SSM9928(G)EO
双N沟道增强型功率MOSFET
低导通电阻
能够2.5V栅极驱动
理想的DC / DC电池应用
S2
D2
S2
G1
S1
G2
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
S1
D1
20V
23m
5A
TSSOP-8
描述
从标准的硅功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
G1
G2
D2
S1
S2
该器件可提供作为SSM9928GEO无铅引脚镀层（二级互连） 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±12
5
3.5
25
1
0.008
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
125
单位
° C / W
Rev.2.01 2004年12月6日
www.SiliconStandard.com
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SSM9928(G)EO
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
21
-
-
-
15.9
1.5
7.4
6.2
9
30
11
530
245
125
MAX 。单位
-
-
23
29
-
-
1
25
±10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
T
j
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=5A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=3.3
,V
GS
=4.5V
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V,V
S
=1.2V
T
j
=25°C,I
S
=5A,V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
0.83
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装于民的时候208 ° C / W 。铜垫。
Rev.2.01 2004年12月6日
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