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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第457页 > SSP7N80A
先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 25
A
（最大值） @ V
DS
= 800V
低R
DS （ ON）
: 1.472
（典型值）。
1
2
3
SSP7N80A
BV
DSS
= 800 V
R
DS （ ON）
= 1.8
I
D
= 7 A
TO-220
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25
C
)
Ο
价值
800
7
4.4
1
O
2
O
1
O
1
O
3
O
Ο
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
C
Ο
连续漏电流（T
C
=100
C
)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25
C
)
Ο
28
+ 30
_
523
7
16
2.0
160
1.28
- 55 + 150
Ο
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
C
300
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
0.78
--
62.5
Ο
单位
C
/W
版本B
1999仙童半导体公司
SSP7N80A
电气特性
(T
C
=25
C
除非另有规定编）
Ο
N沟道
功率MOSFET
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
800
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.93
--
--
--
--
--
--
4.95
140
57
23
40
92
34
67
11.2
29.6
--
--
3.5
100
-100
25
250
1.8
--
165
66
55
90
195
80
88
--
--
nC
ns
V
V/
C
Ο
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250A
I
D
=250A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=800V
V
DS
=640V,T
C
=125
C
Ο
参见图7
V
nA
A
pF
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
GS
=10V,I
D
=0.85A
V
DS
=50V,I
D
=0.85A
4
O
*
4
O
1500 1950
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=400V,I
D
=2A,
R
G
=16
见图13
4
5
OO
V
DS
=640V,V
GS
=10V,
I
D
=2A
参见图6 &图12
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
520
6.66
7
28
1.4
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25
C
,I
S
=7A,V
GS
=0V
Ο
T
J
=25
C
,I
F
=7A
Ο
di
F
/dt=100A/s
4
O
注意事项;
¨
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
¨è
L = 20mH ，我
AS
= 7A ，V
DD
= 50V ，R
G
=27
，起始物为
J
=25
C
＆ LT ;
＆ LT ;
¨é
I
SD
_
图7A中， di / dt的
_
150A/
s,
V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25
C
_
¨ê
脉冲测试：脉冲宽度= 250
s,
占空比
＆ LT ;
2%
_
¨
基本上是独立工作温度
Ο
Ο
N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
[A]
上图：
1
10
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSP7N80A
如图2传输特性
[A]
1
10
V
GS
I
D
，漏电流
0
10
I
D
，漏电流
0
10
150
o
C
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. V = 50 V
DS
- 55
o
C
3. 250
s脉冲测试
8
10
-1
10
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
0
10
1
10
-1
10
-1
10
2
4
6
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
图3.导通电阻与漏电流
5
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
，反向漏电流
4
V =1 V
0
GS
3
1
1
0
2
V = 20 V
GS
1
@ N T： T = 25
o
C
oe
J
0
0
5
10
1
5
20
2
5
1
0
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
02
.
04
.
06
.
08
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
10
.
12
.
14
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
C = C + C（ C = S 0吨四）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
20
00
C
国际空间站
10
50
C =C
RSS GD
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
20
50
[ pF的]
V
GS
，栅源电压
1
0
V =10V
6
DS
0
V =40V
DS
V =60V
4
DS
电容
10
00
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
5
50
0
C
OSS
C
RSS
@Nts ： I = 70A
oe
.
D
0
0
1
0
2
0
3
0
4
0
5
0
6
0
7
0
0
0
1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
SSP7N80A
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.2
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
3.0
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
图7.击穿电压与温度的关系
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
@注意事项：
1. V = 10 V
GS
2. I = 3.5 A
D
0.0
-75
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = 250
A
D
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
[A]
2
10
图10.最大。漏电流与外壳温度
[A]
I
D
，漏电流
8
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
I
D
，漏电流
6
1
10
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
4
0
10
-1
10
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
2
-2
10
1
10
2
10
3
10
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[
o
C]
图11.热响应
10
0
热响应
D=0.5
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=0.78
o
C / W最大。
2.占空比， D = T / T
2
1
0.1
0.05
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
0.2
10
- 1
Z
JC
(t) ,
P
DM
t
1
单脉冲
0.02
0.01
t
2
θ
10
- 2
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
N沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
SSP7N80A
‥‥电流
调节
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
10V
V
in
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L
L
I
AS
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
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SMJ320C6701W16
SK60GB125
S40D50CE
SFR16S-10K-5
ST95010M3
SP3222EUEY/TR
SLD-65018370X
SE03D1212A
SB630CT
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    SSP7N80A
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    -
    -
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