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SSM6K25FE

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）

SSM6K25FE

高速开关应用

最适用于小型封装的高密度安装

低导通电阻：

= 395mΩ （最大值）（ @V

= 1.8 V)

= 190mΩ （最大值）（ @V

= 2.5 V)

单位：mm

1.6±0.05

1.2±0.05

0.2±0.05

0.5

1.6±0.05

1.0±0.05

= 145mΩ （最大值）（ @V

= 4.0 V)

0.12±0.05

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

GSS

（注1 ）

等级

0.5

1.5

500

150

55~150

单位

°C

英镑

ES6

注意：

JEDEC

―

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

JEITA

―

温度等）可能会导致此产品在减少

东芝

2-2N1A

可靠性显著即使工作条件下（即

重量： 3.0毫克（典型值）。

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

0.55±0.05

1,2,5,6 ：排水

3 ：门

4 ：源

0.5

2007-11-01

SSM6K25FE

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

GSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

测试条件

= ±12V,

1毫安，V

= 12

20 V, V

3 V，I

0.1毫安

3 V，I

0.25 A

0.25 A，V

4.0 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

0.25 A，V

2.5 V

0.25 A，V

1.8 V

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

RSS

OSS

关闭

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V，I

0.25 A,

0 2.5 V ，R

4.7

(Note2)

民

0.5

1.2

典型值。

2.4

125

150

200

268

最大

±1

1.1

145

190

395

mΩ

单位

μA

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

（二）V

OUT

μs

10 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

10%

2.5 V

90%

2.5 V

（三）V

OUT

10%

90%

关闭

DS （ ON）

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

=100

μA

为

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要较低的

电压比V

钍。

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ; V

GS （上）

)

使用该设备时，请考虑到这一点。

2007-11-01

SSM6K25FE

ID - VDS

1600

1400

漏极电流ID （MA ）

1200

1000

800

600

400

200

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压VDS （ V）

ID - VGS

10000

1.6

漏极电流ID （MA ）

1000

100

Ta=100°C

0.1

0.01

栅极 - 源极电压VGS （V）的

25°C

-25°C

常见的来源

VDS=3V

1.8

2.0

3.0

4.0

5.0

VGS=1.4V

常见的来源

Ta=25°C

RDS （ ON） - ID

200

180

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ ）

160

140

120

100

200

RDS （ ON） - VGS

400

350

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ ）

300

250

200

150

100

栅极 - 源极电压VGS （V）的

1.8V

常见的来源

ID=250mA

2.5V

VGS=4V

25°C

Ta=100°C

-25°C

常见的来源

Ta=25°C

400 600 800 1000 1200 1400 1600

漏极电流ID （MA ）

400

350

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ ）

300

250

200

150

100

RDS （ ON） - TA

常见的来源

ID=250mA

栅极阈值电压Vth （V）的

VTH - TA

常见的来源

ID=0.1mA

VDS=3V

0.8

1.8V

2.5V

VGS=4V

0.6

0.4

0.2

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160

环境温度Ta （C ）

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

环境温度Ta （C ）

2007-11-01

SSM6K25FE

| YFS | - ID

1600

反向漏电流IDR （毫安）

1400

1200

1000

800

IDR - VDS

常见的来源

VGS=0V

Ta=25°C

正向转移导纳

| YFS | （ S）

25°C

-25°C

Ta=100°C

IDR

600

400

200

常见的来源

VDS=3V

Ta=25°C

100

1000

10000

漏极电流ID （MA ）

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

漏源电压VDS （ V）

-1

1000

- VDS

1000

吨 - ID

常见的来源

VDD=10V

VGS=0

2.5V

Ta=25°C

电容C （PF ）

开关时间t（ NS ）

西塞

花花公子

100

吨

常见的来源

VGS=0V

f=1MHz

Ta=25°C

0.1

科斯

CRSS

漏源电压VDS （ V）

100

1000

漏极电流ID （MA ）

10000

1000

钯 - TA

安装FR4板

(25.4mm*25.4mm*1.6t

Cu焊盘： 645毫米

)

漏极功耗PD （MW ）

800

600

400

200

80 100 120

环境温度Ta （

℃

)

140

160

2007-11-01

SSM6K25FE

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01