【SSM6J505NUMOSFET的硅P沟道MOS （ U- MOS ）SSM6J505NU1.应用电】,IC型号SSM6J505NU,SSM6J505NU PDF资料,SSM6J505NU经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM6J505NU

MOSFET的

硅P沟道MOS （ U- MOS ）

SSM6J505NU

1.应用

电源管理开关

2.特点

(1)

(2)

1.2V的栅极驱动电压。

低漏源导通电阻

: R

DS （ ON）

= 61毫欧（最大值）（ @V

= -1.2 V)

DS （ ON）

= 30毫欧（最大值）（ @V

= -1.5 V)

DS （ ON）

= 21毫欧（最大值）（ @V

= -1.8 V)

DS （ ON）

= 16毫欧（最大值）（ @V

= -2.5 V)

DS （ ON）

= 12毫欧（最大值）（ @V

= -4.5 V)

3.封装和引脚分配

1.2.5.6排水

3.门

4.源

UDFN6B

4.绝对最大额定值（注）（除特别注明外，T

= 25

)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

通道温度

储存温度

≤

10 s

（注1 ）

（注1 ）（注2 ）

（注3）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

-12

±6

-12

-30

1.25

2.5

150

-55到150

单位

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ：脉冲宽度（ PW ）

≤

10毫秒，占空比

≤

注3 ：设备安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米

)

注意：

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注意：

在此设备中的MOSFET对静电放电很敏感。在处理此设备的工作台，

运营商，电烙铁等物件应加以保护，防止防静电放电。

通道到环境的热阻，R

第（章-a）的

和漏极的功率耗散，磷

根据变化

板材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取热

散热充分考虑。

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5.电气特性

5.1 。静态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

（注2 ）

（注3）

符号

GSS

DSS

测试条件

±6

V, V

= 0 V

= -10 V, V

= 0 V

民

-12

-7

-0.3

典型值。

最大

±1

-1

-1.0

单位

（ BR ） DSS

= -1毫安，V

= 0 V

（注1 ）V

（ BR ） DSX

= -1毫安，V

= 5 V

= -3 V，I

= -1毫安

= -4.0 A，V

= -2.5 V

= -3.5 A，V

= -1.8 V

= -1.5 A，V

= -1.5 V

= -0.5 A，V

= -1.2 V

DS （ ON）

= -4.0 A，V

= -4.5 V

正向转移导纳

（注3）

= -3 V，I

= -2.0 A

注1：如果反偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V

（ BR ） DSX

模式。注意，漏极

源击穿电压被降低在这种模式下。

注2 ：设V

是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I

）以下（ -1毫安

此设备）。然后，进行正常的开关操作，V

GS （ ON）

必须高于V更高

和V

GS （ OFF ）

必须是

比V低

。这种关系可表示为：V

GS （ OFF ）

＆ LT ; V

GS （ ON）

使用设备时考虑到这一点。

注3 ：脉冲测量。

5.2 。动态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

切换时间（导通时间）

切换时间（关断时间）

符号

国际空间站

RSS

OSS

关闭

= -10 V，I

= -1.0 A

= 0至-2.5 V，R 1

= 4.7

税

≤

1 ％，输入：吨

, t

＆ LT ; 5纳秒

地源，请参见第5.3

测试条件

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

民

典型值。

2700

800

420

最大

单位

5.3 。开关时间测试电路

图。切换时间5.3.1测试电路

图。 5.3.2波形输入/输出波形

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5.4 。栅极电荷特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

符号

gs1

测试条件

= -6 V, V

= -4.5 V,

= -12 A

民

典型值。

37.6

4.7

8.4

最大

单位

5.5 。源极 - 漏极特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

二极管的正向电压

（注1 ）

符号

DSF

测试条件

= 4.0 A，V

= 0 V

民

典型值。

0.8

最大

1.0

单位

注1 ：脉冲测量。

6.标记

图。 6.1标识

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7.特性曲线（注）

图。 7.1我

- V

图。 7.2我

- V

图。 7.3

DS （ ON）

- V

图。 7.4

DS （ ON）

- V

图。 7.5

DS （ ON）

- I

图。 7.6

DS （ ON）

- T

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