SSP7421P
公司Bauelemente
-20 ， -20 V ，R
DS （ ON）
8.4 m
P沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
SOP-8PP
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用高细胞密度沟槽工艺
以提供低R
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损耗和散热。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
B
D
C
θ
e
E
特点
低R
DS （ ON）
提供更高的效率，并延长电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架SOP- 8PP节省电路板
空间。
快速开关速度。
高性能沟道技术。
d
A
b
g
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
1.00
1.10
5.70
5.80
0.20
0.30
3.61
3.98
5.40
6.10
0.08
0.20
3.60
3.99
毫米
分钟。
马克斯。
0
°
12
°
0.33
0.51
1.27BSC
1.35
1.75
1.10
-
产品概述
产品概述
V
DS
(V)
-20
R
DS
（上） （ m
8.4@V
GS
= -4.5V
10.4@V
GS
= -2.5V
I
D
(A)
-20
-18
门
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
REF 。
θ
b
d
e
g
漏
来源
绝对最大额定值和热数据
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
A
漏电流脉冲
B
连续源电流（二极管传导）
A
功耗
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
等级
-20
±8
-20
-17
±50
-2.1
5.0
3.2
-55 ~ 150
25
65
单位
V
V
A
A
A
W
°C
C / W
T
A
=25°C
P
D
T
A
=70°C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
热阻数据
吨≦ 10秒
最大结到环境
A
R
θJA
稳态
笔记
a.
b.
表面装在1 “×1” FR4板。
脉冲宽度有限的最高结温。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27月- 2010版本A
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SSP7421P
公司Bauelemente
-20 ， -20 V ，R
DS （ ON）
8.4 m
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
SYMBO最小典型最大单位
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
漏源导通电阻
正向跨导
A
二极管的正向电压
A
测试条件
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
-0.4
-
-
-
-50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
-0.6
-
±
100
V
nA
μA
A
m
S
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= 0V, V
GS
=
±
8V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
=55
°C
V
DS
= -4.5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -13.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -12A
V
DS
= -15V,
,
I
D
= -11.5A
I
S
= 2.5A ，V
GS
= 0V
-1
-5
-
8.4
10.4
-
-
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
笔记
a.
b.
脉冲测试： PW
≦
300我们占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
Q
g
Q
gs
Q
gd
Td
（上）
T
r
Td
（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
66
13
17
20
23
289
134
-
-
-
-
-
-
-
nC
I
D
= -13.5A
V
DS
= -10V
V
GS
= -4.5V
I
D
= -1A ，V
DD
= -10V
nS
V
根
= -4.5V
R
L
= 6
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规范的任何更改将不个别通知。
27月- 2010版本A
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