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SSM6N15FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM6N15FU
高速开关应用
模拟开关应用
·
·
小型封装
低导通电阻，R
on
= 4.0
（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
: R
on
= 7.0
（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注）
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
100
200
200
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
注意：
总评分
JEDEC
JEITA
―
―
2-2J1C
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
东芝
重量： 6.8毫克（典型值）。
DP
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2001-12-05
SSM6N15FU
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0~5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
民
30
0.8
25
典型值。
2.2
4.0
7.8
3.6
8.8
50
180
最大
±1
1
1.5
4.0
7.0
单位
mA
V
mA
V
mS
W
pF
pF
pF
ns
开关时间测试电路
（ a）测试电路
5V
0
10
ms
V
DD
=
5 V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
9
R
L
0V
10%
（二）V
IN
5V
90%
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
mA
为了这
产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
要求较低
电压比V
th
。 （关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。 V
GS
2.5伏或更高的推荐电压来导通
此产品。
2
2001-12-05
SSM6N15FU
（ Q1 ， Q2常见）
I
D
– V
DS
250
常见的来源
200
10
4
3
Ta
=
25°C
100
1000
常见
来源
VDS
=
3 V
Ta
=
100°C
10
25°C
1
-25°C
I
D
– V
GS
（MA ）
2.7
150
2.5
100
2.3
50
VGS
=
2.1 V
0
0
0.5
1
1.5
2
I
D
漏电流
漏电流
I
D
（MA ）
0.1
0.01
0
1
2
3
4
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– I
D
10
常见的来源
Ta
=
25°C
8
5
6
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
=
10毫安
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
4
Ta
=
100°C
25°C
2
-25°C
1
6
VGS
=
2.5 V
3
4
4V
2
0
0
40
80
120
160
200
0
0
2
4
6
8
10
漏电流
I
D
（MA ）
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
- TA
8
7
常见的来源
ID
=
10毫安
2
1.8
常见的来源
ID
=
0.1毫安
VDS
=
3 V
V
th
- TA
栅极阈值电压V
th
(V)
75
100
125
150
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
6
5
4
3
2
1
0
-25
4V
VGS
=
2.5 V
0
25
50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta （C ）
环境温度Ta （C ）
3
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SSM6N15FU
（ Q1 ， Q2常见）
Y
fs
– I
D
1000
常见的来源
500 V
DS
=
3 V
300的Ta
=
25°C
250
常见的来源
VGS
=
0 V
Ta
=
25°C
D
150
IDR
S
100
I
DR
– V
DS
（MA ）
反向漏电流I
DR
正向转移导纳
½Y
fs
½
（女士）
200
100
50
30
G
10
5
3
50
1
0
10
100
1000
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
漏电流
I
D
（MA ）
漏源电压
V
DS
(V)
吨 - 我
D
10000
5000
3000
花花公子
1000
500
300
tf
常见的来源
VDD
=
5 V
VGS
=
0~5 V
Ta
=
25°C
10000
5000
3000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
3 V
VGS
=
0~2.5 V
Ta
=
25°C
花花公子
1000
500
300
吨
100
50
30
tr
tf
（纳秒）
t
开关时间
100
50
30
吨
tr
10
0.1
开关时间
1
10
100
t
10
0.1
（纳秒）
1
10
100
漏电流
I
D
（MA ）
漏电流
I
D
（MA ）
- V
DS
100
50
30
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
250
P
D
*
- TA
（ mW）的
P
D
*
功耗
200
（PF ）
10
5
3
西塞
科斯
CRSS
1
0.5
0.3
电容C
150
100
50
0.1
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏源电压
V
DS
(V)
*:
总评分
环境温度Ta （C ）
4
2001-12-05
SSM6N15FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2001-12-05
SSM6N15FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM6N15FU
高速开关应用
模拟开关应用
·
·
小型封装
低导通电阻，R
on
= 4.0
（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
: R
on
= 7.0
（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注）
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
100
200
200
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
注意：
总评分
JEDEC
JEITA
―
―
2-2J1C
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
东芝
重量： 6.8毫克（典型值）。
DP
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2001-12-05
SSM6N15FU
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0~5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
民
30
0.8
25
典型值。
2.2
4.0
7.8
3.6
8.8
50
180
最大
±1
1
1.5
4.0
7.0
单位
mA
V
mA
V
mS
W
pF
pF
pF
ns
开关时间测试电路
（ a）测试电路
5V
0
10
ms
V
DD
=
5 V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
9
R
L
0V
10%
（二）V
IN
5V
90%
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
mA
为了这
