添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1004页 > SSM9475M
SSM9475M
N沟道增强模式功率MOSFET
D
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
G
S
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
40m
6.9A
描述
D
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM9475M是在SO- 8封装，广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
D
D
D
G
SO-8
S
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=100°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±
25
6.9
5.5
30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
° C / W
2005年3月21日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
1 5
SSM9475M
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.073
-
-
-
10
-
-
-
19
5
10
11
6
35
10
160
116
1.58
MAX 。单位
-
-
40
50
3
-
1
25
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
击穿电压温度系数
参考25
°C,
I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=6A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
R
G
=3.3
,V
GS
=10V
R
D
=30
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1670 2670
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
=6A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
34
50
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1平方英寸铜FR4板垫;安装在最小的时候125 ° C / W 。铜垫。
2005年3月21日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
2 5
SSM9475M
100
80
T
A
=25 C
I
D
，漏电流（ A）
80
o
10V
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
70
T
A
= 150
o
C
10V
6.0V
60
50
60
5.0V
4.5V
5.0V
4.5V
40
40
30
20
20
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
46
1.6
44
I
D
=4A
T
A
=25°C
归一化
DS （ ON）
1.4
I
D
=6A
V
G
=10V
42
R
DS （ ON）
(m )
1.2
40
38
1.0
36
0.8
34
32
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
1.50
6
5
归V
GS （ TH）
(V)
1.25
4
I
S
(A)
3
1.00
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.75
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.50
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
2005年3月21日Rev.2.01
图6.栅极阈值电压与
结温
www.SiliconStandard.com
3 5
SSM9475M
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=6A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
= 30 V
V
DS
= 38 V
V
DS
= 48 V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
8
6
4
2
C
OSS
C
RSS
100
0
10
20
30
40
50
1
5
9
13
17
21
25
29
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
1ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
0.1
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
T
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
100
1000
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125°C / W
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
2005年3月21日Rev.2.01
图12.栅极电荷波形
www.SiliconStandard.com
4 5
SSM9475M
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2005年3月21日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
5
查看更多SSM9475MPDF信息
推荐型号
SI10000M16
SHE155BFE
SF20JC6
S29AL016M10TFI022
S1812-684K
STC4054GR
SMCG5632A
SMC5373B
SA57031-31UK
SSY39L200554CUK
STC62WV1024TCP55
S29AL008D55TFIR21
SGL5N150UF
SY100ELT28ZC
SN75976A
STLVDS105BDR
SD400N20PSC
SPX2947S
SM320C2811-EP
SIS426DN-T1-GE3
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SSM9475M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SSM9475M
VBSEMI
2443+
23000
SO-8
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SSM9475M
VB
25+23+
35500
SO-8
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SSM9475M
VBSEMI/台湾微碧
2024
20918
SO-8
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
SSM9475M
SILICONST
24+
32000
SOP-8
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SSM9475M
VBSEMI/台湾微碧
2024
20918
SO-8
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SSM9475M
VB
19+
18974
SO-8
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SSM9475M
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7920
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市成源运利电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
SSM9475M
S
23+
16300
SO-8
全新进口原装现货 特价热卖
上海金庆电子科技京城市场部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51872165/51872561
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
SSM9475M
SILICONST
20+
26000
SOP-8
全新原装 货期两周
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SSM9475M
VB
19+
18974
SO-8
全新原装正品/质量有保证
查询更多SSM9475M供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！