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SSM6J26FE
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS型( U- MOSIII )
SSM6J26FE
高速开关应用
最适用于小型封装的高密度安装
低导通电阻:
R
on
= 230mΩ (最大值) ( @V
GS
= -4 V)
R
on
= 330mΩ (最大值) ( @V
GS
= -2.5 V)
R
on
= 980mΩ (最大值) ( @V
GS
= -1.8 V)
单位:mm
1.6±0.05
1.2±0.05
0.2±0.05
0.5
1.6±0.05
1.0±0.05
1
2
3
6
5
4
0.12±0.05
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(注1 )
等级
-20
±
8
-0.5
-1.5
500
150
55~150
单位
V
A
mW
°C
°C
0.55±0.05
ES6
JEDEC
1,2,5,6 :排水
3 :门
4 :源
V
T
ch
T
英镑
重负载下连续使用(例如应用
JEITA
高温/电流/电压和在显著变化
东芝
2-2N1A
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
重量: 3.0毫克(典型值)。
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨, Cu焊盘: 645毫米)
注意:
记号
6
5
4
等效电路
( TOP VIEW )
6
5
4
PI
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),可确保环境是
防止静电电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱和其他对象
该直接接触与设备应当由防静电材料。
0.5
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
1
2007-11-01
SSM6J26FE
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±
8 V, V
DS
=
0
I
D
=
-1毫安,V
GS
=
0
I
D
=
-1毫安,V
GS
= +8
V
V
DS
=
-20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
-3 V,I
D
=
-0.1毫安
V
DS
=
-3 V,I
D
=
-0.25 A
I
D
=
-0.25 A,V
GS
=
-4 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
I
D
=
-0.25 A,V
GS
=
-2.5 V
I
D
=
-0.25 A,V
GS
=
-1.8 V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
-20
-12
-0.5
0.8
典型值。
1.7
200
260
400
250
35
45
14
15
最大
±1
-1
-1.1
230
330
980
pF
pF
pF
ns
单位
μA
V
μA
V
S
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
-10 V,I
D
=
-0.25 A,
V
GS
=
0 -2.5 V ,R
G
=
4.7
Ω
注2 :脉冲测试
开关时间测试电路
( a)测试电路
0
IN
R
G
R
L
V
DD
2.5
V
90%
OUT
(二)V
IN
0V
10%
2.5V
10
μs
(三)V
OUT
V
DS ( ON)
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
=
-10 V
R
G
=
4.7
Ω
D.U.
& LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时,低工作电流值是我
D = -
100
μA
此产品。对于正常的开关操作,V
GS (上)
需要较高的电压比V
th
和V
GS (关闭)
需要较低的
电压比V
钍。
(该关系,可以建立如下:V
GS (关闭)
& LT ; V
th
& LT ; V
GS (上)
)
使用该设备时,请考虑到这一点。
2
2007-11-01
SSM6J26FE
ID - VDS
-1600
-1400
漏极电流ID (MA )
-1200
-1000
-800
-600
ID - VGS
-10000
-2.0
-1.8
漏极电流ID (MA )
- 1000
-100
Ta=100°C
- 10
-1
- 0.1
- 0.01
25°C
-25°C
常见的来源
VDS=-3V
0
-
-1
-2
栅极 - 源极电压VGS (V)的
-3
-5.0
-3.0
-4.0
-1.6
VGS=-1.4V
-400
-200
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
漏源电压VDS ( V)
常见的来源
Ta=25°C
500
RDS ( ON) - ID
RDS ( ON) - VGS
500
常见的来源
ID=-250mA
-1.8V
漏源导通电阻
RDS ( ON) ( MΩ )
400
漏源导通电阻
RDS ( ON) ( MΩ )
400
300
300
-2.5V
200
VGS=-4V
200
Ta=100°C
25°C
100
100
-25°C
0
0
-200
-400
-600
-800
常见的来源
Ta=25°C
-1000 -1200 -1400 -1600
0
0
-1
-2
-3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10
栅极 - 源极电压VGS (V)的
漏极电流ID (MA )
500
RDS ( ON) - TA
常见的来源
ID=-250mA
-1.8V
栅极阈值电压Vth (V)的
-1
VTH - TA
常见的来源
ID=-0.1mA
VDS=-3V
漏源导通电阻
RDS ( ON) ( MΩ )
400
-0.8
-2.5V
300
-0.6
VGS=-4V
200
-0.4
-0.2
100
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
3
2007-11-01
SSM6J26FE
10
| YFS | - ID
1600
反向漏电流IDR (毫安)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
-100
-1000
-10000
0.0
0.2
漏极电流ID (MA )
IDR - VDS
常见的来源
VGS=0V
Ta=25°C
正向转移导纳
| YFS | ( S)
25°C
1
-25°C
Ta=100°C
常见的来源
VDS=-3V
Ta=25°C
0
-10
0.4
0.6
0.8
漏源电压VDS ( V)
1.0
1000
- VDS
1000
吨 - ID
常见的来源
VDD=-10V
VGS=0
~-
2.5V
Ta=25°C
电容C (PF )
开关时间t( NS )
西塞
花花公子
100
100
tf
tr
常见的来源
VGS=0V
f=1MHz
Ta=25°C
10
-0
科斯
CRSS
10
-1
-10
漏源电压VDS ( V)
-100
1
-10
-100
-1000
漏极电流ID (MA )
-10000
1000
钯 - TA
安装FR4板
(25.4mm*25.4mm*1.6t
Cu焊盘: 645毫米
2
)
漏极功耗PD (MW )
800
600
DC
400
200
0
0
20
40
60
80 100 120
环境温度Ta (
)
140
160
4
2007-11-01
SSM6J26FE
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
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该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SSM6J26FE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
SSM6J26FE
TOSHIBA
2019
79600
ES6
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
SSM6J26FE
TOSHIBA/东芝
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SSM6J26FE
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
SOT-563
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SSM6J26FE
TOSHIBA/东芝
24+
9634
SOT-563ES6
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
SSM6J26FE
TOSHIBA
21+22+
62710
SOT563
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
SSM6J26FE
TOSHIBA/东芝
24+
5000
SOT-563
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
SSM6J26FE
TOSHIBA/东芝
24+
21000
SOT-363
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
SSM6J26FE
TOSHIBA
2006
24000
SOT563
只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507169 复制

电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
SSM6J26FE
TOSHIBA
22+
33000
SOT-563
★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SSM6J26FE
TOSHIBA/东芝
2024
30475
SOT-563
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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