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SSM6P09FU
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS型
SSM6P09FU
高速开关应用
单位：mm
小型封装
低漏源导通电阻。
: R
on
= 2.7
（最大值） （ @V
GS
=
10
V)
: R
on
= 4.2
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
（ Q1 ， Q2常见）
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
200
800
300
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
―
―
注意：
重负载下连续使用（例如应用
东芝
2-2J1C
高温/电流/电压和在显著变化
重量： 6.8毫克（典型值）。
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价，装上FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
×
6）如图1所示。
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2007-11-01
SSM6P09FU
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
图1：
25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
Cu焊盘： 0.32毫米
2
×
6
6
5
4
5
4
0.4 mm
0.8 mm
3
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0
V
DS
= 5
V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 5
V，I
D
= 100
MA（注2 ）
I
D
= 100
毫安，V
GS
= 10
V（注2 ）
民
30
1.1
115
典型值。
2.1
3.3
4.0
22
5
14
85
85
DK
1
2
3
1
Q1
Q2
2
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
最大
±1
1
1.8
2.7
4.2
6.0
pF
pF
pF
ns
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= 100
毫安，V
GS
= 4
V（注2 ）
I
D
= 100
毫安，V
GS
= 3.3
V(Note2)
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DS
= 5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= 5
V，I
D
= 100
毫安，
V
GS
=
0~4 V
注2 ：
脉冲测试
开关时间测试电路
（ Q1 ， Q2常见）
（ a）测试电路
0
4
V
10
μs
V
DD
= 5
V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
Ω
R
L
V
DD
4
V
（二）V
IN
0V
10%
90%
90%
10%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 100 μA
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
th
。 （关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
2
2007-11-01
SSM6P09FU
（ Q1 ， Q2常见）
I
D
– V
DS
500
常见的来源
Ta
=
25°C
400
10
4
7
8
常见的来源
Ta
=
25°C
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
（MA ）
6
5
4
4
V
3
2
1
0
0
10
V
VGS
= 3.3
V
3.3
300
3.0
200
2.8
2.6
100
VGS
= 2.4
V
0
0
0.5
1
1.5
2
漏极电流ID
100
200
300
400
500
漏源电压
VDS
(V)
漏极电流ID （MA ）
I
D
– V
GS
1000
常见的来源
VDS
= 5
V
7
100
8
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
= 100
mA
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
（MA ）
25°C
10
Ta
=
100°C
1
25°C
6
5
Ta
=
100°C
4
3
2
1
25°C
漏极电流ID
0.1
25°C
0.01
0
1
2
3
4
0
0
2
4
6
8
10
栅源电压
VGS （ V）
栅源电压
VGS （ V）
Y
fs
– I
D
R
DS （ ON）
- TA
8
常见的来源
500
7
ID
= 100
mA
1000
常见的来源
VDS
= 5
V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
Y
fs
（女士）
300
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
6
5
4
3
2
1
0
25
VGS
= 3.3
V
4
V
10
V
100
50
30
0
25
50
75
100
125
150
10
10
30
50
100
300 500
1000
环境温度Ta （C ）
漏极电流ID （MA ）
3
2007-11-01
SSM6P09FU
（ Q1 ， Q2常见）
V
th
- TA
2
500
常见的来源
1.8
I
DR
– V
DS
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
300
G
S
200
IDR
漏电流尊IDR （毫安）
VTH （V）的
ID
= 0.1
mA
VDS
= 5
V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
0
25
50
75
400
栅极阈值电压
100
100
125
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
环境温度Ta （C ）
漏源电压
VDS
(V)
- V
DS
500
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
5000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
= 5
V
VGS
=
0~4 V
Ta
=
25°C
开关时间t（ NS ）
电容C
（PF ）
100
1000
花花公子
tf
100
吨
tr
西塞
10
科斯
CRSS
1
0.1
10
1
1
10
100
10
100
1000
漏源电压
VDS
(V)
漏极电流ID （MA ）
P
D
*
- TA
400
安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×1.6
t
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6 ）图1
300
功耗，Pd
*
（ mW）的
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
*:
总评分
4
2007-11-01
SSM6P09FU
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
SSM6P09FU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM6P09FU
高速开关应用
单位：mm
小型封装
