SSM7002DGU
双N沟道增强型功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
该SSM7002DG acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM7002DGU是符合RoHS标准的供应
SOT- 363封装，它被广泛用在主板
空间是关键的，小型脚印尺寸是必需的。
50V
3
250mA
无铅;符合RoHS标准的SOT- 363
G1
S1
D2
D1
SOT-363
S2
G2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3,
T
A
= 25°C
价值
50
±
20
250
单位
V
V
mA
I
SD
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
源极 - 漏极二极管的电流
漏电流脉冲
1,2
总功耗，T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
存储温度范围
工作结温范围
3
115
1.0
200
120
-55到150
-55到150
mA
A
mW
mW
°C
°C
热特性
符号
R
θJA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
625
单位
° C / W
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Mounted上FR4板
2005年11月26日Rev.3.01
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SSM7002DGU
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
（在TJ = 25 ° C，除非另有规定）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10uA
分钟。
50
典型值。
-
MAX 。单位
-
V
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏源导通电阻
V
DS
= 7V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=250mA
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
500
-
-
1
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
4
2.5
-
1.0
±100
mA
V
mS
uA
nA
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 7V ，我
D
=200mA
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
V
DS
=50V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=30V
I
D
=100mA
R
G
=10 , V
根
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
-
-
-
-
-
-
-
7.5
6
7.5
3
19
10
3
20
-
20
-
50
25
5
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压
2
测试条件
I
S
= 115毫安，V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
0.76
MAX 。单位
1.5
V
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
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物理尺寸
SSM7002DGU
物理尺寸
SOT-363
暗淡
A
A1
bp
C
D
E
e
e1
He
Lp
Q
W
Θ
SOT- 363 DIMENSION
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
0.80
1.10
0.031
0.043
--
0.10
--
0.004
0.10
0.30
0.004
0.012
0.10
0.25
0.004
0.010
1.80
2.20
0.071
0.087
1.15
1.35
0.045
0.053
1.30 （典型值）
0.052 （典型值）
0.65 （典型值）
0.026(typ)
2.00
2.20
0.079
0.087
0.10
0.3
0.004
0.012
0.20 （ TYP ）
0.008 （ TYP ）
0.20 （ TYP ）
0.008 （ TYP ）
o
10 （典型值）
10
o
（典型值）
包装：
湿度敏感度等级MSL3
3000只在对包装在防潮袋（ MBB）的卷轴抗静电胶带。
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