【SSM6J51TU东芝场效应晶体管硅P沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）SSM6J51TU大电流开关】,IC型号SSM6J51TU,SSM6J51TU PDF资料,SSM6J51TU经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM6J51TU

东芝场效应晶体管

硅P沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）

SSM6J51TU

大电流开关应用

适合于高密度安装，由于紧凑的封装

低导通电阻：

= 54毫欧（最大值）（ @V

= -2.5 V)

85毫欧（最大值）（ @V

= -1.8 V)

150mΩ （最大值）（ @V

= -1.5 V)

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

GSS

（注1 ）

英镑

等级

-12

±8

-4

-8

500

150

55~150

单位

°C

1,2,5,6 ：排水

：门

资料来源：

JEDEC

注意：

JEITA

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

2-2T1D

东芝

温度等）可能会导致此产品在减少

重量： 7毫克（典型值）。

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）

记号

等效电路（顶视图）

KPC

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保环境是

防止静电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2007-11-01

SSM6J51TU

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

GSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

测试条件

= ±8

V, V

= 1

毫安，V

= 1

毫安，V

+8 V

= 12

V, V

= 3

V，I

= 1

= 3

V，I

= 2.0

A，V

= 2.5

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 1.0

A，V

= 1.8

= 0.3

A，V

= 1.5

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

RSS

OSS

关闭

（注2 ）

民

0.3

6.0

典型值。

最大

±10

单位

μA

12.0

1700

190

210

120

1.0

150

mΩ

= 10

V, V

0, f

1兆赫

= 10

V, V

0, f

1兆赫

= 10

V, V

0, f

1兆赫

= 10

V，I

= 2.0

0 -2.5 V ，R

4.7

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5

μs

-10 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

（二）V

OUT

10%

90%

2.5

DS （ ON）

90%

10%

（三）V

OUT

关闭

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

-1mA此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要较低的电压比V

。（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）。

)

请务必在使用该设备时要考虑到这一点。

2007-11-01

SSM6J51TU

-8

-4V

-7

– V

-1.5V

常见的来源

25°C

-10000

常见的来源

-1000

VDS

-3 V

– V

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-2.5V

（MA ）

(A)

-100

85°C

-10

25°C

-1

25°C

漏电流

VGS=-1.2V

漏电流

-2

-1.8V

-0.1

-0.5

-1

-1.5

-0.01

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

-1.4

-1.6

漏 - 源极电压

(V)

栅 - 源电压

(V)

DS （ ON）

– V

200

-0.3 A

200

常见的来源

DS （ ON）

– V

-2A

常见的来源

150

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

150

100

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

100

25°C

85°C

25°C

-2

-4

-6

-8

25°C

85°C

25°C

-2

-4

-6

-8

栅 - 源电压

(V)

栅 - 源电压

(V)

DS （ ON）

– I

100

常见的来源

25°C

100

DS （ ON）

- TA

常见的来源

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

-1.5V

-1.8V

-2.5V

=-0.3A

/ VGS

-1.5 V

-1A / -1.8 V

2A / -2.5 V

-4V

-2

-4

-6

-8

100

150

漏电流

(A)

环境温度

(°C)

2007-11-01

SSM6J51TU

- TA

常见的来源

| – I

VDS

-3V

-1mA

(V)

-0.7

-0.6

-0.5

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

(S)

-0.8

0.3

0.1

常见的来源

0.03

0.01

VDS

-3V

25°C

-10

-100

-1000

-10000

100

125

150

正向转移导纳

栅极阈值电压

环境温度

(°C)

漏电流

（MA ）

5000

3000

- V

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

动态输入特性

（PF ）

西塞

1000

500

300

科斯

CRSS

(V)

100

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

-0.1

-1

-10

栅源电压

VDD

-10V

电容

常见的来源

-4 A

25°C

100

120

-100

漏 - 源极电压

(V)

总栅极电荷

（ NC ）

吨 - 我

1000

-8

常见的来源

VGS

25°C

-6

– V

花花公子

(A)

（纳秒）

100

吨

反向漏电流

开关时间

-4

0.01

常见的来源

VDD

-10 V

VGS

0-2.5V

25°C

4.7

0.1

-2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

漏电流

(A)

漏源电压

(V)

2007-11-01

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– t

(°C

1000

单脉冲

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）

瞬态热阻抗

/W)

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度

(s)

安全工作区

-100

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6 t

Cu焊盘： 645毫米）

- TA

1.2

-30

(W)

安装在FR4板

10 s

0.8

(25.4 mm

25.4 mm

1.6 t,

Cu焊盘： 645毫米）

-10

ID MAX（脉冲）

ID MAX（连续）

1毫秒*

10毫秒*

(A)

漏极功耗

-4

0.6

漏电流

-1

直流操作

-0.3

25°C

0.4

10s*

0.2

-0.1

单一非重复脉冲

-0.03

25°C

曲线必须是线性降额

-0.01

-0.1

同的温度升高。

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

100

150

环境温度

(°C)

漏源电压

(V)

2007-11-01

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