固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSR2008M ， SSR2008Z
SSR2009M ， SSR2009Z
SSR2010M ， SSR2010Z
20安培
100伏
肖特基
整流电路
TO-254
TO-254Z
设计师的数据表
产品特点：
PIV ： 100伏
低反向漏电流
低正向压降
保护环，过电压保护
隔离密封包装
可在玻璃或陶瓷密封封装
自定义引线成形可用
共晶芯片粘接
175
°
C的工作结温
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
可以在以下配置：
TO- 254 ：
SSR2008M ， SSR2008MUB ， SSR2008MDB ， SSR2009M ， SSR2009MUB ， SSR2009MDB ，
SSR2010M ， SSR2010MUB ， SSR2010MDB 。
TO- 254Z ：
SSR2008Z ， SSR2008ZUB ， SSR2008ZDB ， SSR2009Z ， SSR2009ZUB ， SSR2009ZDB ，
SSR2010Z ， SSR2010ZUB ， SSR2010ZDB
2/
最大额定值
符号
SSR2008M &
SSR2009M &
SSR2010M &
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
θ
JC
价值
80
90
100
20
300
-65到+175
1.0
单位
伏
安培
安培
°
反向重复峰值电压和
阻断电压DC
平均正向电流整流
1/ 3/
（阻性负载， 60赫兹，正弦波，T
C
= 25
°
C)
峰值浪涌电流
3/
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波，T
A
= 25
°
C)
工作和存储温度
最大热阻
（结点到外壳）
注意：
3/
C
°
C / W
1/
2/
3/
线性降额在1A /
°
对于T
C
> 155
°
C.
所有的电气特性@ 25
°
C，除非另有规定ED 。
引脚2和3外部相连
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： RS0091H
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSR2008M ， SSR2008Z
SSR2009M ， SSR2009Z
SSR2010M ， SSR2010Z
符号
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
T
A
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
F1
V
F2
V
F3
V
F4
I
R1
I
R2
C
J
电气特性
2/
（每站）
正向电压降
（ 300 - 500微秒脉冲）
正向电压降
(T
A
= -55
°
C， 300 - 500微秒脉冲）
反向漏电流
（额定V
R
， 300μS脉冲最小值）
结电容
(V
R
= 10 V ， F = 1MHz的，T
A
= 25
°
C)
案例外形： TO- 254 （后缀M）
最大
0.75
0.82
0.85
0.85
200
10
800
单位
伏
伏
A
mA
pF
案例外形： TO- 254Z （后缀Z）
3脚
销2
3脚
销1
销2
销1
可选引脚弯曲配置
功能
4/
整流器器
引脚分配
销1
销2
阴极
阳极
3脚
阳极
后缀MD & ZD
SUFFUX MU & ZU
注意：
4/
针脚2和3的外部连接以获得最佳性能。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： RS0091H
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSR2008M ， SSR2008Z
SSR2009M ， SSR2009Z
SSR2010M ， SSR2010Z
20安培
100伏
肖特基
整流电路
产品特点：
PIV ： 100伏
低反向漏电流
低正向压降
保护环，过电压保护
隔离密封包装
可在玻璃或陶瓷密封封装
自定义引线成形可用
共晶芯片粘接
175
°
C的工作结温
TX ， TXV和空间层次筛选
可用的
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SSR20 __ __ __ __
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
└
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
└
│
│
│
│
│
│
└
└
筛选
2/
__
=不屏蔽
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
铅选项
__ =直导线，
DB =弯下腰
UB =向上弯曲
M = TO- 254
Z = TO- 254Z
包
电压/家庭
08 = 80V
09 = 90V
10 = 100V
最大额定值
3/
反向重复峰值电压和
阻断电压DC
平均正向电流整流
1/4/
（阻性负载， 60赫兹，正弦波，T
C
= 25
°
C)
峰值浪涌电流
4/
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波，T
A
= 25
°
C)
工作和存储温度
最大热阻
4/
（结点到外壳）
注意：
1/
2/
3/
4/
线性降额在1A / C对于T
C
> 155℃
筛选基于MIL- PRF- 19500 。流动筛查可应要求提供。
所有的电气特性@ 25
°
C，除非另有规定编
引脚2和3外部相连
°
°
符号
SSR2008M &
SSR2009M &
SSR2010M &
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
TO-254
价值
80
90
100
20
300
-65到+175
1.2
单位
伏
安培
安培
°
C
°
C / W
TO-254Z
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： RS0091J
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSR2008M ， SSR2008Z
SSR2009M ， SSR2009Z
SSR2010M ， SSR2010Z
符号
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
T
A
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
F1
V
F2
V
F3
V
F4
I
R1
I
R2
C
J
电气特性
3/
（每站）
正向电压降
（ 300 - 500微秒脉冲）
正向电压降
(T
A
= -55
°
C， 300 - 500微秒脉冲）
反向漏电流
（额定V
R
， 300μS脉冲最小值）
结电容
(V
R
= 10 V ， F = 1MHz的，T
A
= 25
°
C)
案例外形： TO- 254 （后缀M）
最大
0.75
0.82
0.85
0.85
200
10
800
单位
伏
伏
μA
mA
pF
案例外形： TO- 254Z （后缀Z）
可选弯下腰信息
（ MDB & ZDB后缀）
可选带向上弯曲信息
（ MUB & ZUB后缀）
可以在以下配置：
TO- 254 ：
SSR2008M ， SSR2008MUB ， SSR2008MDB ，
SSR2009M ， SSR2009MUB ， SSR2009MDB ，
SSR2010M ， SSR2010MUB ， SSR2010MDB
SSR2008Z ， SSR2008ZUB ， SSR2008ZDB ，
SSR2009Z ， SSR2009ZUB ， SSR2009ZDB ，
SSR2010Z ， SSR2010ZUB ， SSR2010ZDB
功能
整流器器
5/
引脚分配
销1
销2
阴极
阳极
3脚
阳极
TO- 254Z ：
注： 5 /
引脚2和3的外部连接，以取得最佳
性能。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： RS0091J
DOC
QQ：2880707522 复制
