焦耳/ SST108系列
低噪声单
线性集成系统
特点
直接替代Siliconix的焦耳/ SST : 108 , 109 , 110 , 110A &
低导通电阻
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C(除非另有说明)
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏或来源
-25V
50mA
350mW
-55 ℃150℃
-55 ℃150℃
1
N沟道JFET开关
r
DS ( ON)
≤
8
t
ON
≤
4ns
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
1
3
S摹
1 2 3
G
S
2
静态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
BV
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS ( F)
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
排水截止电流
漏极至源极
抗性
108, 109, 110
110A
2
典型值
J/SST108
民
-25
-3
-10
最大
J/SST109
民
-25
-2
40
-6
最大
J/SST110
民
-25
-0.5
10
-4
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ,V
DS
= 0V
V
mA
V
DS
= 5V ,我
D
= 1A
I
G
= 1mA时, V
DS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DS
= 5V, V
GS
= -10V
0.7
80
-0.01
-0.01
0.02
3
8
3
12
3
18
25
-3
-3
-3
nA
V
GS
= 0V, V
DS
≤
0.1V
动态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
g
fs
g
os
r
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
e
n
特征
正向跨导
输出电导
漏极至源极导通电阻
输入电容
反向传输
电容
SST
J
SST
J
60
60
11
11
3.5
15
15
15
纳伏/赫兹÷
典型值
17
0.6
J/SST108
民
最大
J/SST109
民
最大
J/SST110
民
最大
单位
mS
条件
V
DS
= 5V ,我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
V
GS
= 0V时,我
D
= 0A
f
= 1kHz时
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V
f
= 1MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 5V ,我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
8
12
18
85
85
85
pF
等效输入噪声电压
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
开关特性
符号。
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
启动时间
关闭时间
典型值
3
1
4
18
ns
V
DD
= 1.5V
V
GS (H )
= 0V
单位
条件
切换测试电路
V
DD
V
GS (H )
V
GS ( L)
R
L
OUT
开关电路特性
符号。
V
GS ( L)
R
L
I
D(上)
J/SST108
-12V
150
10mA
J/SST109
-7V
150
10mA
J/SST110
-5V
150
10mA
1k
51
51
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
0.013
0.100
1
2
3
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试: PW
≤
300μS ,占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则,根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
N沟道JFET开关
公司
J108 - J110 / SST108 - SST110
特点
低成本
自动插入套餐
低插入损耗
无偏移或误差电压生成的闭合的开关
纯电阻
从驱动器高绝缘电阻
快速开关
低噪音
应用
模拟开关
菜刀
换向器
低噪声音频放大器
引脚配置
SOT-23
G
TO-92
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+135
o
C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.3mW /
o
C
注意:
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
D
S
G
S
5018
产品标识( SOT -23 )
SST108
I
08
SST109
I
09
SST110
I
10
订购信息
部分
包
J108-110
塑料TO- 92
XJ108-110
在运营商排序芯片
SST109-110塑料SOT- 23
温度范围
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+135
o
C
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
GSS
V
GS ( OFF )
BV
GSS
I
DSS
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
C
DG (关闭)
C
SG (关闭)
C
DG (上)
+ C
SG (上)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
参数
门反向电流(注1 )
栅源截止电压
栅源击穿电压
漏极饱和电流(注2)
排水截止电流(注1 )
漏源导通电阻
漏极 - 栅极关断电容
源极 - 栅极关断电容
漏门加源门
在电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
108
109
110
单位
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
-3
-3
-3
nA
-3
-10
-2
-6
-0.5
-4
V
-25
-25
-25
80
40
10
mA
3
3
3
nA
8
12
18
15
15
15
15
85
4
1
6
30
4
1
6
30
15
85
4
1
6
30
15
85
pF
测试条件
V
DS
= 0V, V
GS
= -15V
V
DS
= 5V ,我
D
= 1A
V
DS
= 0V时,我
G
= -1A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 5V, V
GS
= -10V
V
DS
≤0.1V,
V
GS
= 0V
V
DS
= 0,
V
GS
= -10V
(注3)
F = 1MHz的
V
DS
= V
GS
= 0
(注3)
开关时间测试
条件(注3 )
J107
J109
J110
V
DD
1.5V
1.5V
1.5V
V
GS ( OFF )
-12V
-7V
-5V
R
L
150 150 150
ns
注:1 。
大约增加一倍,每10
o
增加T中
A
.
