【SSM6N7002BFE东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）SSM6N7002BF】,IC型号SSM6N7002BFE,SSM6N7002BFE PDF资料,SSM6N7002BFE经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM6N7002BFE

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）

SSM6N7002BFE

高速开关应用

模拟开关应用

1.6±0.05

单位：mm

1.2±0.05

小型封装

低导通电阻

: R

DS （ ON）

3.3

（最大值）（ @V

4.5 V)

1.6±0.05

1.0±0.05

0.5 0.5

: R

DS （ ON）

2.6

（最大值）（ @V

5 V)

: R

DS （ ON）

2.1

（最大值）（ @V

10 V)

0.2±0.05

0.12±0.05

绝对最大额定值（Ta = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

DSS

GSS

（注1 ）

英镑

等级

±20

200

800

150

单位

°C

0.55±0.05

ES6

1.SOURCE1

2.GATE1

3.DRAIN2

4.SOURCE2

5.GATE2

6.DRAIN1

JEDEC

―

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

JEITA

―

温度等）可能会导致此产品在减少

东芝

2-2N1D

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

重量： 3.0毫克（典型值）。

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价，装上FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米，铜垫： 0.135毫米

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

2009-11-27

SSM6N7002BFE

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

（上）

（关闭）

DSF

30 V，I

= 200毫安，

0 10 V

= -200毫安，V

= 0 V

（注2 ）

25 V, V

= 0 V，F

1兆赫

测试条件

±20

V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

0 V

= 10 mA时， V

= -10 V

60 V, V

0 V

= 10 V，I

0.25毫安

10 V，I

200毫安

500毫安，V

10 V

百毫安，V

5 V

百毫安，V

4.5 V

（注2 ）

民

1.5

225

典型值

1.62

1.90

2.10

17.0

1.9

3.6

3.3

14.5

-0.84

最大

±10

3.1

2.1

2.6

3.3

6.6

-1.2

单位

μA

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

10 V

μs

= 30 V

税

≤

: t

, t

＆ LT ; 2纳秒

OUT

= 50

Ω)

常见的来源

TA = 25℃

OUT

DS （ ON）

（上）

（关闭）

10 %

（二）V

10 V

90 %

（三）V

OUT

90 %

注意事项

设V

是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I

）要低（0.25毫安的

SSM6N7002BFE ）。然后，进行正常的开关操作，V

GS （ ON）

必须高于V更高

TH ，

和V

GS （ OFF ）

必须是低

比V

钍。

这种关系可表示为：V

GS （ OFF ）

＆ LT ; V

GS （上）。

使用设备时考虑到这一点

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

热阻R

第（章-a）的

和功耗P

根据板料，电路板面积，板的厚度各不相同

和焊盘面积。使用本设备时，请带散热考虑。

2009-11-27

SSM6N7002BFE

（ Q1 ， Q2常见）

– V

1000

常见的来源

TA = 25℃

10 V

7.0 V

5.0 V

1000

常见的来源

VDS = 10V

– V

（MA ）

600

4.5 V

（MA ）

800

100

TA = 100 C

漏电流

400

4.0 V

漏电流

25 °C

-25 °C

200

3.5 V

VGS = 3.3V

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.01

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– I

常见的来源

TA = 25°C

DS （ ON）

– V

ID = 100毫安

常见的来源

TA = 25°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

4.5 V

5.0 V

VGS = 10 V

TA = 100 C

25 °C

-25 °C

100

300

1000

漏电流

（MA ）

栅源电压

(V)

DS （ ON）

- TA

常见的来源

3.0

- TA

(V)

常见的来源

VDS = 10V

ID = 0.25毫安

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

为100mA / 4.5V，

ID = 500毫安/ VGS = 10 V

为100mA / 5.0V

栅极阈值电压

2.0

1.0

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2009-11-27

SSM6N7002BFE

（ Q1 ， Q2常见）

| – I

（MA ）

常见的来源

VDS = 10V

TA = 25°C

– V

1000

常见的来源

VGS = 0 V

25°C

600

(S)

0.3

800

正向转移导纳

0.1

0.03

反向漏电流

400

200

0.01

0.003

0.001

100

1000

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

漏电流

（MA ）

漏源电压

(V)

100

- V

1000

吨 - 我

常见的来源

VDD = 30 V

VGS = 0至10伏

TA = 25℃

（PF ）

TD （关闭）

100

西塞

电容

科斯

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

CRSS

开关时间

TD （上）

100

1000

0.1

漏源电压

(V)

（纳秒）

漏电流

（MA ）

* - TA

250

（ mW）的

安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 0.135毫米

200

漏极功耗PD *

150

100

120

160

*：总分

环境温度Ta （C ）

2009-11-27

SSM6N7002BFE

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2009-11-27