【SSM6N05FU东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型SSM6N05FU高速开关应用单位：mm小型封装低】,IC型号SSM6N05FU_07,SSM6N05FU_07 PDF资料,SSM6N05FU

SSM6N05FU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM6N05FU

高速开关应用

单位：mm

小型封装

低导通电阻，R

= 0.8

（最大值）（ @V

= 4 V)

: R

= 1.2

（最大值）（ @V

= 2.5 V)

低栅极阈值电压

（ Q1 ， Q2常见）

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

脉冲

符号

GSS

（注1 ）

英镑

等级

±12

400

800

300

150

55~150

单位

°C

漏极功耗（大

25°C)

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

―

注意：

重负载下连续使用（例如应用

东芝

2-2J1C

高温/电流/电压和在显著变化

重量： 6.8毫克（典型值）。

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价，装上FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨，铜垫： 0.32毫米

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等

这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。

2007-11-01

SSM6N05FU

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

电气特性

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

3 V，I

百毫安，

0~2.5 V

3 V, V

0, f

1兆赫

测试条件

= ±12

V, V

1毫安，V

20 V, V

3 V，I

0.1毫安

3 V，I

200毫安

200毫安，V

4 V

200毫安，V

2.5 V

(Note2)

民

0.6

350

典型值。

0.6

0.85

最大

±1

1.1

0.8

1.2

单位

μA

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5 V

μs

3 V

税

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

OUT

Ω)

常见的来源

25°C

OUT

10%

（二）V

2.5 V

90%

（三）V

OUT

10%

90%

关闭

DS （ ON）

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

100

μA

为了这

产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要更高的电压比V

和V

GS （关闭）

要求较低

电压比V

。（关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）

)

请考虑到这一点，使用该设备。

2007-11-01

SSM6N05FU

（ Q1 ， Q2常见）

– V

1000

常见的来源

800

10 4

2.5

2.3

25°C

100

1000

常见的来源

VDS

3 V

– V

（MA ）

漏极电流ID

2.1

漏极电流ID

600

100°C

400

1.9

25°C

0.1

1.7

200

VGS

1.5 V

0.5

1.0

1.5

2.0

0.01

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

漏源电压

VDS

(V)

栅源电压

VGS （ V）

DS （ ON）

– I

2.0

常见的来源

25°C

1.6

2.0

DS （ ON）

– V

常见的来源

200毫安

漏源导通电阻

的RDS（ON ）（ Ω ）

1.2

2.5 V

0.8

VGS

4 V

漏源导通电阻

的RDS（ON ）（ Ω ）

1.2

0.8

100°C

25°C

0.4

25°C

0.4

200

400

600

800

1000

漏极电流ID （MA ）

栅源电压

VGS （ V）

DS （ ON）

- TA

2.0

– I

正向转移导纳

（女士）

5000

常见的来源

3000 VDS

3 V

25°C

常见的来源

200毫安

1.6

漏源导通电阻

的RDS（ON ）（ Ω ）

1.2

2.5 V

1000

0.8

VGS

4 V

0.4

500

300

100

125

150

100

300

500

1000

环境温度Ta （C ）

漏极电流ID （MA ）

2007-11-01

SSM6N05FU

（ Q1 ， Q2常见）

– V

1000

常见的来源

VGS

800

25°C

600

IDR

100

- V

反向漏电流IDR （毫安）

（PF ）

西塞

常见的来源

VGS

1兆赫

25°C

0.1

0.3

CRSS

电容C

科斯

400

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

漏源电压

VDS

(V)

漏源电压

VDS

(V)

吨 - 我

1000

常见的来源

500

花花公子

VGS

0~2.5 V

25°C

400

- TA

安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6 t

Cu焊盘： 0.32毫米

300

开关时间t（ NS ）

300

100

漏极功耗P

300

（ mW）的

200

100

VDD

3 V

吨

100

漏极电流ID （MA ）

100

120

140

160

环境温度Ta （C ）

总评分

2007-11-01

SSM6N05FU

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01