2.
脉冲测试持续时间= 300μS ;占空比
≤3%.
3.
仅供设计参考,未经100%测试。
焦耳/ SST108系列
低噪声单
线性集成系统
特点
直接替代Siliconix的焦耳/ SST : 108 , 109 , 110 , 110A &
低导通电阻
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C(除非另有说明)
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏或来源
-25V
50mA
350mW
-55 ℃150℃
-55 ℃150℃
1
N沟道JFET开关
r
DS ( ON)
≤
8
t
ON
≤
4ns
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
1
3
S摹
1 2 3
G
S
2
静态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
BV
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS ( F)
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
排水截止电流
漏极至源极
抗性
108, 109, 110
110A
2
典型值
J/SST108
民
-25
-3
-10
最大
J/SST109
民
-25
-2
40
-6
最大
J/SST110
民
-25
-0.5
10
-4
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ,V
DS
= 0V
V
mA
V
DS
= 5V ,我
D
= 1A
I
G
= 1mA时, V
DS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
D
= 10毫安
V
DS
= 5V, V
GS
= -10V
0.7
80
-0.01
-0.01
0.02
3
8
3
12
3
18
25
-3
-3
-3
nA
V
GS
= 0V, V
DS
≤
0.1V
动态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
g
fs
g
os
r
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
e
n
特征
正向跨导
输出电导
漏极至源极导通电阻
输入电容
反向传输
电容
SST
J
SST
J
60
60
11
11
3.5
15
15
15
纳伏/赫兹÷
典型值
17
0.6
J/SST108
民
最大
J/SST109
民
最大
J/SST110
民
最大
单位
mS
条件
V
DS
= 5V ,我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
V
GS
= 0V时,我
D
= 0A
f
= 1kHz时
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V
f
= 1MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 5V ,我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
8
12
18
85
85
85
pF
等效输入噪声电压
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
开关特性
符号。
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
启动时间
关闭时间
典型值
3
1
4
18
ns
V
DD
= 1.5V
V
GS (H )
= 0V
单位
条件
切换测试电路
V
DD
V
GS (H )
V
GS ( L)
R
L
OUT
开关电路特性
符号。
V
GS ( L)
R
L
I
D(上)
J/SST108
-12V
150
10mA
J/SST109
-7V
150
10mA
J/SST110
-5V
150
10mA
1k
51
51
TO-92
0.175
0.195
0.130
0.155
0.045
0.060
0.170
0.195
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
0.013
0.100
1
2
3
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试: PW
≤
300μS ,占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则,根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
焦耳/ SST108系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
J108
J109
J110
产品概述
产品型号
J/SST108
J/SST109
J/SST110
SST108
SST109
SST110
V
GS ( OFF )
(V)
-3至-10
± 2 ± 6
-0.5 -4
r
DS ( ON)
最大值(W)的
8
I
D(关闭)
典型值(PA )
20
20
20
t
ON
典型值( NS )
4
4
4
12
18
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻: J108 <8
W
快速切换-T
ON
: 4纳秒
低泄漏: 20 pA的
低电容: 11 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
在J / SST108系列的设计与高性能
模拟开关记的应用程序。它具有低
的导通电阻,良好的关断隔离,和快速切换。
该SST108系列包括表面贴装
设备为特色的低R
DS ( ON)
任何TO- 236
( SOT -23 ) JFET器件。
在TO- 226AA ( TO- 92 )塑料封装提供了一个
低成本的选择。无论是J和SST系列可用
在磁带和卷轴自动组装(见包装
信息) 。
对于包装在同类产品
TO- 206AC ( TO- 52 ) ,见2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三数据
表。
TO-226AA
(TO-92)
TO-236
(SOT-23)
D
1
D
1
3
G
S
2
S
2
G
3
顶视图
SST108 ( I8 ) *
SST109 ( I9 ) *
SST110 ( I0 ) *
*标识代码为TO- 236
顶视图
J108, J109, J110
文档编号: 70231
S- 04028 -REV 。 E, 04军, 01
www.vishay.com
7-1
焦耳/ SST108系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极,栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度(
1
/
16
“从案例10秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
规格(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
范围
J/SST108
J/SST109
J/SST110
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源
导通电阻
栅极 - 源
正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
( BR ) GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
V
GS ( F)
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 1
mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 10 V,I
D
= 10毫安
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
v
0.1 V
I
G
= 1毫安, V
DS
= 0 V
–32
–25
–3
80
–10
–25
–2
40
–3
–3
–6
–25
V
–0.5
10
–3
–4
mA
–0.01
–5
–0.01
0.02
1.0
nA
3
3
3
8
0.7
12
18
W
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源
导通电阻
共源
输入电容
共源反向
传输电容
等效输入
噪声电压
g
fs
V
DS
= 5 V,I
D
= 10 mA时, F = 1千赫
g
os
r
DS ( ON)
C
国际空间站
V
GS
= 0 V,I
D
= 0毫安中,f = 1千赫
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 0 V
V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
SST
J系列
SST
J系列
60
60
11
11
3.5
15
15
15
nV/
√Hz的
85
85
85
pF
0.6
8
17
mS
12
18
W
C
RSS
e
n
V
DG
= 5 V,I
D
= 10毫安
F = 1千赫
开关
开启时间
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 1.5 V, V
GS (H )
= 0 V
见切换图
3
1
4
18
NIP
ns
打开-O FF时间
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试: PW
v300
ms
占空比
v3%.
