SSM9973GM
双N沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
无铅;符合RoHS标准。
D1
D1
BV
D2
D2
BV
DSS
R
G2
S2
60V
80m
3.9A
R
DS （ ON）
I
D
I
SO-8
S1
G1
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用
装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM9973M是在SO- 8封装，广泛用于优先
商业和工业表面贴装应用。该装置是
适用于低电压应用，如DC / DC转换器。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±
20
3.9
2.5
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
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SSM9973GM
o
电气特性@ T
j
= 25 C
（除非另有规定编）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
-
-
3.5
-
-
-
8
2
4
8
4
20
6
700
80
50
MAX 。单位
-
-
80
100
3
-
1
25
±100
13
-
-
-
-
-
-
1120
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=3.9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=3.9A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=3.9A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
R
G
=3.3 , V
GS
=10V
R
D
=30
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 3.9A ，V
GS
=0V
I
S
=3.9A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
35
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的
最大
结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面装上1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的铜垫，当135 ° C / W 。
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SSM9973GM
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