SSM6L13TU
东芝场效应晶体管的硅P / N沟道MOS型
SSM6L13TU
电源管理开关应用
高速开关应用
1.8 -V驱动器
N沟道， P沟道2合1
低导通电阻：N沟道
： P沟道
2.1±0.1
1.7±0.1
0.65 0.65
单位：mm
2.0±0.1
1.3±0.1
R
DS （ ON）
= 235毫欧（最大值） （ @V
GS
= 1.8 V)
R
DS （ ON）
= 178毫欧（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
R
DS （ ON）
= 460毫欧（最大值） （ @V
GS
=
1.8
V)
R
DS （ ON）
= 306毫欧（最大值） （ @V
GS
=
2.5
V)
1
2
3
6
5
4
Q1绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
20
±12
0.8
1.6
V
V
A
0.7±0.05
特征
符号
等级
单位
Q2绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
等级
20
±
8
0.8
1.6
单位
V
V
A
1.Source1
2.Gate1
六氟化铀3.Drain2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 7毫克（典型值）。
4.Source2
5.Gate2
6.Drain1
―
―
2-2T1B
（ TA = 25 ° C）
绝对最大额定值
（ Q1 ， Q2公用）
特征
功耗
通道温度
存储温度范围
符号
P
D（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
500
150
55
150
单位
mW
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4电路板（总功耗）
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米）
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
KV
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
1
2010-07-10
+0.06
0.16-0.05
+0.1
0.3-0.05
SSM6L13TU
Q1开关时间测试电路
（ a）测试电路
（二）V
IN
OUT
IN
0V
R
G
10
μs
V
DD
=
10 V
R
G
=
4.7
Ω
税
≤
1%
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25 °C
10 %
2.5 V
90 %
2.5 V
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
90 %
10 %
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS （ ON）
Q2开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
IN
R
G
R
L
V
DD
2.5
V
10 %
OUT
（二）V
IN
0V
90 %
2.5 V
10
μs
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90 %
10 %
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
=
- 10 V
R
G
=
4.7
Ω
税
≤
1 %
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25 °C
V
DD
Q1注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 1毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
TH ，
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
Q2注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
对于1毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
TH ，
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
热阻R
第（章-a）的
和功耗P
D
根据板料，电路板面积，板的厚度各不相同
和焊盘面积。使用本设备时，请带散热考虑。
3
2010-07-10
SSM6L13TU
Q1数据
2
ID - VDS
10 4
2.5
1.8
1.5
10
ID - VGS
漏电流I
D
(A)
ドレイン电流ID （ A）
漏电流I
D
(A)
ドレイン电流ID （ A）
1
Ta=85°C
0.1
1
VGS=1.2V
常见的来源
½ース接地
TA = 25℃
0.01
25°C
0.001
-25°C
Ta=25℃
脉冲测试
常见的来源
VDS = 3V
½ース接地
脉冲测试
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0001
0
VDS=3V
漏源电压V
DS
(V)
ドレイン½ース間電圧 VDS (V)
1
栅源电压V
GS
VGS （ V）
(V)
ゲート½ース間電圧
2
RDS （ ON） - VGS
300
½ース接地
常见的来源
Ta=25°C
TA = 25℃
300
常见的来源
½ース接地
RDS （ ON） - TA
ドレイン½ース間オン抵抗
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
RDS （ ON） （ MΩ）
脉冲测试
200
RDS （ ON） （ MΩ）
0.6A
0.4A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
ドレイン½ース間オン抵抗
250
200
150
100
50
0
脉冲测试
1.8V,0.2A
2.5V,0.4A
100
ID=0.2A
VGS=4V,ID=0.6A
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
栅源电压
ゲート½ース間電圧
V
VGS （ V）
GS
(V)
环境温度Ta （C ）
周囲温度TA（ ℃ ）
300
RDS （ ON） - ID
1
VTH - TA
常见的来源
½ース接地
VDS = 3V
ID=1mA
ID = 1毫安
V
th
(V)
ドレイン½ース間オン抵抗
R
DS （ ON）
(m)
RDS （ ON） （ MΩ）
漏源导通电阻
栅极阈值电压
200
1.8V
2.5V
VGS=4V
ゲートしきい値电圧Vth的（ V）
0.8
VDS=3V
0.6
0.4
100
常见的来源
TA =
½ース 接地
25 °C
0.2
0
0
1
脉冲测试
Ta=25℃
0
2
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
周囲温度TA（ ℃ ）
漏电流I
(A)
ドレイン電流
D
ID （ A）
环境温度
Ta
(°C)
4
2010-07-10
SSM6L13TU
东芝场效应晶体管的硅P / N沟道MOS型
SSM6L13TU
电源管理开关应用
高速开关应用
1.8 V驱动器
P沟道， N沟道2合1
低导通电阻： P沟
：N沟道
2.1±0.1
1.7±0.1
0.65 0.65
+0.1
0.3-0.05
单位：mm
2.0±0.1
1.3±0.1
R
on
= 460毫欧（最大值） （ @V
GS
=
1.8
V)
R
on
= 306毫欧（最大值） （ @V
GS
=
2.5
V)
R
on
= 235毫欧（最大值） （ @V
GS
= 1.8 V)
R
on
= 178毫欧（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
1
2
3
6
5
4
Q1绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
20
±
12
0.8
1.6
V
V
A
0.7±0.05
特征
符号
等级
单位
Q2绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
等级
20
±
8
0.8
1.6
单位
V
V
A
1.Source1
2.Gate1
六氟化铀3.Drain2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 7毫克（典型值）。
4.Source2
5.Gate2
6.Drain1
―
―
2-2T1B
（ TA = 25 ° C）
绝对最大额定值
（ Q1 ， Q2公用）
特征
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
P
D（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
500
150
55
150
单位
mW
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4电路板（总功耗）
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米）
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
KV
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
1
2007-11-01
+0.06
0.16-0.05
SSM6L13TU
Q1数据
I
D
- V
DS
10
I
D
- V
GS
5
10
4.0
2.5
1.8
漏电流I
D
(A)
1
TA = 85°C
4
漏电流I
D
(A)
3
0.1
1.5
2
0.01
25 °C
1
V
GS
= 1.2 V
常见的来源
TA = 25℃
0.001
- 25 °C
常见的来源
V
DS
= 3 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
漏源电压V
DS
(V)
1
0.0001
0
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
2
R
DS
（ON ） - V
GS
200
180
漏源导通电阻
R
DS
（上） （ MΩ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3 4
5 6
7 8
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
9
10
0.5 A
ID = 0.2 A
1A
常见的来源
TA = 25℃
300
250
200
150
R
DS
（ON） - 钽
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS
（上） （ MΩ）
1.8 V ， 0.2 A
2.5 V ， 0.5 A
100
50
0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
= 4 V，I
D
= 1 A
环境温度Ta （
℃
)
200
180
漏源导通电阻
R
DS
（上） （ MΩ）
R
DS
（ON） - 我
D
1
VTH - TA
常见的来源
ID = 1毫安
VDS = 3V
栅极阈值电压Vth （V）的
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
漏电流I
D
(A)
1.8 V
2.5 V
V
GS
= 4 V
0.8
0.6
0.4
常见的来源
TA = 25℃
0.2
0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
环境温度Ta （ ° C）
4
2007-11-01
QQ：2880707522 复制
