SSM6N55NU
4.绝对最大额定值（注） （除特别注明外，T
a
= 25
)
25
（ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
功耗
功耗
通道温度
储存温度
t
≤
10 s
（注1 ）
（注1 ） （注2 ）
（注3）
（注3）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
4.0
10
1
2
150
-55到150
W
W
A
单位
V
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ：脉冲宽度（ PW ）
≤
10毫秒，占空比
≤
1%
注3 ：设备安装在一个25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6毫米FR4玻璃环氧树脂板（总功耗）
（与25.4毫米的散热铜表面
×
25.4 mm)
注意：
注意：
注意：
在此设备中的MOSFET对静电放电很敏感。在处理此设备的工作台，
运营商，电烙铁等物件应加以保护，防止防静电放电。
通道到环境的热阻，R
第（章-a）的
和漏极的功率耗散，磷
D
根据变化
板材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取热
散热充分考虑。
2
2012-07-19
Rev.1.0
SSM6N55NU
5.电气特性
5.1 。静态特性（T
a
= 25
除非另有说明） （ Q1 ， Q2公用）
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
（注2 ）
（注3）
（注3）
符号
I
GSS
I
DSS
测试条件
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
民
30
10
1.3
3.4
典型值。
33
48
6.8
最大
±10
1
2.5
46
64
S
m
V
单位
A
V
（ BR ） DSS
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
（注1 ）V
（ BR ） DSX
I
D
= 10 mA时， V
GS
= -20 V
V
th
V
DS
= 10 V，I
D
- 0.1毫安
I
D
= 2.0 A，V
GS
= 4.5 V
|Y
fs
|
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
R
DS （ ON）
I
D
= 4.0 A，V
GS
= 10 V
注1：如果反偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V
（ BR ） DSX
模式。注意，漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
注2 ：设V
th
是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I
D
）低于（0.1毫安
此设备）。然后，进行正常的开关操作，V
GS （ ON）
必须高于V更高
th
和V
GS （ OFF ）
必须是
比V低
th
。这种关系可表示为：V
GS （ OFF ）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （ ON）
.
使用设备时考虑到这一点。
注3 ：脉冲测量。
25
5.2 。动态特性（T
a
= 25
除非另有说明） （ Q1 ， Q2公用）
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间（导通时间）
切换时间（关断时间）
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
= 15 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= 0 4.5 V ，R
G
= 10
,
税
≤
1 ％ ，输入：吨
r
, t
f
＆ LT ; 5纳秒
地源，请参见第5.3
测试条件
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
民
典型值。
280
20
53
15
12
最大
ns
单位
pF
5.3 。开关时间测试电路
图。切换时间5.3.1测试电路
图。 5.3.2波形输入/输出波形
5.4 。栅极电荷特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
（ Q1 ， Q2公用）
特征
总栅极电荷（栅极 - 源极加栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
测试条件
V
DD
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 4.0 A
民
典型值。
2.5
1.6
0.5
最大
单位
nC
3
2012-07-19
Rev.1.0
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