SSM6K31FE
硅P沟道MOS类型( Π - MOSⅦ )
暂定
○
高速开关
○
DC-DC变换器
小型封装
低R
DS ( ON)
SSM6K31FE
单位:mm
: R
on
= 240毫欧(典型值) ( @V
GS
= 10 V)
: R
on
= 400毫欧(典型值) ( @V
GS
= 4 V)
最大额定值
(大
=
25 ° C) MOSFET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
储存温度
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
20
±20
1.2
2.4
500
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
1,2,5,6
3
4
:排水
:门
资料来源:
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2N1A
注1 :安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨, Cu焊盘: 645毫米
2
)
重量: 3毫克(典型值)。
记号
电路
( TOP VIEW )
6
5
4
当量
6
5
4
KB
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),确保该
环境进行保护,防止静电放电。操作人员应穿防静电工作服和使用
容器和所制成的防静电材料的其他对象。
该通道到环境热阻R
第(章-a)的
和漏极功耗P
D
根据各不相同
板材料,电路板面积,板的厚度和板面积。使用本设备时,请带热
散热充分考虑。
1
2003-12-19
SSM6K31FE
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030619EAA
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如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
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阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
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(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
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非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
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医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
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2003-12-19