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SSM6N44FE

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM6N44FE

高速开关应用

模拟开关应用

适用于高密度安装小型封装

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 4.0

（最大值）（ @V

= 4 V)

: R

DS （ ON）

= 7.0

（最大值）（ @V

= 2.5 V)

单位：mm

1.6±0.05

1.2±0.05

1.6±0.05

（ Q1 ， Q2常见）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

脉冲

符号

DSS

GSS

（注1 ）

英镑

等级

±20

100

200

150

单位

0.55±0.05

°C

漏极功耗（大

25°C)

通道温度

存储温度范围

1.Source1

2.Gate1

4.Source2

5.Gate2

6.Drain1

ES6

3.Drain2

JEDEC

―

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

JEITA

―

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

东芝

2-2N1D

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

重量： 3毫克（典型值）。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价，装上FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 0.135毫米

注意：

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2009-05-27

0.12±0.05

0.2±0.05

绝对最大额定值

（大

25°C)

1.0±0.05

0.5 0.5

SSM6N44FE

电气特性

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

= 5 V，I

= 10毫安，

= 0至5伏

= 3 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

±14

V, V

= 0 V

= 0.1毫安， V

= 0 V

= 30 V, V

= 0 V

= 3 V，I

- 0.1毫安

= 3 V，I

= 10毫安

= 10 mA时， V

= 4 V

= 10 mA时， V

= 2.5 V

民

0.8

典型值。

2.2

4.0

8.5

5.3

9.4

200

最大

±1

1.5

4.0

7.0

单位

μA

开关时间测试电路

（ a）测试电路

μs

= 5 V

D.U.

≤

: t

, t

＆ LT ; 5纳秒

OUT

= 50

Ω)

常见的来源

TA = 25°C

OUT

10%

（二）V

90%

（三）V

OUT

10%

90%

关闭

DS （ ON）

注意事项

设V

是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I

）要低（ 0.1毫安为

SSM6N44FE ）。然后，进行正常的开关操作，V

GS （ ON）

必须高于V更高

TH ，

和V

GS （ OFF ）

必须小于

钍。

这种关系可表示为：V

GS （ OFF ）

＆ LT ; V

GS （上）。

使用设备时考虑到这一点

2009-05-27

SSM6N44FE

（ Q1 ， Q2常见）

– V

250

常见的来源

200

TA = 25°C

100

2.7

150

2.5

100

2.3

VGS

2.1 V

0.5

1.5

0.01

1000

常见的来源

VDS = 3V

– V

漏电流I

（MA ）

漏电流I

（MA ）

TA = 100℃

25°C

0.1

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– I

常见的来源

25°C

DS （ ON）

– V

常见的来源

ID = 10毫安

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

100°C

25°C

VGS = 2.5 V

120

160

200

漏电流I

（MA ）

栅源电压

(V)

DS （ ON）

- TA

常见的来源

ID = 10毫安

1.8

常见的来源

ID = 0.1毫安

VDS = 3V

- TA

(V)

栅极阈值电压

100

125

150

VGS = 2.5 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

100

125

150

环境温度Ta （C ）

2009-05-27

SSM6N44FE

（ Q1 ， Q2常见）

– I

1000

常见的来源

500 V

DS = 3V

300 TA = 25℃

250

常见的来源

VGS = 0 V

TA = 25°C

150

IDR

100

– V

（MA ）

反向漏电流I

正向转移导纳

（女士）

200

100

1000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

漏电流I

（MA ）

漏源电压

(V)

吨 - 我

10000

5000

3000

花花公子

常见的来源

VDD = 5 V

VGS = 0至5伏

TA = 25°C

10000

5000

3000

花花公子

1000

500

300

吨

100

吨 - 我

常见的来源

VDD = 3V

VGS = 0到2.5伏

TA = 25°C

开关时间t（ NS ）

1000

500

300

100

吨

0.1

开关时间t（ NS ）

100

0.1

100

漏电流I

（MA ）

漏电流I

（MA ）

- V

100

常见的来源

VGS = 0 V

F = 1 MHz的

TA = 25°C

250

- TA

安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6mm,

Cu焊盘： 0.135毫米

功耗P

（ mW）的

100

200

（PF ）

西塞

科斯

CRSS

电容C

150

100

0.5

0.3

0.1

120

160

漏源电压

(V)

：总分

环境温度Ta （C ）

2009-05-27

SSM6N44FE

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也指并遵守第（一）所有相关信息东芝的最新版本，包括但不限于本文件，

规格，数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA

半导体可靠性手册“和（b）对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户

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使用此类设计或应用该产品的适当性; （ b）评价和确定的任何适用性

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电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

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2009-05-27