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7-2
文档编号: 70231
S- 04028 -REV 。 E, 04军, 01
焦耳/ SST108系列
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
20
r
DS ( ON)
- 漏源导通电阻(
)
1000
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
16
800
r
DS ( ON)
- 漏源导通电阻(
)
50
I
DSS
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
r
DS
@ I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
- 饱和漏极电流(mA )
40
V
GS ( OFF )
= –2 V
30
12
r
DS
600
8
I
DSS
400
20
–4 V
10
–8 V
0
1
10
I
D
- 漏电流(mA )
100
4
200
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS ( OFF )
- 栅极 - 源截止电压(V)的
0
导通电阻与温度
40
r
DS ( ON)
- 漏源导通电阻(
)
I
D
= 10毫安
r
DS
改变X 0.7 % / _
32
- 漏电流(mA )
V
GS ( OFF )
= –2 V
24
80
100
输出特性
V
GS ( OFF )
= –2 V
60
V
GS
= 0 V
–0.2 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
16
–4 V
8
–8 V
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
I
D
0
0
2
4
6
8
10
T
A
- 温度( _C )
V
DS
- 漏源电压( V)
导通开关
5
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 1.5 V ,R
G
= 50
V
GS ( L)
= –10 V
切换时间(纳秒)
30
关断开关
t
D(关闭)
独立
器件的V
GS ( OFF )
V
DD
= 1.5 V, V
GS ( L)
= –10 V
24
t
f
18
V
GS
(
OFF )
= –2 V
4
Switchng时间(纳秒)
3
t
D(上)
@ I
D
= 10毫安
t
D(上)
@ I
D
= 25毫安
2
12
V
GS ( OFF )
= –8 V
1
t
r
6
t
D(关闭)
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS ( OFF )
- 栅极 - 源截止电压(V)的
0
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流(mA )
文档编号: 70231
S- 04028 -REV 。 E, 04军, 01
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7-3
焦耳/ SST108系列
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
电容与栅源电压
100
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
80
电容(pF)
100
V
GS ( OFF )
= –4 V
g
fs
- 正向跨导(MS )
跨导主场迎战漏电流
60
T
A
= –55_C
10
25_C
125_C
40
C
国际空间站
20
C
RSS
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
1
10
I
D
- 漏电流(mA )
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
200
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V , F = 1千赫
160
40
50
100
噪声电压与频率的关系
V
DS
= 5 V
g
os
- 输出电导( μS )
g
fs
- 正向跨导(MS )
120
g
fs
30
恩 - 噪声电压内华达州/
Hz
10
I
D
= 10毫安
80
g
os
20
40
10
40毫安
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
V
GS ( OFF )
- 栅极 - 源截止电压(V)的
0
1
10
100
1k
的F - 频率(Hz)
10 k
100 k
栅极漏电流
100 nA的
T
A
= 125_C
10 nA的
- 栅极泄漏
100
普通门输入导纳
g
ig
5毫安
I
D
= 10毫安
10
1 nA的
1毫安
I
GSS
@ 125_C
100 pA的
T
A
= 25_C
10 pA的
10毫安
1毫安
I
GSS
@ 25_C
1 pA的
0
4
8
12
16
20
0.1
10
20
50
100
V
DG
- 漏极 - 栅极电压(V )
的F - 频率(MHz )
5毫安
(女士)
1
I
G
b
ig
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
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7-4
文档编号: 70231
S- 04028 -REV 。 E, 04军, 01
焦耳/ SST108系列
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
普通门正向纳
100
–g
fg
10
常见的反向门纳
