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SSM6L16FE
东芝场效应晶体管的硅P / N沟道MOS型
SSM6L16FE
高速开关应用
模拟开关应用
小型封装
低导通电阻
Q1 ：v
on
=
4
Ω
（最大值） （ @V
GS
=
2.5 V)
Q2 ：v
on
=
12
Ω
（最大值） （ @V
GS
= 2.5
V)
单位：mm
Q1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
等级
20
±10
100
200
单位
V
V
mA
Q2绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
等级
-20
±10
-100
-200
单位
V
V
mA
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ： Drain2
4 ：源2
5 ： GATE2
6 ： Drain1
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2N1D
（ TA = 25°C ）
绝对最大额定值
（ Q1 ， Q2常见）
特征
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
符号
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
150
150
55~150
单位
mW
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价，装上FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.135毫米
×
6)
0.45 mm
0.3 mm
1
2007-11-01
SSM6L16FE
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
K6
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保环境是
防止静电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
该直接接触与设备应当由防静电材料。
2
2007-11-01
SSM6L16FE
Q1电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
1毫安，V
GS
=
1.5 V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
=
3 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0~2.5 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
分钟。
20
0.6
40
典型值。
1.5
2.2
5.2
9.3
4.5
9.8
70
125
马克斯。
±1
1
1.1
3.0
4.0
15
pF
pF
pF
nS
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
开关时间测试电路
（ a）测试电路
2.5 V
0
10
μs
V
DD
=
3 V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
IN
50
Ω
R
L
V
DD
OUT
（二）V
IN
2.5 V
90%
10%
0V
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
μA
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的电压比V
th
。 （该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上） 。
)
请务必在使用该设备时要考虑到这一点。
3
2007-11-01
SSM6L16FE
Q2电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
= 0.1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= 20
V, V
GS
=
0
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 3
V，I
D
= 10
mA
I
D
= 10
毫安，V
GS
= 4
V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= 10
毫安，V
GS
= 2.5
V
I
D
= 1
毫安，V
GS
= 1.5
V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
= 3
V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0 ~
2.5
V
V
DS
= 3
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
分钟。
20
0.6
25
典型值。
6
8
18
11
3.7
10
130
190
马克斯。
±1
1
1.1
8
12
45
pF
pF
pF
ns
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
IN
50
Ω
R
L
V
DD
2.5
V
90%
OUT
（二）V
IN
0V
10%
2.5V
10
μs
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
= 3
V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
μA
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
较低的电压比V
th
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上） 。
)
使用该设备时，请考虑到这一点。
4
2007-11-01
SSM6L16FE
Q1 （ N沟道MOSFET ）
I
D
– V
DS
250
2.5
200
4 3
10
2.3
2.1
1.9
150
常见的来源
Ta
=
25°C
100
Ta
=
100°C
10
25°C
1
1000
常见的来源
VDS
=
3 V
I
D
– V
GS
（MA ）
漏极电流ID
漏电流
ID
（MA ）
100
1.7
25°C
50
1.5
VGS
=
1.3 V
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
0.01
0
1
2
3
漏源电压
VDS
(V)
栅源电压
VGS （ V）
R
DS （ ON）
– I
D
12
常见的来源
Ta
=
25°C
10
5
6
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
=
10毫安
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
8
VGS
=
1.5 V
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
4
6
3
Ta
=
100°C
25°C
1
25°C
4
2.5 V
2
4V
0
1
10
100
1000
2
0
0
2
4
6
8
10
漏极电流ID （MA ）
栅源电压
VGS （ V）
R
DS （ ON）
- TA
8
常见的来源
2
常见的来源
ID
=
0.1毫安
VDS
=
3 V
V
th
- TA
VTH （V）的
栅极阈值电压
125
150
4 V， 10毫安
100
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
1.6
6
VGS
=
1.5 V， ID
=
1毫安
1.2
4
2.5 V ， 10毫安
2
0.8
0.4
0
25
0
25
50
75
0
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta （C ）
环境温度Ta （C ）
5
2007-11-01
查看更多SSM6L16FEPDF信息
推荐型号
SAM4001
SC1601D
SST29VE010-200-3C-U
SDS850R-223M
SF163C
SP9504JS
SI533RC00100DGR
SHD239606
SC312XDP512F0CAGR
SP6121EB
SMAJ40A
SN74HC86D
S72NS512PE0AJFGC0
SCTA.B.C.D.H222K20
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