焦耳/ SST174系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST174系列
低导通电阻
低栅工作电流
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏电压
栅极至源极电压
V
GDS
= 30V
V
GSS
= 30V
I
G
= -50mA
350mW
-55 ℃150℃
-55 135℃
的s
1 2 3
单P沟道
JFET开关
r
DS （ ON）
≤
85
I
D（关闭）
= 10PA
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
S
1
3
2
G
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ F）
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
特征
栅源击穿电压
门源正向电压
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
民
30
-0.7
0.01
0.01
-0.01
-1
1
nA
典型值
最大单位
V
条件
I
G
= 1μA ，V
DS
= 0V
I
G
= -1mA ，V
DS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DG
= -15V ，我
D
= -1mA
V
DS
= -15V, V
GS
= 10V
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
V
GS （ OFF ）
I
DSS
r
DS （ ON）
特征
门源
截止电压
漏极至源极
饱和电流
漏极至源极
抗性
J/SST174
民
5
-20
最大
10
-135
85
J/SST175
民
3
-7
最大
6
-70
125
J/SST176
民
1
-2
最大
4
-35
250
J/SST177
民
0.8
-1.5
最大
2.25
-20
300
单位
V
mA
条件
V
DS
= -15V ，我
D
= -10nA
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -0.1V
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
开关特性
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
典型值
10
15
10
20
ns
单位
条件
V
GS （ L）
= 0V
V
GS （H ）
= 10V
见开关
电路
开关电路
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1.2k
R
L
0.1F
R
G
7.5k
开关电路参数
J/SST174
V
DD
V
GG
R
L
R
G
I
D（上）
-10V
20V
560
100
-15mA
J/SST175
-6V
12V
750
220
-7mA
J/SST176
-6V
8V
1800
390
-3mA
J/SST177
-6V
5V
5600
390
-1mA
51
范围
51
1.2k
51
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
1.绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
2.脉冲试验：P
W
≤
300μS占空比： 3 ％
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
P沟道JFET的
J174
J175
J176
J177
SST174
SST175
SST176
SST177
产品概述
产品型号
J/SST174
J/SST175
J/SST176
J/SST177
V
GS （ OFF ）
(V)
5至10
3至6
1至4
0.8 2.25
r
DS （ ON）
最大值（W）的
85
125
250
300
I
D（关闭）
典型值（PA ）
–10
–10
–10
–10
t
ON
典型值（ NS ）
25
25
25
25
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： J174 <85
W
快速切换-T
ON
： 25纳秒
低漏： -10 pA的
低电容： 5 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
在J / SST174系列由P沟道模拟开关
设计为提供低导通电阻和快速切换。这
系列简化了串并联切换应用程序时，
结合Siliconix公司的J / SST111系列。
在TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装提供了一种低成本的
选项，而TO- 236 （ SOT -23 ）封装提供
表面贴装能力。无论是J和SST系列
在磁带和卷轴自动组装可用（见
包装信息） 。
TO-236
(SOT-23)
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
G
2
S
S
3
2
1
3
G
顶视图
顶视图
J174
J175
J176
J177
SST174 （S4） *
SST175 （S5） *
SST176 （S6） *
SST177 （S7） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN104 。
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
9-1
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
对于j / SST174和J / SST175规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST174
J/SST175
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= 1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= -15 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
45
30
5
–20
10
–135
1
30
3
–7
6
–70
1
V
mA
0.01
5
0.01
–0.01
–5
nA
–1
–1
85
–0.7
125
W
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= -15 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= -10 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
20
5
20
pF
nV/
√Hz的
4.5
20
85
125
mS
mS
W
开关
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ L）
= 0 V, V
GS （H ）
= 10 V
见开关电路
10
15
10
20
PSCIA
ns
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
www.vishay.com
9-2
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
对于j / SST176和J / SST177规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST176
J/SST177
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= 1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= -15 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
45
30
1
–2
4
–35
1
30
0.8
–1.5
2.25
–20
1
V
mA
0.01
5
0.01
–0.01
–5
nA
–1
–1
250
–0.7
300
W
V
动态
共源
正向跨导
共源输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= -15 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= -10 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
20
5
20
pF
nV/
√Hz的
4.5
20
250
300
mS
mS
W
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ L）
= 0 V, V
GS （H ）
= 10 V
见开关电路
10
15
10
20
PSCIA
ns
打开-O FF时间
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
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9-3
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
