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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1721页 > SSM6K08FU_07
SSM6K08FU
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型（ U- MOSII ）
SSM6K08FU
高速开关应用
小型封装
低导通电阻：
R
on
= 105毫欧（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
R
on
= 140毫欧（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
高速开关：吨
on
= 16 ns（典型值）。
t
关闭
= 15 ns（典型值）。
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
等级
20
±12
1.6
3.2
300
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
JEDEC
JEITA
―
―
注意：
重负载下连续使用（例如应用
东芝
2-2J1D
高温/电流/电压和在显著变化
重量： 6.8毫克（典型值）。
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
图1 。
注1 ：安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
×
6)
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
KDC
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2007-11-01
SSM6K08FU
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
= 12
V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.8 A
I
D
=
0.8 A，V
GS
=
4 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
0.8 A，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
0.8 A，V
GS
=
2.0 V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
0.8 A,
V
GS
=
0 2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
民
20
12
0.5
2.0
典型值。
77
100
125
306
44
74
16
15
最大
±1
1
1.2
105
140
210
pF
pF
pF
ns
mΩ
单位
μA
V
μA
V
S
注2 ：脉冲测试
开关时间测试电路
（ a）测试电路
（二）V
IN
OUT
IN
0V
R
G
10
μs
V
DD
=
10 V
R
G
=
4.7
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
10%
2.5 V
90%
2.5 V
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
μA
为了这
产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
要求较低
电压比V
钍。
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
2
2007-11-01
SSM6K08FU
I
D
– V
DS
4
常见的来源
4 V 2.5 V 2.0 V
Ta
=
25°C
1000
10000
VDS
=
3 V
常见的来源
I
D
– V
GS
Ta
=
100°C
（MA ）
(A)
3
100
漏极电流ID
2
1.7 V
漏极电流ID
25°C
25°C
10
1.6 V
1
1.5 V
1.4 V
VGS
=
1.3 V
0
0
0.5
1
1.5
2
1
0.1
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
漏源电压
VDS
(V)
栅源电压
VGS （ V）
R
DS （ ON）
– I
D
200
常见的来源
Ta
=
25°C
160
400
ID
=
0.8 A
R
DS （ ON）
- TA
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
VGS
=
2.0 V
常见的来源
300
120
2.5 V
4.0 V
200
VGS
=
2.0 V
2.5 V
80
100
4V
40
0
0
1
2
3
0
25
0
25
50
75
100
125
150
漏极电流ID （ A）
环境温度Ta （C ）
R
DS （ ON）
– V
GS
400
ID
=
0.8 A
常见的来源
4
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
I
DR
– V
DS
D
I
DR
S
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
(A)
300
3
200
25°C
Ta
=
100°C
100
25°C
漏极电流IDR
G
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
栅源电压
VGS （ V）
漏源电压
VDS
(V)
3
2007-11-01
SSM6K08FU
V
th
- TA
2
VDS
=
3 V
常见的来源
1.5
10
VDS
=
3 V
ID
=
0.1毫安
3常见的来源
Ta
=
25°C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
0
25
|Y
fs
|
– I
D
栅极阈值电压
1
0.5
3
10
30
100
300
1000
3000 10000
正向转移导纳
|Y
fs
|
(S)
VTH （V）的
漏极电流ID （MA ）
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta （C ）
开关时间
1000
常见的来源
VDD
=
10 V
300
VGS
=
0~2.5 V
Rg
=
4.7
Ω
Ta
=
25°C
1000
500
- V
DS
开关时间t（ NS ）
电容C
100
（PF ）
西塞
100
50
科斯
CRSS
常见的来源
10
VGS
=
0
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
5
0.1
30
吨
10
tr
tf
花花公子
3
0.5
1
5
10
50
100
1
10
漏源电压
30
100
30
1000
300
10000
VDS
(V)
漏极电流ID （MA ）
动态输入特性
10
常见的来源
VDD
=
16 V
350
P
D
- TA
安装在FR4板
300
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6)
图1
栅极 - 源极电压VGS （V）的
（ mW）的
功耗，Pd
2
4
6
8
8号
=
1.6 A
Ta
=
25°C
6
250
200
150
100
50
4
2
0
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
总栅极电荷Qg （ NC）
环境温度Ta （C ）
4
2007-11-01
SSM6K08FU
安全工作区
10
ID MAX（脉冲）
*
1毫秒
10毫秒
1
ID最多
（连续）
0.3
直流操作
Ta
=
25°C
0.1
安装在FR4板
0.03
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6 ）图1
3
(A)
100毫秒
漏极电流ID
0.01
*
单非重复
0.003
脉冲的Ta
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.3
1
3
10
30
100
0.001
0.1
漏源电压
VDS
(V)
0.4 mm
0.8 mm
25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6
图1
5
2007-11-01
查看更多SSM6K08FU_07PDF信息
推荐型号
STK405-030A
SN74AHCT16244DGV
SN74ACT2235FN
SB10100CT
SRA-21T-4
STK10C48
SMBJ5.0(C)
SMTD-160H-16
SM8S20
S29AL016M10FAIR10
SGM2324
S29GL256P12FAI012
SN65555FN
ST72F521R6T6
SN65LVCP204RGZR
SL1935KG
SE5534FK
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