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先进的功率MOSFET

特点

雪崩坚固的技术

坚固的门栅氧化层技术

较低的输入电容

改进的栅极电荷

扩展安全工作区

低漏电流： 25

A

（最大值） @ V

DS

= 800V

低R

DS （ ON）

: 2.450

（典型值）。

SSP4N80AS

BV

DSS

= 800 V

R

DS （ ON）

= 3.0

I

D

= 4.5 A

TO-220

1

2

3

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

C

=25

C

)

连续漏电流（T

C

=100

C

)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

C

=25

C

)

线性降额因子

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

Ο

Ο

Ο

价值

800

4.5

2.8

1

O

2

O

1

O

1

O

3

O

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/

C

Ο

18

324

4.5

13

2.0

130

1.04

- 55 + 150

Ο

C

300

热阻

符号

R

θ

JC

R

θ

CS

R

θ

JA

特征

结到外壳

外壳到散热器

结到环境

典型值。

--

0.5

--

马克斯。

0.96

--

62.5

Ο

单位

C

/W

版本B

1999仙童半导体公司

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SSP4N80AS

电气特性

(T

C

=25

C

除非另有规定编）

Ο

N沟道

功率MOSFET

符号

BV

DSS

ΔBV / ΔT

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

分钟。典型值。马克斯。单位

800

--

2.0

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

0.96

--

--

--

--

--

--

3.47

90

35

19

32

67

32

40

7.3

18.1

--

--

3.5

100

-100

25

250

3.0

--

105

42

50

75

145

75

52

--

--

nC

ns

A

pF

V

V/

C

V

nA

Ο

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=250A

I

D

=250A

V

GS

=30V

V

GS

=-30V

V

DS

=800V

V

DS

=640V,T

C

=125

C

V

GS

=10V,I

D

=0.85A

V

DS

=50V,I

D

=0.85A

4

O

*

4

O

Ο

参见图7

V

DS

=5V,I

D

=250A

880 1140

V

GS

=0V,V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=400V,I

D

=2A,

R

G

=16

见图13

4

5

OO

V

DS

=640V,V

GS

=10V,

I

D

=2A

参见图6 &图12

4

5

OO

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

1

O

4

O

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

430

4.06

4.5

18

1.4

--

--

A

V

ns

C

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

=25

C

,I

S

=4.5A,V

GS

=0V

T

J

=25

C

,I

F

=4.5A

di

F

/dt=100A/s

4

O

Ο

Ο

注意事项;

1

O

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

2

L = 30mH ，我

AS

= 4.5A ，V

DD

= 50V ，R

G

=27

，起始物为

J

=25

C

O

3

＆ LT ;

＆ LT ;

_

O

I

SD

_

4.5A ， di / dt的

_

120A/

s,

V

DD

＆ LT ;

BV

DSS

，起始物为

J

=25

C

4

脉冲测试：脉冲宽度= 250

s,

占空比

＆ LT ;

2%

_

O

5

O

基本上是独立工作温度

Ο

Ο

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N沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

[A]

上图：

15V

10V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

底部： 4.5 V

SSP4N80AS

如图2传输特性

[A]

I

D

，漏电流

1

10

1

10

V

GS

I

D

，漏电流

0

10

0

10

150

o

C

25

o

C

10

-1

@注意事项：

1. 250

s脉冲测试

2. T = 25

o

C

C

10

-2

10

-1

10

0

10

1

- 55

o

C

10

-1

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. V = 50 V

DS

3. 250

s脉冲测试

6

8

10

2

4

V

DS

，漏源电压[V]

[A]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

, [ ]

漏源导通电阻

20

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

1

1

0

16

V

GS

= 10 V

12

I

DR

，反向漏电流

1

0

0

8

V

GS

= 20 V

4

@ N吨：T已

J

= 2

o

C

oe

5

0

0

4

8

12

16

2

0

1 0

o

C

5

2

o

C

5

1

-1

0

02

.

04

.

06

.

@Nts ：

oe

1 V

GS

= 0 V

.

2 25

S·P升（E T） s

. 0

美国东部

08

.

10

.

12

.

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

1500

C = C + C ( C

ds

=短路）

ISS GS GD

图6.栅极电荷与栅源电压

[V]

V = 160 V

DS

V

DS

= 400 V

V

DS

= 640 V

[ pF的]

C =C +C

OSS DS GD

1200

C

国际空间站

900

C =C

RSS GD

10

V

GS

，栅源电压

电容

600

C

OSS

300

C

RSS

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. F = 1 MHz的

5

@注： I = 4.5 A

D

0

0

10

20

30

40

50

0

0

10

1

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

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SSP4N80AS

漏源击穿电压

N沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

3.0

图7.击穿电压与温度的关系

1.2

BV

DSS

（归一化）

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

@注意事项：

1. V = 10 V

GS

2. I = 2.25

D

0.0

-75

0.9

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

D

0.5

2. I = 250

A

0.8

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

175

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

175

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最大。安全工作区

[A]

2

10

图10.最大。漏电流与外壳温度

5

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

s

100

s

1毫秒

10毫秒

DC

[A]

I

D

，漏电流

4

3

2

1

10

3

0

25

I

D

，漏电流

1

10

0

10

-1

10

@注意事项：

1. T = 25

o

C

C

2. T = 150

o

C

J

3.单脉冲

-2

10

1

10

10

2

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

c

，外壳温度[

o

C]

图11.热响应

热响应

10

0

D=0.5

@注意事项：

1. Z

θ

J·C

(t)=0.96

o

C / W

0.2

10

- 1

0.1

0.05

马克斯。

2.占空比， D = T / T

2

1

3. T

J·M

-T

C

=P

D M

*Z

θ

J·C

(t)

Z

JC

(t) ,

P

DM

0.02

0.01

单脉冲

t

1

t

2

θ

10

- 2

10

- 5

10

- 4

10

- 3

10

- 2

10

- 1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间

[秒]

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N沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

SSP4N80AS

*电流调节器*

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

GS

Q

g

10V

V

DS

V

GS

DUT

3mA

Q

gs

Q

gd

R

1

电流取样（我

G

)

电阻器

R

2

电流取样（我

D

)

电阻器

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

R

L

V

OUT

V

in

R

G

DUT

10V

V

in

10%

V

OUT

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

90%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

L

V

DS

异吨

p

获得

所需的峰值I

D

BV

DSS

1

2

--------------------

E

AS

= ---- L

L

I

AS

2

BV

DSS

-- V

DD

BV

DSS

I

AS

C

V

DD

V

DD

t

p

I

D

R

G

DUT

10V

t

p

I

D

(t)

V

DS

(t)

时间

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