【SSP7434N公司Bauelemente27 A， 30 V ，RDS （ ON）4.9 mN沟道】,IC型号SSP7436N,SSP7436N PDF资料,SSP7436N经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSP7434N

公司Bauelemente

27 A， 30 V ，R

DS （ ON）

4.9 m

N沟道增强型MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

SOP-8PP

描述

这些微型表面贴装MOSFET采用高细胞密度沟槽工艺

以提供低R

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损耗和散热。

典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理

便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，

PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。

特点

低R

DS （ ON）

提供更高的效率，并延长电池寿命。

低热阻抗的铜引线框架SOP- 8PP节省电路板

空间。

快速开关速度。

高性能沟道技术。

毫米

分钟。

马克斯。

1.00

1.10

5.70

5.80

0.20

0.30

3.61

3.98

5.40

6.10

0.08

0.20

3.60

3.99

毫米

分钟。

马克斯。

0.33

0.51

1.27BSC

1.35

1.75

1.10

产品概述

(V)

（上）（ m

4.9@V

= 10V

5.9@V

= 4.5V

(A)

门

REF 。

漏

来源

绝对最大额定值和热数据

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25°C

=70°C

符号

等级

2.9

5.0

3.2

-55 ~ 150

单位

°C

C / W

=25°C

=70°C

工作结存储温度范围

, T

英镑

热阻数据

吨≦ 10秒

最大结到环境

θJA

稳态

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温。

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

27月- 2010版本A

第1页2

SSP7434N

公司Bauelemente

27 A， 30 V ，R

DS （ ON）

4.9 m

N沟道增强型MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

SYMBO最小典型最大单位

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

测试条件

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

0.7

100

4.9

5.9

μA

= V

, I

= 250μA

= 0V, V

= 20V

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

=55

°C

= 5V, V

= 10V

= 10V ，我

= 24A

= 4.5V ，我

= 21A

= 15V,

= 24A

= 2.3A ，V

= 0V

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

笔记

脉冲测试： PW

≦

300我们占空比

≦

2%.

通过设计保证，不受生产测试。

（上）

（关闭）

= 24A

= 15V

= 4.5V

= 1A ，V

= 15V

根

= 10V

= 6

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

27月- 2010版本A

第2页2

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