低漏源导通电阻。
: R
on
= 2.7
（最大值） （ @V
GS
=
10
V)
: R
on
= 4.2
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
·
·
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
-30
±20
-200
-800
300
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2J1C
注1 ：
总的评价，装上FR4板
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
6）如图1所示。
重量： 6.8毫克（典型值）。
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2003-02-19
SSM6P09FU
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
6
5
4
0.4 mm
0.8 mm
3
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
= -1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= -30
V, V
GS
=
0
V
DS
= -5
V，I
D
= -0.1
mA
V
DS
= -5
V，I
D
= -100
MA（注2 ）
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -10
V（注2 ）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -4
V（注2 ）
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -3.3
V(Note2)
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= -5
V，I
D
= -100
毫安，
V
GS
=
0~-4 V
民
-30
-1.1
115
典型值。
2.1
3.3
4.0
22
5
14
85
85
图1：
25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 0.32毫米
2
6
DK
1
2
3
1
Q1
Q2
2
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
最大
±1
-1
-1.8
2.7
4.2
6.0
pF
pF
pF
ns
W
单位
mA
V
mA
V
mS
注2 ：
脉冲测试
开关时间测试电路
（ Q1 ， Q2常见）
（ a）测试电路
0
-4
V
10
ms
V
DD
= -5
V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
9
R
L
V
DD
-4
V
（二）V
IN
0V
10%
90%
90%
10%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= -100毫安
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
th
。 （关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。 V
GS
的推荐电压
-4
V或更高的开启
此产品。
2
2003-02-19
SSM6P09FU
（ Q1 ， Q2常见）
I
D
– V
DS
-500
常见的来源
Ta
=
25°C
-400
-10
-4
7
8
常见的来源
Ta
=
25°C
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
（MA ）
6
5
4
-4
V
3
2
1
0
0
-10
V
VGS
= -3.3
V
-3.3
-300
-3.0
-200
-2.8
-2.6
-100
VGS
= -2.4
V
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
漏电流
ID
-100
-200
-300
-400
-500
漏源电压VDS
(V)
漏电流
ID
（MA ）
I
D
– V
GS
-1000
常见的来源
VDS
= -5
V
7
-100
8
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
= -100
mA
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
（MA ）
25°C
-10
Ta
=
100°C
-1
-25°C
6
5
Ta
=
100°C
4
3
2
1
25°C
漏电流
ID
-0.1
-25°C
-0.01
0
-1
-2
-3
-4
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
½Y
fs
½
– I
D
R
DS （ ON）
- TA
8
常见的来源
500
7
ID
= -100
mA
1000
常见的来源
VDS
= -5
V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
½Y
fs
½
（女士）
300
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
6
5
4
3
2
1
0
-25
VGS
= -3.3
V
-4
V
-10
V
100
50
30
0
25
50
75
100
125
150
10
-10
-30
-50
-100
-300 -500
-1000
环境温度Ta （C ）
漏电流
ID
（MA ）
3
2003-02-19
SSM6P09FU
（ Q1 ， Q2常见）
V
th
- TA
-2
-500
常见的来源
-1.8
I
DR
– V
DS
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
-300
G
S
-200
IDR
（MA ）
漏电流尊
IDR
(V)
ID
= -0.1
mA
VDS
= -5
V
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-25
0
25
50
75
-400
栅极阈值电压Vth的
-100
100
125
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
环境温度Ta （C ）
漏源电压VDS
(V)
- V
DS
500
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
5000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
= -5
V
VGS
=
0~-4 V
Ta
=
25°C
（PF ）
电容C
t
（纳秒）
100
1000
西塞
10
科斯
开关时间
花花公子
tf
100
吨
tr
CRSS
1
-0.1
10
-1
-1
-10
-100
-10
-100
-1000
漏源电压VDS
(V)
漏电流
ID
（MA ）
P
D
*
- TA
400
安装在FR4板。
(25.4 mm
25.4 mm
1.6
t
2
Cu焊盘： 0.32毫米
6 ）图1
300
功耗
P（D）
*
200
100
0
0
（ mW）的
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
*:
总评分
4
2003-02-19
SSM6P09FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
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此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2003-02-19
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