产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
要求较低
电压比V
th
。 （关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。 V
GS
2.5伏或更高的推荐电压来导通
此产品。
2
2001-12-05
SSM6N15FU
（ Q1 ， Q2常见）
I
D
– V
DS
250
常见的来源
200
10
4
3
Ta
=
25°C
100
1000
常见
来源
VDS
=
3 V
Ta
=
100°C
10
25°C
1
-25°C
I
D
– V
GS
（MA ）
2.7
150
2.5
100
2.3
50
VGS
=
2.1 V
0
0
0.5
1
1.5
2
I
D
漏电流
漏电流
I
D
（MA ）
0.1
0.01
0
1
2
3
4
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– I
D
10
常见的来源
Ta
=
25°C
8
5
6
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
=
10毫安
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
4
Ta
=
100°C
25°C
2
-25°C
1
6
VGS
=
2.5 V
3
4
4V
2
0
0
40
80
120
160
200
0
0
2
4
6
8
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漏电流
I
D
（MA ）
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
- TA
8
7
常见的来源
ID
=
10毫安
2
1.8
常见的来源
ID
=
0.1毫安
VDS
=
3 V
V
th
- TA
栅极阈值电压V
th
(V)
75
100
125
150
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
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-25
4V
VGS
=
2.5 V
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25
50
0
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环境温度Ta （C ）
环境温度Ta （C ）
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SSM6N15FU
（ Q1 ， Q2常见）
Y
fs
– I
D
1000
常见的来源
500 V
DS
=
3 V
300的Ta
=
25°C
250
常见的来源
VGS
=
0 V
Ta
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25°C
D
150
IDR
S
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I
DR
– V
DS
（MA ）
反向漏电流I
DR
正向转移导纳
½Y
fs
½
（女士）
200
100
50
30
G
10
5
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0
10
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0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
漏电流
I
D
（MA ）
漏源电压
V
DS
(V)
吨 - 我
D
10000
5000
3000
花花公子
1000
500
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tf
常见的来源
VDD
=
5 V
VGS
=
0~5 V
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25°C
10000
5000
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吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
3 V
VGS
=
0~2.5 V
Ta
=
25°C
花花公子
1000
500
300
吨
100
50
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tr
tf
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t
开关时间
100
50
30
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tr
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开关时间
1
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t
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（纳秒）
1
10
100
漏电流
I
D
（MA ）
漏电流
I
D
（MA ）
- V
DS
100
50
30
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
250
P
D
*
- TA
（ mW）的
P
D
*
功耗
200
（PF ）
10
5
3
西塞
科斯
CRSS
1
0.5
0.3
电容C
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100
50
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0.1
1
10
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漏源电压
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DS
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总评分
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4
2001-12-05
SSM6N15FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
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2001-12-05
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SIC401ACD-T1-GE3
SIHFUC20
SL74HCT08D
S2KW48KA-6
SN54ABT16863WD
SST39LF512-55-4C-WH
SN74246
S1812R-152K
SY100ELT20VZITR
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S29GL128N11FAIV10
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S29CD016J1MQFM033
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深圳市集创讯科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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北京元坤国际科技有限公司
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联系人：何小姐
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全新原装正品/质量有保证
上海金庆电子科技京城市场部
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深圳市创越芯电子科技有限公司
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全新原装现货/热卖库存/稳定供应/价格优势，支持实单
深圳市深科创科技有限公司
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