【焦耳/ SST111系列N沟道JFET的J111J112J113产品概述型号VGS （ OFF ）(】,IC型号SST112-T1,SST112-T1 PDF资料,SST112-T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

焦耳/ SST111系列

N沟道JFET的

J111

J112

J113

产品概述

型号V

GS （ OFF ）

(V)

J/SST111

J/SST112

J/SST113

-3至-10

-1至-5

v–3

SST111

SST112

SST113

r

DS （ ON）

最大值（W）的

30

50

100

I

D（关闭）

典型值（PA ）

5

t

ON

典型值（ NS ）

4

特点

D

低导通电阻： 111 < 30

W

快速切换-T

ON

： 4纳秒

低漏： 5 pA的

低电容3 pF的

低插入损耗

好处

D

低电压错误

高速模拟电路的性能

可以忽略不计“关错误”，出色的精度

良好的频率响应，低毛刺

消除了额外的缓冲

应用

D

模拟开关

菜刀

采样和保持

通常情况下“开”开关

限流

描述

在J / SST111系列包括全功能的模拟开关

设计为支持一个宽范围的应用。该

焦耳/ SST113是在一个高增益放大器模式是有用的。

J系列， TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装，提供

成本低，而将SST系列， TO236 （ SOT-23 ）封装，

提供表面贴装能力。无论是J和SST系列

在带与卷筒的自动组装功能（见

包装信息）。

TO- 226AA （ TO-92 ）

D

1

TO- 236 （ SOT -23 ）

对于同类产品采用TO- 206AA （ TO- 18 ）封装，见

在2N / PN / SST4391系列， 2N4856A / 4857A / 4858A和

2N5564 / 5566分之5565 （对偶）的数据表。

D

1

3

G

S

2

S

2

G

3

顶视图

J111

J112

J113

SST111 （C1） *

SST112 （C2） *

SST113 （C3） *

*标识代码为TO- 236

更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70232 。

应用程序的信息，也可以通过FaxBack获得，请求文件＃ 70598 。

Siliconix公司

S- 52424 -REV 。 D， 14 -APR- 97

1

焦耳/ SST111系列

绝对最大额定值

栅极 - 漏极，栅源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -35 V

栅极电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

焊接温度（

1

/

16

“从壳体为10秒）。。。。。。。。。。 300

_C

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55至150_C

工作结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55至150_C

功耗

a

（TO- 236）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 350毫瓦

（TO- 226AA ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 360毫瓦

笔记

一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C

特定网络阳离子

a

范围

J/SST111

J/SST112

J/SST113

参数

STATIC

栅极 - 源

击穿电压

栅源截止电压

饱和漏极电流

c

门反向电流

门工作电流

排水截止电流

漏源导通电阻

门源正向电压

符号

测试条件

典型值

b

民

最大

民

最大

民

最大

单位

V

（ BR ） GSS

V

GS （ OFF ）

I

DSS

I

GSS

I

G

I

D（关闭）

r

DS （ ON）

V

GS （ F）

I

G

= –1

mA

, V

DS

= 0 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 1

mA

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= –15 V, V

DS

= 0 V

T

A

= 125_C

V

DG

= 15 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 5 V, V

GS

=

-10

V

T

A

= 125_C

V

GS

= 0 V, V

DS

= 0.1 V

I

G

= 1毫安， V

DS

= 0 V

–55

–35

–3

20

–10

–35

–1

5

–1

–5

–35

V

–3

2

–1

nA

mA

–0.005

–3

–5

0.005

3

pA

1

nA

30

50

100

W

V

0.7

动态

共源转发

跨

共源

输出电导

漏源导通电阻

共源

输入电容

共源反向

传输电容

等效输入

噪声电压

g

fs

g

os

r

DS （ ON）

C

国际空间站

C

RSS

e

n

V

DG

= 10 V，I

D

= 1毫安

F = 1千赫

V

GS

= 0 V，I

D

= 0毫安

F = 1千赫

,

V

DS

= 0 V, V

GS

=

-10

V

兆赫

F = 1 MH

7

3

6

V

DS

= 20 V，I

D

= 1毫安

,

F = 1的kH

千赫

25

30

12

5

50

12

5

100

12

pF

5

nV/

√Hz的

mS

W

开关

开启时间

t

D（上）

t

r

打开-O FF时间

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 10 V, V

GS （H ）

= 0 V

GS （）

见开关电路

S S小就喜其词

2

ns

6

15

NCB

笔记

一。牛逼

A

= 25_C除非另有说明。

B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。脉冲测试： PW

v300

ms

占空比

v3%.