DSS
160
r
DS
120
–60
–80
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
15
g
fs
12
g
os
150
–100
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
18
g
fs
和G
os
@ V
DS
= –15 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
200
克操作系统 - 输出电导（
m
S)
250
80
–40
9
100
40
r
DS
@ I
D
= -1毫安，V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
–20
6
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
3
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
10
输出特性
–25
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–20
I D - 漏电流（mA ）
0.5 V
–15
1.0 V
–10
1.5 V
–5
2.0 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
V
GS
= 0 V
250
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
200
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
150
3V
100
5V
50
0
–1
–10
I
D
- 漏电流（mA ）
–100
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
–2
V
GS
= 0 V
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1.5 V
–1.6
I D - 漏电流（mA ）
0.5 V
1.0 V
–1.2
2.0 V
–0.8
240
300
导通电阻与温度
I
D
= -1毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
180
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
3V
120
5V
–0.4
V
GS （ OFF ）
= 3 V
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
60
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
T
A
- 温度（ _C ）
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
9-4
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通开关
50
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= -10 V ，R
G
= 220
W
V
GS （H ）
= 10 V, V
GS （ L）
= 0 V
40
16
5V
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
30
12
t
D（关闭）
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
8
5V
4
V
DD
= –10 V, V
GS （H ）
= 10 V, V
GS （ L）
= 0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
–3
–6
–9
–12
–15
20
t
f
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
关断开关
t
ON
@ I
D
= -5毫安
t
ON
@ I
D
= -10毫安
20
10
t
r
@ I
D
= -5毫安
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
I
D
- 漏电流（mA ）
电容与栅源电压
30
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
24
I G - 栅极漏
电容（pF）
100 nA的
10 nA的
栅极漏电流
I
D
= -1毫安
= 10毫安
1 nA的
T
A
= 125_C
I
GSS
@ 125_C
18
C
国际空间站
12
C
RSS
6
100 pA的
= 10毫安
10 pA的
T
A
= 25_C
= 1毫安
I
GSS
@ 25_C
1 pA的
0
0
4
8
12
16
20
0.1帕
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
传输特性
–40
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–32
I D - 漏电流（mA ）
Hz
V
DS
= –15 V
100
噪声电压与频率的关系
I
D
= -0.1毫安
恩 - 噪声电压内华达州/
–24
T
A
= –55_C
= 1毫安
10
–16
25_C
–8
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
= –10 V
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
9-5
焦耳/ SST174系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST174系列
低导通电阻
低栅工作电流
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏电压
栅极至源极电压
V
GDS
= 30V
V
GSS
= 30V
I
G
= -50mA
350mW
-55 ℃150℃
-55 135℃
的s
1 2 3
单P沟道
JFET开关
r
DS （ ON）
≤
85
I
D（关闭）
= 10PA
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
S
1
3
2
G
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ F）
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
特征
栅源击穿电压
门源正向电压
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
民
30
-0.7
0.01
0.01
-0.01
-1
1
nA
典型值
最大单位
V
条件
I
G
= 1μA ，V
DS
= 0V
I
G
= -1mA ，V
DS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DG
= -15V ，我
D
= -1mA
V
DS
= -15V, V
GS
= 10V
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
V
GS （ OFF ）
I
DSS
r
DS （ ON）
特征
门源
截止电压
漏极至源极
饱和电流
漏极至源极
抗性
J/SST174
民
5
-20
最大
10
-135
85
J/SST175
民
3
-7
最大
6
-70
125
J/SST176
民
1
-2
最大
4
-35
250
J/SST177
民
0.8
-1.5
最大
2.25
-20
300
单位
V
mA
条件
V
DS
= -15V ，我
D
= -10nA
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -0.1V
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
开关特性
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
典型值
10
15
10
20
ns
单位
条件
V
GS （ L）
= 0V
V
GS （H ）
= 10V
见开关
电路
开关电路
V
GS （H ）
V
GS （ L）
1.2k
R
L
0.1F
R
G
7.5k
开关电路参数
J/SST174
V
DD
V
GG
R
L
R
G
I
D（上）
-10V
20V
560
100
-15mA
J/SST175
-6V
12V
750
220
-7mA
J/SST176
-6V
8V
1800
390
-3mA
J/SST177
-6V
5V
5600
390
-1mA
51
范围
51
1.2k
51
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
1.绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
2.脉冲试验：P
W
≤
300μS占空比： 3 ％
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
P沟道JFET开关
公司
J174 - J177 / SST174 - SST177
