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SSM9567GM
P沟道增强型功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
该SSM9567GM acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM9567GM是符合RoHS标准提供
SO- 8封装，广泛用于中等功率
商业和工业表面贴装应用。
-40V
50m
-6A
无铅;符合RoHS标准的SO- 8
D
D
D
D
G
SO-8
S
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
连续
漏极电流，T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
脉冲
漏电流
1
总
功耗，T
C
= 25°C
线性
降额因子
存储
温度范围
操作
结温范围
价值
-40
±25
-6
-4.8
-30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热
特征
符号
R
Θ
JA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
50
单位
° C / W
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时， 125 °C / W 。
2006年9月27日Rev.3.01
www.SiliconStandard.com
1 5
SSM9567GM
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
（在TJ = 25 ° C，除非另有规定）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
分钟。
-40
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
-
-
9
-
-
-
11
3
5
10
5
30
6
880
135
110
5
MAX 。单位
-
-
50
80
-3
-
-1
-25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1400
-
-
8
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-6A
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=-40V, V
GS
= 0V ， TJ = 25°C
V
DS
=-32V ,V
GS
= 0V ， TJ = 70℃
V
GS
=±25V
I
D
=-6A
V
DS
=-32V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V
I
D
=-1A
R
G
=3.3 , V
GS
=-10V
R
D
=20
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压
2
测试条件
II
S
= -2A ，V
GS
=0V
I
S
= -6A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
21
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2006年9月27日Rev.3.01
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2 5
SSM9567GM
50
50
T
A
= 25 C
40
o
-I
D
，漏电流（ A）
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
- 5.0V
T
A
= 150°C
40
-10V
-7.0V
- 5.0V
30
-4.5V
30
-4.5V
20
20
10
V
G
= -3.0 V
10
V
G
= -3.0 V
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
65
1.6
I
D
=-4A
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
(m)
55
I
D
=-6A
V
G
=-10V
归一化
DS （ ON）
1.2
45
0.8
35
0.4
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
1.7
6
归-V
GS （ TH）
(V)
4
1.2
-I
S
(A)
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.7
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.2
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
2006年9月27日Rev.3.01
图6.栅极阈值电压与
结温
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3 5
SSM9567GM
f=1.0MHz
12
10000
-V
GS
，门源电压（ V）
10
I
D
= -6A
V
DS
= -32V
8
C（ pF）的
6
1000
C
国际空间站
4
2
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
1ms
10ms
100ms
0.1
0.1
0.1
0.05
1
0.02
0.01
-I
D
(A)
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=125
o
C / W
1s
T
A
=25 C
单脉冲
DC
0.01
0.1
1
10
100
o
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=-5V
-I
D
，漏电流（ A）
V
G
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
20
10
收费
0
0
2
4
6
8
Q
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
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图12.栅极电荷波形
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4 5
SSM9567GM
物理尺寸
D
符号
A
H
E
民
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
3.80
5.80
0.38
最大
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
4.00
6.50
1.27
A1
B
C
D
E
e
A
C
A1
e
H
L
L
1.27(TYP)
B
以毫米为单位所有尺寸。
尺寸不包括模具突出。
最热
部件号： 9567GM = SSM9567GM
9567GM
YWWSSS
日期/批号： （ YWWSSS ）
今年Y =最后一位
WW =周
SSS =大量的代码序列
包装：
湿度敏感度等级MSL3
3000只在一个13英寸（ 330毫米）卷筒包装在防潮袋（ MBB）抗静电胶带。
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
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SQS16A1002DP7
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联系人：销售部
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S
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联系人：何小姐
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