2

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焦耳/ SST111系列

典型特征

100

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

W

)

导通电阻和漏电流

与门源截止电压

r

DS

@ I

D

= 1毫安， V

GS

= 0

I

DSS

@ V

DS

= 20 V, V

GS

= 0

200

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

W

)

I

DSS

- 饱和漏极电流（mA ）

100

导通电阻与漏电流

T

A

= 25_C

80

r

DS

I

DSS

160

80

V

GS （ OFF ）

= –2 V

60

120

60

40

80

40

–4 V

–8 V

20

40

20

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

1

10

I

D

- 漏电流（mA ）

100

导通电阻与温度

200

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

W

)

I

D

= 1毫安

r

DS

改变X 0.7 ％ / _

160

切换时间（纳秒）

5

导通开关

t

r

大约独立的我

D

V

DD

= 5 V ，R

G

= 50

W

V

GS （ L）

= –10 V

t

r

4

120

V

GS （ OFF ）

= –2 V

3

t

D（上）

@

I

D

= 12毫安

2

80

–4 V

–8 V

40

1

t

D（上）

@

I

D

= 3毫安

0

–55 –35

–15

5

25

45

65

85 105

125

T

A

- 温度（ _C ）

30

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

30

关断开关

t

D（关闭）

独立设备的V

GS （ OFF ）

V

DD

= 5 V, V

GS （ L）

= –10 V

电容与栅源电压

F = 1 MHz的

24

切换时间（纳秒）

电容（pF）

24

18

t

f

@

V

GS （ OFF ）

= –2 V

18

12

t

D（关闭）

6

t

f

@

V

GS （ OFF ）

= –8 V

0

2

4

6

8

10

I

D

- 漏电流（mA ）

12

C

国际空间站

@ V

DS

= 0 V

6

C

RSS

@ V

DS

= 0 V

0

–4

–8

–12

–16

–20

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

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3

焦耳/ SST111系列

典型特征（续）

100

噪声电压与频率的关系

g

fs

- 正向跨导（MS ）

V

DS

= 10 V

正向跨导和输出电导

与门源截止电压

50

500

g

fs

和G

os

@ V

DS

= 20 V

V

GS

= 0 V ， F = 1千赫

g

os

- 输出电导（

m

S)

40

g

fs

30

g

os

250

20

e

n

- 噪声电压

(

nV

/

√

Hz

)

10

I

D

= 1毫安

I

D

= 10毫安

10

1

10

100

1k

的F - 频率（Hz）

10 k

100 k

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

栅极漏电流

10 nA的

T

A

= 125_C

I

D

= 10毫安

1毫安

100 pA的

（女士）

1毫安

10 pA的

T

A

= 25_C

1 pA的

10毫安

I

GSS

@ 25_C

I

GSS

@ 125_C

100

共栅输入导纳

V

DG

= 10 V

I

D

= 10毫安

T

A

= 25_C

1 nA的

I

G

- 栅极泄漏

g

ig

10

b

ig

1

0.1帕

0

6

12

18

24

30

V

DG

- 漏极 - 栅极电压（V ）

0.1

100

200

500

1000

的F - 频率（MHz ）

共栅极正向导纳

100

V

DG

= 10 V

I

D

= 10毫安

T

A

= 25_C

–g

fg

10

（女士）

g

fg

b

fg

1.0

10

共栅反转导纳

V

DG

= 10 V

I

D

= 10毫安

T

A

= 25_C

–b

rg

+g

rg

0.1

–g

rg

1

0.1

100

200

500

1000

的F - 频率（MHz ）

0.01

100

200

500

1000

的F - 频率（MHz ）

4

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焦耳/ SST111系列

典型特征（续）

共栅输出导纳

100

V

DG

= 10 V

I

D

= 10毫安

T

A

= 25_C

b

og

10

（女士）

I

D

- 漏电流（mA ）

100

输出特性

V

GS （ OFF ）

= –4 V

80

60

V

GS

= 0 V

–0.5

g

og

1

40

–1.0

–1.5

20

–2.0

–2.5

0

2

4

6

8

10

0.1

100

200

500

1000

的F - 频率（MHz ）

0

V

DS

- 漏源电压（ V）

40

输出特性

V

GS （ OFF ）

= –4 V

100

传输特性

V

GS （ OFF ）

= –4 V

V

DS

= 20 V

32

I

D

- 漏电流（mA ）

I

D

- 漏电流（mA ）

V

GS

= 0 V

24

–0.5

–1.0

16

–1.5

–2.0

8

–2.5

–3.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

- 漏源电压（ V）

80

T

A

= –55_C

60

25_C

40

20

125_C

0

–1

–2

–3

–4

–5

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

开关时间测试电路

J/SST111

V

GS （ L）

R

L

*

I

D（上）

*无感

–12 V

800

W

12毫安

J/SST112

–7 V

1600

W

6毫安

J/SST113

–5 V

3200

W

3毫安

V

GS （H ）

V

DD

R

L

OUT

输入脉冲

上升时间< 1纳秒

下降时间< 1纳秒

脉冲宽度为100ns

PRF 1兆赫

采样示波器

上升时间0.4纳秒

输入阻抗10兆瓦

输入电容1.5 pF的

V

GS （ L）

1 KW

V

GS

范围

51

W

51

W

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5