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+135
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.3mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
低插入损耗
无偏移或错误生成通过闭合的开关
-
纯电阻
-
从驱动器高绝缘电阻
短采样和保持孔径时间
快速开关
模拟开关
菜刀
换向器
引脚配置
应用
订购信息
部分
SOT-23
G
TO-92
包
温度范围
J174-J177
塑料TO- 92
-55
o
C至+135
o
C
SST174-SST177
塑料SOT- 23
-55
o
C至+135
o
C
对于运营商排序筹码见2N5114系列。
D
S
S
摹
产品标识（ SOT -23 ）
SST174
P04
P05
P06
P07
SST175
SST176
SST177
5508
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号参数
门反转
当前
（注1 ）
门源
截止电压
门源
击穿
电压
漏
饱和
当前
（注2 ）
排水截止
当前
（注1 ）
漏源
抗性
汲极门
关闭
电容
源极 - 栅极
关闭
电容
汲极门
加源
门开
电容
开启延迟
时间
上升时间
延时关闭
时间
下降时间
5.5
5
J174
J175
J176
J177
单位
测试条件
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
I
GSS
1
1
1
1
nA
V
DS
= 0, V
GS
= 20V
V
GS （ OFF ）
10
3
6
1
4
0.8
2.25
V
V
DS
= -15V ，我
D
= -10nA
BV
GSS
30
30
30
30
V
DS
= 0, I
G
= 1A
I
DSS
-20
-135 -7
-70
-2
-35 -1.5
-20
mA
V
DS
= -15V, V
GS
= 0
I
D（关闭）
-1
-1
-1
-1
nA
V
DS
= -15V, V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
85
125
250
300
V
GS
= 0, V
DS
= -0.1V
C
DG （关闭）
5.5
5.5
5.5
V
DS
= 0,
V
GS
= 10V
C
SG （关闭）
5.5
5.5
5.5
5.5
pF
F = 1MHz的（注3）
C
DG （上）
+ C
SG （上）
32
32
32
32
V
DS
= V
GS
= 0
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
2
5
5
10
5
10
10
20
15
20
15
20
20
25
20
25
ns
开关时间测试条件
（注3）
J174
J175
J176
V
DD
-10V
-6V
-6V
V
GS （ OFF ）
12V
8V
3V
R
L
560 12k 5.6k
V
GS （ ON）
0V
0V
0V
J177
-6V
3V
10k
0V
注：1 。
大约增加一倍，每10
o
增加T中
A
.
2.
脉冲测试时间-300μs ;占空比
≤3%.
3.
仅供设计参考，未经100％测试。
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
P沟道JFET的
J174
J175
J176
J177
SST174
SST175
SST176
SST177
产品概述
产品型号
J/SST174
J/SST175
J/SST176
J/SST177
V
GS （ OFF ）
(V)
5至10
3至6
1至4
0.8 2.25
r
DS （ ON）
最大值（W）的
85
125
250
300
I
D（关闭）
典型值（PA ）
–10
–10
–10
–10
t
ON
典型值（ NS ）
25
25
25
25
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： J174 <85
W
快速切换-T
ON
： 25纳秒
低漏： -10 pA的
低电容： 5 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
在J / SST174系列由P沟道模拟开关
设计为提供低导通电阻和快速切换。这
系列简化了串并联切换应用程序时，
结合Siliconix公司的J / SST111系列。
在TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装提供了一种低成本的
选项，而TO- 236 （ SOT -23 ）封装提供
表面贴装能力。无论是J和SST系列
在磁带和卷轴自动组装可用（见
包装信息） 。
TO-236
(SOT-23)
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
G
2
S
S
3
2
1
3
G
顶视图
顶视图
J174
J175
J176
J177
SST174 （S4） *
SST175 （S5） *
SST176 （S6） *
SST177 （S7） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN104 。
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
9-1
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
对于j / SST174和J / SST175规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST174
J/SST175
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= 1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= -15 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
45
30
5
–20
10
–135
1
30
3
–7
6
–70
1
V
mA
0.01
5
0.01
–0.01
–5
nA
–1
–1
85
–0.7
125
W
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= -15 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= -10 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
20
5
20
pF
nV/
√Hz的
4.5
20
85
125
mS
mS
W
开关
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ L）
= 0 V, V
GS （H ）
= 10 V
见开关电路
10
15
10
20
PSCIA
ns
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
www.vishay.com
9-2
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
对于j / SST176和J / SST177规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST176
J/SST177
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= 1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= -15 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
45
30
1
–2
4
–35
1
30
0.8
–1.5
2.25
–20
1
V
mA
0.01
5
0.01
–0.01
–5
nA
–1
–1
250
–0.7
300
W
V
动态
共源
正向跨导
共源输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= -15 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= -10 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
20
5
20
pF
nV/
√Hz的
4.5
20
250
300
mS
mS
W
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ L）
= 0 V, V
GS （H ）
= 10 V
见开关电路
10
15
10
20
PSCIA
ns
打开-O FF时间
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
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9-3
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
DSS
160
r
DS
120
–60
–80
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
15
g
fs
12
g
os
150
–100