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
10
(女士)
(女士)
1.0
–g
rg
–b
rg
b
fg
1
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
0.1
10
20
的F - 频率(MHz )
50
100
0.1
0.01
10
20
50
100
的F - 频率(MHz )
共栅极输出导纳
100
T
A
= 25_C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20毫安
10
b
og
(女士)
g
og
1
0.1
10
20
的F - 频率(MHz )
50
100
开关时间测试电路
J/SST108
V
GS (L
)
R
L
*
I
D(上)
*无感
–12 V
150
W
10毫安
V
DD
焦耳/ SST
1
09
–7 V
150
W
10毫安
J/SST110
–5 V
150
W
10毫安
V
GS (H )
V
GS ( L)
R
L
OUT
输入脉冲
上升时间< 1纳秒
下降时间< 1纳秒
脉冲宽度为100ns
PRF 1兆赫
采样示波器
上升时间0.4纳秒
输入阻抗10兆瓦
输入电容1.5 pF的
V
IN
范围
1 k
51
51
文档编号: 70231
S- 04028 -REV 。 E, 04军, 01
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7-5
SST108
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix SST108
这n沟道JFET的低噪音高优化
高性能交换。的部分是特别合适的
在低噪声音频放大器使用。采用SOT -23
包是非常适合于成本敏感的应用
和大批量生产。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXSST108
低导通电阻
r
DS ( ON) =
≤8Ω
快速开关
t
(上)
≤4ns
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
‐55°Cto+150°C
SST108优点:
工作结温
‐55°Cto+150°C
低导通电阻
最大功率耗散
低插入损耗
连续功率耗散
350mW
低噪音
最大电流
SST108应用:
GateCurrent(Note1)
50mA
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
=‐25V
菜刀
门源电压
V
GSS
=‐25V
SST108ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
‐‐
‐‐
I
G
=1A,V
DS
=0V
V
GS ( OFF )
门源截止电压
‐3
‐‐
‐10
V
DS
=5V,I
D
=1A
V
V
GS ( F)
门源正向电压
‐‐
0.7
‐‐
I
G
=1mA,V
DS
=0V
I
DSS
DraintoSourceSaturationCurrent(Note2)
80
‐‐
‐‐
mA
V
DS
=15V,V
GS
=0V
I
GSS
门反向电流
‐‐
‐0.01
‐3
V
GS
=‐15V,V
DS
=0V
nA
I
G
门工作电流
‐‐
‐0.01
‐‐
V
DG
=10V,I
D
=10mA
I
D(关闭)
排水截止电流
‐‐
0.02
3
V
DS
=5V,V
GS
=‐10V
r
DS ( ON)
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
8
Ω
V
GS
=0V,V
DS
≤0.1V
SST108DYNAMICELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
g
fs
正向跨导
‐‐
17
‐‐
mS
V
DS
=5V,I
D
=10mA,f=1kHz
g
os
输出电导
‐‐
0.6
‐‐
r
DS ( ON)
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
8
Ω
V
GS
=0V,I
D
=0A,f=1kHz
C
国际空间站
输入电容
‐‐
60
‐‐
V
DS
=0V,V
GS
=0V,f=1MHz
pF
C
RSS
反向传输电容
‐‐
11
‐‐
V
DS
=0V,V
GS
=‐10V,f=1MHz
e
n
等效噪声电压
‐‐
3.5
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DS
=5V,I
D
=10mA,f=1kHz
SST108SWITCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
点击购买
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
3
1
4
18
ns
V
DD
=1.5V
V
GS
(H)=0V
见开关电路
可用的软件包:
SST108采用SOT -23
SST108裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 (顶视图)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
注1 - 绝对最大额定值的限制值,超过该SST108适用性可能受到损害。注2 - 脉冲测试: PW≤ 300微秒,占空比≤ 3 %
SST108SWITCHINGCIRCUITPARAMETERS
‐12V
R
L
150Ω
I
D(上)
10mA
Micross组件欧洲
V
GS ( L)
切换测试电路
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
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