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SSM6K30FE
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（ Π - MOSⅦ ）
SSM6K30FE
○
高速开关
○
DC-DC变换器
小型封装
低R
DS （ ON）
高速开关
: R
on
= 210毫欧（最大值） （ @V
GS
= 10 V)
: R
on
= 420毫欧（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
: t
on
= 19 ns（典型值）
: t
关闭
= 10 ns（典型值）
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C） MOSFET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
储存温度
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
20
±20
1.2
2.4
500
150
55~150
单位
V
V
A
1,2,5,6 ：排水
3
：门
4
资料来源：
JEDEC
mW
°C
°C
―
―
2-2N1A
JEITA
东芝
注意：
重量： 3毫克（典型值）。
重负载下连续使用（例如应用
高温度/电流/电压和温度等的显著变化）可能会导致此产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米
2
)
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
KA
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保
环境进行保护，防止静电。操作人员应穿防静电服装和容器
而且接触到的设备直接接触其他物体应采用防静电材料。
1
2007-11-01
SSM6K30FE
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
5 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
5 V，I
D
=
0.6 A
I
D
=
0.6 A，V
GS
=
10 V
I
D
=
0.6 A，V
GS
=
4 V
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
民
20
1.1
0.68
典型值。
145
260
60
17
47
19
10
最大
±1
1
2.3
210
420
单位
μA
V
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
0.6 A,
V
GS
=
0 4 V ，R
G
=
10
Ω
注2 ：脉冲测量
开关时间测试电路
（ a）测试电路
OUT
（二）V
IN
4V
10%
90%
4 V
0
10
μs
in
R
G
0V
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DD
=
10 V
R
G
=
10Ω
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
0.1毫安此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的电压比V
th
。 （该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上） 。
)
请务必在使用该设备时要考虑到这一点。
2
2007-11-01
SSM6K30FE
I
D
- V
S
3
10
I
D
- V
的s
常见的来源
Ta=25℃
常见的来源
V
DS
=3V
1
2.5
10V
6V
4V
3.7V
(A)
(A)
D
2
0.1
排水Currrent我
25℃
1.5
3.3V
漏电流I
D
0.01
Ta=100℃
-25℃
1
3.0V
2.5V
0.5
0.001
0
0
0.5
1
漏源电压V
DS
(V)
1.5
V
GS
=2.1V
2
0.0001
0
1
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
3
4
R
S（O N）
- I
D
0.5
0.5
R
S（O N）
- V
的s
常见的来源
Ta=25℃
常见的来源
I
D
=0.6A
0.4
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.4
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.3
0.3
V
GS
=4V
0.2
Ta=100℃
25℃
0.2
10V
0.1
0.1
-25℃
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
0
2
4
6
8
10
12
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
R
S（O N）
- T A
0.5
2
V日 - T A
常见的来源
I
D
=0.6A
0.4
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1.8
1.6
1.4
常见的来源
ID=0.1mA
V
DS
=5V
0.3
V
GS
=2.5V
栅极阈值电压
值Vth（ V）的
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
4V
0.1
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT期温度TA（ ℃ ）
AMBIENT期温度TA（ ℃ ）
3
2007-11-01
SSM6K30FE
| Y FS | - 我
D
10000
I
，D R
- V
S
3
常见的来源
V
DS
=5V
Ta=25℃
正向转移导纳| YFS | （MS ）
1000
2.5
（MA ）
常见的来源
V
GS
=0
Ta=25℃
反向漏电流I
DR
2
100
1.5
1
10
0.5
1
0.001
0
0.01
0.1
漏电流I
D
(A)
1
10
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
漏源电压V
DS
(V)
- V DS
1000
吨 - 我
D
常见的来源
V
GS
=0V
f=1MHz
Ta=25℃
1000
常见的来源
V
DD
=10V
100
花花公子
tf
V
GS
=0½ 4V
Ta=25℃
电容C （PF ）
100
西塞
开关时间t（ NS ）
吨
10
科斯
10
tr
CRSS
1
1
0.1
1
10
100
漏源电压V
DS
(V)
0.1
0.01
0.1
DRAIN CURREN我
D
(A)
1
10
达因酰胺在P ü吨通道ARA cteristic
12
10
GS
(V)
常见的来源
V
DD
=16V
I
D
=1.2A
Ta=25℃
8
栅极 - 源极电压V
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Tatal栅极电荷Qg （ NC）
4
2007-11-01
SSM6K30FE
个FE O·P eratin克区
10
IDMAX （脉冲） *
1ms
1
(A)
IDMAX
（连续）
直流操作
Ta=25℃
10ms
100ms
漏电流I
D
0.1
安装在FR4板
(25.4mm×25.4mm×1.6t)
Cu焊盘： 645平方毫米
0.01
*单脉冲
　Ta=25℃
曲线必须是线性降额
以增加温辐射。
0.001
0.1
1
10
100
漏源电压V
DS
(V)
P
D
- TA
600
安装在FR4板
(25.4mm×25.4mm×1.6t)
Cu焊盘： 645平方毫米
500
D
（ mW）的
400
漏极功耗P
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta（ ℃ ）
5
2007-11-01
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推荐型号
STR911FM42X6T
SZ4010
SUT394J
SN74ALVTH162827DL
SRU6025-3R3Y
SN74ALS165
STZT2907
SN74HC193PWT
SC2128C-C90D
SC9S12XEP100J1VAGR
S-1701W5040-U5T1G
SN74LS161N
STI3520ACV
S29GL016A30TFIR10
S-80830CLNB-B9B-T2
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