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SSM9926GEO
N沟道增强型功率MOSFET
低导通电阻
能够2.5V栅极驱动
低驱动电流
表面贴装封装
D2
S2
G2
S2
BV
DSS
R
DS （ ON）
S1
D1
G1
S1
20V
28m
4.6A
TSSOP-8
I
D
描述
从功率MOSFET
硅标准
提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
G1
G2
D2
S1
S2
符合RoHS 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
± 12
4.6
3.7
20
1
0.008
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
马克斯。
价值
125
单位
° C / W
Rev.2.10 2005年1月29日
www.Sil iconStandard .COM
1 6
SSM9926GEO
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
T
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
9.7
-
-
-
12.5
1
6.5
5
9
26.2
6.8
355
190
85
MAX 。单位
-
-
28
40
-
-
1
25
± 10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=4.6A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 10 V
I
D
=4.6A
V
DS
=20V
V
GS
=5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=3.3
,V
GS
=5V
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V,V
S
=1.2V
T
j
=25°C,I
S
=1.25A,V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1.25
20
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装在FR4板， t<10秒。
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2 6
SSM9926GEO
25
24
T
C
=25
o
C
20
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
18
T
C
=150
o
C
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
I
D
，漏电流（ A）
15
2.5V
I
D
，漏电流（ A）
2.5V
12
10
V
GS
=2.0V
6
V
GS
=2.0V
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
45
1.8
I
D
= 4A
T
C
=25
o
C
1.6
40
I
D
= 4A
V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
35
归一化
DS （ ON）
1.4
1.2
30
1.0
25
0.8
20
1
2
3
4
5
6
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
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3 6
SSM9926GEO
6
1.2
5
1
I
D
，漏电流（ A）
4
0.8
P
D
(W)
25
50
75
100
125
150
3
0.6
2
0.4
1
0.2
0
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
外壳温度
图6.典型功耗
100
1
占空比系数= 0.5
10
1ms
I
D
(A)
10ms
1
归热响应（R
thJA
)
0.2
0.1
0.1
100ms
0.1
0.05
P
DM
t
T
0.02
T
C
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+钽
0.01
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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4 6
SSM9926GEO
12
1000
f=1.0MHz
I
D
=4.6A
10
V
GS
，门源电压（ V）
8
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
C（ pF）的
100
西塞
科斯
6
CRSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
1.6
1.4
10
1.2
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1
I
S
(A)
1
0.8
0.6
0.1
0.4
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
-50
0
50
100
150
结温（ C）
o
V
SD
(V)
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压与
结温
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5 6
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SKDH146-L100
SR16C-J6
SD1010A
SI5515DC
SM9501AV
SMI-75-820
Si8407DB
STGY40NC60VD
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