SSM6J505NU
MOSFET的
硅P沟道MOS （ U- MOS ）
SSM6J505NU
1.应用
电源管理开关
2.特点
(1)
(2)
1.2V的栅极驱动电压。
低漏源导通电阻
: R
DS （ ON）
= 61毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.2 V)
R
DS （ ON）
= 30毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.5 V)
R
DS （ ON）
= 21毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
DS （ ON）
= 16毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
DS （ ON）
= 12毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
3.封装和引脚分配
1.2.5.6排水
3.门
4.源
UDFN6B
4.绝对最大额定值（注） （除特别注明外，T
a
= 25
)
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
功耗
功耗
通道温度
储存温度
t
≤
10 s
（注1 ）
（注1 ） （注2 ）
（注3）
（注3）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-12
±6
-12
-30
1.25
2.5
150
-55到150
W
W
A
单位
V
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ：脉冲宽度（ PW ）
≤
10毫秒，占空比
≤
1%
注3 ：设备安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注意：
1
2012-08-09
Rev.2.0
SSM6J505NU
注意：
注意：
在此设备中的MOSFET对静电放电很敏感。在处理此设备的工作台，
运营商，电烙铁等物件应加以保护，防止防静电放电。
通道到环境的热阻，R
第（章-a）的
和漏极的功率耗散，磷
D
根据变化
板材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取热
散热充分考虑。
2
2012-08-09
Rev.2.0
SSM6J505NU
5.电气特性
5.1 。静态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
（注2 ）
（注3）
符号
I
GSS
I
DSS
测试条件
V
GS
=
±6
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
民
-12
-7
-0.3
12
典型值。
9
11
13
14
18
24
最大
±1
-1
-1.0
12
16
21
30
61
S
m
V
单位
A
V
（ BR ） DSS
I
D
= -1毫安，V
GS
= 0 V
（注1 ）V
（ BR ） DSX
I
D
= -1毫安，V
GS
= 5 V
V
th
V
DS
= -3 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -4.0 A，V
GS
= -2.5 V
I
D
= -3.5 A，V
GS
= -1.8 V
I
D
= -1.5 A，V
GS
= -1.5 V
I
D
= -0.5 A，V
GS
= -1.2 V
R
DS （ ON）
I
D
= -4.0 A，V
GS
= -4.5 V
正向转移导纳
（注3）
|Y
fs
|
V
DS
= -3 V，I
D
= -2.0 A
注1：如果反偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V
（ BR ） DSX
模式。注意，漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
注2 ：设V
th
是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I
D
）以下（ -1毫安
此设备）。然后，进行正常的开关操作，V
GS （ ON）
必须高于V更高
th
和V
GS （ OFF ）
必须是
比V低
th
。这种关系可表示为：V
GS （ OFF ）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （ ON）
.
使用设备时考虑到这一点。
注3 ：脉冲测量。
25
5.2 。动态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间（导通时间）
切换时间（关断时间）
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
= -10 V，I
D
= -1.0 A
V
GS
= 0至-2.5 V，R 1
G
= 4.7
,
税
≤
1 ％ ，输入：吨
r
, t
f
＆ LT ; 5纳秒
地源，请参见第5.3
测试条件
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
民
典型值。
2700
800
800
46
420
最大
ns
单位
pF
5.3 。开关时间测试电路
图。切换时间5.3.1测试电路
图。 5.3.2波形输入/输出波形
3
2012-08-09
Rev.2.0
QQ：2880707522 复制