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
18
g
fs
和G
os
@ V
DS
= –15 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
200
克操作系统 - 输出电导（
m
S)
250
80
–40
9
100
40
r
DS
@ I
D
= -1毫安，V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
–20
6
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
3
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
10
输出特性
–25
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–20
I D - 漏电流（mA ）
0.5 V
–15
1.0 V
–10
1.5 V
–5
2.0 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
V
GS
= 0 V
250
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
200
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
150
3V
100
5V
50
0
–1
–10
I
D
- 漏电流（mA ）
–100
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
–2
V
GS
= 0 V
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1.5 V
–1.6
I D - 漏电流（mA ）
0.5 V
1.0 V
–1.2
2.0 V
–0.8
240
300
导通电阻与温度
I
D
= -1毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
180
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
3V
120
5V
–0.4
V
GS （ OFF ）
= 3 V
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
60
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
T
A
- 温度（ _C ）
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
9-4
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通开关
50
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= -10 V ，R
G
= 220
W
V
GS （H ）
= 10 V, V
GS （ L）
= 0 V
40
16
5V
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
30
12
t
D（关闭）
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
8
5V
4
V
DD
= –10 V, V
GS （H ）
= 10 V, V
GS （ L）
= 0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
–3
–6
–9
–12
–15
20
t
f
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
关断开关
t
ON
@ I
D
= -5毫安
t
ON
@ I
D
= -10毫安
20
10
t
r
@ I
D
= -5毫安
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
I
D
- 漏电流（mA ）
电容与栅源电压
30
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
24
I G - 栅极漏
电容（pF）
100 nA的
10 nA的
栅极漏电流
I
D
= -1毫安
= 10毫安
1 nA的
T
A
= 125_C
I
GSS
@ 125_C
18
C
国际空间站
12
C
RSS
6
100 pA的
= 10毫安
10 pA的
T
A
= 25_C
= 1毫安
I
GSS
@ 25_C
1 pA的
0
0
4
8
12
16
20
0.1帕
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
传输特性
–40
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–32
I D - 漏电流（mA ）
Hz
V
DS
= –15 V
100
噪声电压与频率的关系
I
D
= -0.1毫安
恩 - 噪声电压内华达州/
–24
T
A
= –55_C
= 1毫安
10
–16
25_C
–8
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
= –10 V
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
9-5
SST176
P沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST176
该SST176是单P沟道JFET开关
此p沟道模拟开关被设计为提供低
导通电阻和快速切换。当使用
与免费组合/ SST111正
通道家族中， SST176简化了串并联
切换应用程序
.
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXSST176
低导通电阻
低栅工作电流
快速开关
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
GateCurrent(Note1)
最大电压不
栅漏电压
门源电压
r
DS （ ON） =
≤250Ω
I
D（关闭）
=10pA
t
（上）
25ns
SST176优点：
‐55°Cto+150°C
‐55°Cto+135°C
350mW
I
G
=‐50mA
V
GDS
=30V
V
GSS
=30V
SST176应用：
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
SST176ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
BV
GSS
门源击穿电压
30
‐‐
V
GS （ F）
门源正向电压
‐‐
‐0.7
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
1
‐‐
I
DSS
漏极至源极饱和电流
‐2
‐‐
I
GSS
门反向电流
‐‐
0.01
I
G
门工作电流
‐‐
0.01
I
D（关闭）
排水截止电流
‐‐
‐0.01
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
SST176SWITCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
单位“
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
10
15
10
20
ns
点击购买
nA
Ω
条件“
V
GS
(L)=0V
V
GS
(H)=10V
见开关电路
MAX`
‐‐
‐‐
4
‐35
1
‐‐
‐1
250
单位“
V
条件“
I
G
=‐1A,V
DS
=0V
I
G
=‐1mA,V
DS
=0V
V
DS
=‐15V,I
D
=‐10nA
V
DS
=‐15V,V
GS
=0V
V
GS
=20V,V
DS
=0V
V
DG
=‐15V,I
D
=‐1mA
V
DS
=‐15V,V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=‐0.1V
Note1‐AbsolutemaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichSST176serviceabilitymaybeimpaired.
SST176SWITCHINGCIRCUITPARAMETERSSWITCHINGCIRCUIT
SOT- 23 （顶视图）
V
DD
‐6V
V
GG
8V
R
L
1800Ω
R
G
390Ω
I
D（上）
‐3mA
Micross组件
欧洲
可用的软件包：
SST176采用SOT -23
SST176裸片。
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
请联系Micross全
包装及模具尺寸
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担
供其使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：
chipcomponents@micross.com
网址：
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QQ：2880707522 复制
