压
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
0.89
1.03
1.78
2.05
SOT-23
1
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
0.37
0.51
2.80
3.04
LS XXX
YYWW
0.89
1.12
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
1
2
3
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
焦耳/ SST201系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST201系列
低截止电压
高增益
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
正向栅电流
最大电压
栅漏电压
栅极至源极电压
-40V
-40V
50mA
350mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
1
高增益
N沟道JFET
V
GS （ OFF ）
≤
1.5V
A
V
= 80 V/V
J系列
SST系列
SOT-23
顶视图
TO-92
底部视图
S摹
1 2 3
S
D
1
3
2
G
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
特征
门源
击穿电压
门源截止
电压
焦耳/ SST201 ， 202
J/SST204
J/SST201
J/SST202
J/SST204
J/SST201
J/SST202
J/SST204
民
-40
-25
-0.3
-0.8
-0.3
0.2
0.9
0.2
-2
-2
2
焦耳/ SST201 ， 204
J/SST202
0.5
1
4.5
1.3
6
mS
pF
纳伏/赫兹÷
-1.5
-4
2
1
4.5
3
-100
pA
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 0.1毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= -5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f
= 1kHz时
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
f
= 1kHz时
mA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10nA的
典型值
最大单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
e
n
漏极至源极
2
饱和电流
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
前锋
跨
输入电容
反向传输电容
噪声电压
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
0.89
1.03
1.78
2.05
SOT-23
1
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
0.37
0.51
2.80
3.04
LS XXX
YYWW
0.89
1.12
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
1
2
3
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
N沟道JFET
通用扩增fi er
公司
J201 - J204 / SST201 - SST204
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+135
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.3mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
高输入阻抗
我低
GSS
引脚配置
SOT-23
G
TO-92
D
S
订购信息
G
S
5010
产品标识（ SOT -23 ）
SST201
A01
SST202
A02
SST203
A03
SST204
A04
部分
包
温度范围
J201-204
塑料TO- 92
-55
o
C至+135
o
C
SST201-204塑料SOT- 23
-55
o
C至+135
o
C
对于运营商排序筹码见2N4338系列。
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
GSS
V
GS （ OFF ）
BV
GSS
I
DSS
I
G
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
参数
门反向电流
（注1 ）
门源截止
电压
栅源击穿
电压
饱和漏极电流
（注2 ）
栅电流（注1 ）
共源转发
500
跨导（注2 ）
共源输出
导
共源输入
电容
共源反向
传输电容
相当于短路
输入噪声电压
1
4
1
5
-0.3
-40
0.2
-10
1,000
3.5
4
1
5
1.0
201
202
203
204
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
-100
-1.5 -0.8
-40
0.9
-10
1,500
10
4
1
5
4.5
-100
-4.0
-2.0
-40
4.0
-10
20
-100
-10.0 -0.3
-25
0.2
1.2
-10
500 1,500
s
2.5
4
pF
1
10
nV
Hz
√
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0
F = 1MHz的
（注3）
V
DS
= 10V ， F = 1kHz时
V
GS
= 0
（注3）
F = 1kHz时
3.0
mA
pA
-100
-2.0
V
V
DS
= 0, I
G
= -1A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
DG
= 20V ，我
D
= I
DSS （分钟）
单位
pA
测试条件
V
DS
= 0, V
GS
= -20V
VDS = 20V ，我
D
= 10nA的
注：1 。
大约增加一倍，每10
o
增加T中
A
.
2.
脉冲测试持续时间= 2ms的。
3.
仅供设计参考，未经100％测试。
SST202
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST202
在SST202是一个高增益N沟道JFET的
这n沟道JFET进行了优化，高增益。该
部分是特别适合于在低功率或高使用
阻抗放大器。采用SOT -23封装的很好
适用于成本敏感的应用和质量
生产。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXSST202
LOW CUT OFF电压
V
GS （关闭）
≤1.5
高增益
A
V
=80V/V
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
ForwardGateCurrent(Note1)
最大电压不
栅漏电压
门源电压
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+135°C
350mW
50mA
V
GDS
=‐40V
V
GSS
=‐40V
SST202优点：
高输入阻抗
低截止电压
低噪音
SST202应用：
电池供电的放大器
音频前置放大器
红外检测放大器
SST202ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
BV
GSS
门源击穿电压
‐40
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐0.8
I
DSS
DraintoSourceSaturationCurrent(Note2)
0.9
I
GSS
门反向电流
‐2
I
G
门工作电流
‐‐
I
D（关闭）
排水截止电流
‐‐
g
fs
正向跨导
1
C
国际空间站
输入电容
‐‐
C
RSS
反向传输电容
‐‐
e
n
等效噪声电压
‐‐
点击购买
V
mA
pA
mS
pF
内华达州/ √Hz的
可用的软件包：
SST202采用SOT -23
SST202裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 （顶视图）
（典型值） *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐2
2
‐‐
4.5
1.3
6
MAX`
‐‐
‐4
4.5
‐100
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
单位“
条件“
I
G
=1A,V
DS
=0V
V
DS
=15V,I
D
=10nA
V
DS
=15V,V
GS
=0V
V
GS
=‐20V,V
DS
=0V
V
DG
=10V,I
D
=0.1mA
V
DS
=15V,V
GS
=‐5V
V
DS
=15V,V
GS
=0V,f=1kHz
V
DS
=15V,V
GS
=0V,f=1MHz
V
DS
=10V,I
D
=1mA,f=1kHz
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该SST202适用性可能受到损害。
注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％
Micross组件欧洲
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：
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网址：
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QQ：2880707522 复制
