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SSM9926GM
双N沟道增强型功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
该SSM9926GM acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM9926GM是符合RoHS标准提供
SO- 8封装，广泛用于中等功率
商业和工业表面贴装应用。
20V
30m
6A
无铅;符合RoHS标准的SO- 8
D2
D2
D1
D1
G2
S2
SO-8
S1
G1
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3,
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
漏电流脉冲
1,2
总功耗，T
A
= 25°C
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
价值
20
±
12
6
4.8
26
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
符号
R
θJA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
° C / W
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时， 135℃ / W 。
2006年3月16日Rev.3.01
www.SiliconStandard.com
1 7
SSM9926GM
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
（在TJ = 25 ° C，除非另有规定）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.2A
分钟。
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
20
-
-
-
23
4.5
7
30
70
40
65
1035
320
150
MAX 。单位
-
-
30
45
1.2
-
25
250
±100
35
7
11
60
140
80
130
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
= 0V ， TJ = 70℃
V
GS
=±12V
I
D
=6A
V
DS
=20V
V
GS
=5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=6 , V
GS
=5V
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
Is
参数
正向电压
2
连续源电流（体二极管）
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
分钟。
-
-
典型值。
0.78
-
MAX 。单位
1.2
1.54
V
A
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2006年3月16日Rev.3.01
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SSM9926GM
25
20
T
C
=25
o
C
20
T
C
=150
o
C
4.5V
4.0V
3.5V
16
4.5V
4.0V
3.5V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
15
12
3.0V
8
10
3.0V
2.5V
4
5
2.5V
V
GS
= 2 .0V
2.0V
0
0
0
0.4
0.8
1.2
V
GS
= 1 . 5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
50
1.8
I
D
=6A
V
GS
=2.5V
40
1.5
I
D
=6A
V
GS
=4.5V
归一化
DS （ ON）
4.5V
R
DS （ ON）
（毫欧）
30
1.2
20
0.9
10
-50
0
50
100
150
0.6
-50
0
50
100
150
T
j
，结温（
o
C)
T
j
，结温（
o
C)
图。R
DS （ ON）
- 结温
图4.归一导通电阻
与温度的关系
2006年3月16日Rev.3.01
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3 7
SSM9926GM
8
2.5
7
2
6
I
D
，漏电流（ A）
5
1.5
4
P
D
(W)
25
50
75
100
125
150
3
1
2
0.5
1
0
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
(
o
C )
图5.最大漏电流与
外壳温度
图6.典型功耗
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1
100ms
1s
0.1
0.02
P
DM
0.01
t
单脉冲
0.01
T
T
C
=25 C
单脉冲
o
10s
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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SSM9926GM
12
10000
f=1.0MHz
V
DS
=10V
V
GS
，门源电压（ V）
9
V
DS
=15V
V
DS
=20V
C（ pF）的
西塞
1000
6
3
科斯
CRSS
0
0
9
18
27
36
45
100
1
10
19
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.典型栅极电荷与V
GS
图10.典型的电容与V
DS
10
1.2
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1
0.95
V
th
(V)
如果（ A）
0.7
0.45
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（
o
C )
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压与
结温
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5 7
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