焦耳/ SST201系列
N沟道JFET的
J201
J202
J204
产品概述
产品型号
J/SST201
J/SST202
J/SST204
SST201
SST202
SST204
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.3 -1.5
-0.8 -4
-0.3 -2
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–40
–40
–25
g
fs
MIN（ ms）的
0.5
1
0.5
I
DSS
敏（毫安）
0.2
0.9
0.2
特点
D
D
D
D
低截止电压： J201 <1.5 V
高输入阻抗
非常低噪声
高增益：一个
V
= 80 @ 20
mA
好处
D
从低压全性能
电源：低至1.5 V
D
信号损失/系统错误
D
高灵敏度系统
D
高品质低级别的信号
放大器阳离子
应用
D
高增益，低噪声放大器
D
低电流，低电压
电池供电的放大器
D
红外探测器放大器
D
超高输入阻抗
前置放大器
描述
在J / SST201系列具有低漏电，低噪音，
低截止电压与低级别的电源使用。该
焦耳/ SST201是极好的电池供电设备和低
电流放大器。
J系列， TO- 226 （ TO- 92 ）塑料封装，可提供低
成本，同时将SST系列，TO- 236 （ SOT-23 ）封装，
提供表面贴装能力。无论是J和SST系列
在带与卷筒的自动组装功能（见
包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
S
2
S
G
3
顶视图
顶视图
J201
J202
J204
SST201 （P1） *
SST202 （P2） *
SST204 （P4） *
*标识代码为TO- 236
2
1
3
G
TO-236
(SOT-23)
对于同类产品采用TO- 206AA （ TO- 18 ）的包装，看
2N4338 / 4339 /四千三百四十一分之四千三百四十数据表。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70233 。
应用程序的信息，也可以通过FaxBack获得，请求文件＃ 70595和文件＃ 70599 。
Siliconix公司
P- 37995 -REV 。 D， 11 - 8 - 94
1
焦耳/ SST201系列
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
特定网络阳离子
a
范围
J/SST201
J/SST202
J/SST204
d
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
c
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 10 V，I
D
- 0.1毫安
V
DS
= 15 V, V
GS
= –5 V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–2
–1
–2
2
0.7
–40
–0.3
0.2
–1.5
1
–100
–40
–0.8
0.9
–4
4.5
–100
–25
–0.3
0.2
–2
3
–100
V
mA
pA
nA
pA
V
动态
共源
正向跨导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
,
F = 1 MH
兆赫
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
4.5
pF
1.3
6
nV/
√Hz的
NPA
NH
0.5
1
0.5
mS
笔记
一。牛逼
A
= 25_C除非另有说明。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。见2N / SST5484系列J204典型特性曲线。
2
Siliconix公司
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焦耳/ SST201系列
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
5
g
fs
- 正向跨导（MS ）
栅极漏电流
10 nA的
I
G
@ I
D
= 500
mA
I
D
= 100
mA
1 nA的
I
G
- 栅极漏电流（ A）
T
A
= 125_C
I
GSS
@ 125_C
I
D
= 500
mA
10 pA的
I
D
= 100
mA
1 pA的
T
A
= 25_C
I
GSS
@ 25_C
8
4
6
g
fs
4
I
DSS
3
100 pA的
2
2
1
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
0.1帕
0
15
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
30
1500
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
10
g
fs
- 正向跨导（MS ）
g
os
- 输出电导（
m
S)
2
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
1200
g
os
8
1.6
T
A
= –55_C
1.2
25_C
0.8
900
r
DS
600
6
4
300
r
DS
@ I
D
= 100
毫安，
V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
2
0.4
125_C
0
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
输出特性
400
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
360
I
D
- 漏极电流（
m
A)
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.1 V
V
GS
= 0 V
1.6
2
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
GS
= 0 V
1.2
–0.3 V
0.8
–0.6 V
0.4
–1.2 V
0
–0.9 V
240
160
–0.2 V
–0.3 V
80
–0.5 V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
–0.4 V
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
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3
焦耳/ SST201系列
典型特征（ 25_C除非另有说明）
传输特性
500
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
I
D
- 漏极电流（
m
A)
400
I
D
- 漏电流（mA ）
T
A
= –55_C
25_C
200
125_C
100
V
DS
= 10 V
1.6
T
A
= –55_C
1.2
25_C
0.8
2
传输特性
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
DS
= 10 V
300
0.4
125_C
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨导与栅源电压
1.5
g
fs
- 正向跨导（MS ）
g
fs
- 正向跨导（MS ）
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
1.2
T
A
= –55_C
0.9
25_C
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
4
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
3.2
2.4
T
A
= –55_C
1.6
25_C
0.6
125_C
0.3
0.8
125_C
0
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
200
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
10 V
R
L
+
I
D
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
W
)
2000
导通电阻与漏电流
160
A
V
=电压增益
1600
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
120
1200
80
–1.5 V
40
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
800
–1.5 V
400
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
4
Siliconix公司
P- 37995 -REV 。 D， 11 - 8 - 94
焦耳/ SST201系列
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
共源输入电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
C
RSS
- 逆向反馈电容（pF ）
5
共源逆向反馈电容
与栅源电压
F = 1 MHz的
C
国际空间站
- 输入电容（pF ）
8
4
6
V
DS
= 0 V
4
10 V
2
3
V
DS
= 0 V
2
1
10 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
输出电导与漏极电流
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
20
等效输入噪声电压与频率的关系
V
DS
= 10 V
g
os
- 输出电导（
m
S)
2.4
(
nV
/
√
Hz
)
16
I
D
@ 100
mA
1.8
T
A
= –55_C
0.8
25_C
0.4
125_C
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
12
e
n
- 噪声电压
8
V
GS
= 0 V
4
0
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
300
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
V
GS
= 0 V
1.0
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
240
I
D
- 漏极电流（
m
A)
–0.1
180
–0.2
120
–0.5
–0.3
–0.4
I
D
- 漏电流（mA ）
0.8
V
GS
= 0 V
0.6
–0.3
0.4
–0.6
60
0.2
–0.9
–1.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
- 漏源电压（ V）
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
Siliconix公司
P- 37995 -REV 。 D， 11 - 8 - 94
5
QQ：2881677436 复制
