S系列
薄膜电阻网络
孤立乘坐大巴电路
符合RoHS标准
特点
精密镍铬电阻上的硅
行业标准包装
比公差
TCR跟踪公差
JEDEC 95
< ±0.05％
< ± 5 PPM / °
C
示意图
电动
1
标准电阻范围，欧姆
电阻容差
比公差
TCR
工作温度范围
引脚间电容
绝缘电阻
最大工作电压
噪音，最大（ MIL - STD- 202方法308 ）
电阻额定功率在70 °
C
2
1K到100K （隔离）
1K到30K （总线式）
±0.1%
±0.05%
参考TCR表
-55 ° C至+ 125°C
<2pF
≥10,000
兆欧
100VDC或
√PR
-25dB
0.1瓦
1
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
E24代码可用。
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BI技术
镍铬硅上
封装的功率，功率@ 70℃
3
QSOP
16
0.75
20
1.0
24
1.0
8
0.4
SOIC （窄）
14
0.7
16
0.8
16
1.0
SOIC （宽）
20
1.2
24
1.2
8
0.4
P- DIP
14
0.6
16
0.8
降额
功率降额曲线
（ MIL-
环境（MIL - R- 83401 ）
热冲击以及功率调节
短时过载
端子强度
耐湿性
机械冲击
振动
低温操作
高温曝光
耐焊接热
的永久性标记
FL可燃性
存储温度范围
R
0.1%
R
0.1%
R
0.1%
R
0.1%
R
0.1%
R
0.1%
R
0.05%
R
0.1%
R
0.1%
每MIL -STD- 202方法215
UL- 94V -0级
-55 ° C至+ 125°C
机械
铅电镀
铅材料
铅CON组fi guration
引脚共面性
基板材料
电阻材料
机身材质
80/20锡铅（标准）
100亚光锡（符合RoHS ）
铜合金
鸥翼
0.004” (0.102 mm)
硅
镍铬钝化
环氧模
3
每个电阻的功率@ 70 °最大为100毫瓦，不超过封装的功率
C,
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镍铬硅上
订购信息
4
S QS 16 A XXXX F小号LF 13
型号系列：
S =镍铬钝化
在硅
套餐类型：
引脚数：
电路类型：
A =隔离
B =总线式
阻力码
封装选项：
7 = 7 “带卷&
13 = 13" &带卷
（用于管无编号）
铅表面处理：
无代码=锡铅
LF =无铅
TCR码
公差代号
套餐类型
封装代码
QSOP
SOIC窄体
SOIC宽体
P- DIP
QS
SN
SW
PD
引脚数
16,20, 24
8, 14, 16
16
8, 14, 16
机械概要
MO-137
MS-012
MS-013
MS-001
5
阻力
6
第3位是显著。第四位数表示尾随零的数字。当值小于100时，用“ R”来表示一个
小数点。例如， 51万欧姆分别编码为51R0和1002 。
公差
电阻容差
5
在25 °精度代码
C
绝对电阻容差（％）
比公差（R1价）（％）
A
±0.1
±0.05
B
±0.1
±0.1
D
±0.5
±0.1
F
±1.0
±1.0
G
±2.0
不适用
J
±5.0
不适用
系数
（ TCR）的
电阻温度系数（ TCR）的
7
TCR的代码（ -55°至125°
C
C)
绝对（ PPM / °
C)
跟踪（ R1参考） （ PPM / °
C)
Q
±25
±5
P
±50
±5
S
±100
不适用
L
±200
不适用
4
5
6
7
定制设计和功能与客服联系。
JEDEC （出版95 ），仅供参考。
咨询工厂定制电阻值。
咨询工厂定制公差值。
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