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SSM6J21TU
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS型( U- MOSⅣ )
SSM6J21TU
大电流开关应用
适合于高密度安装,由于紧凑的封装
低导通电阻:
R
on
= 88毫欧(最大值) ( @V
GS
= -2.5 V)
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
-12
±12
-3
-6
500
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
1,2,5,6 :排水
3
:门
4
资料来源:
JEDEC
-
注意:
重负载下连续使用(例如应用
JEITA
-
高温/电流/电压和在显著变化
东芝
2-2T1D
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
重量: 7毫克(典型值)。
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨, Cu焊盘: 645毫米)
记号
6
5
4
等效电路
6
5
4
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),确保该环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电的衣服和使用的容器和
所制成的防静电材料的其他对象。
1
2007-11-01
SSM6J21TU
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
=
-1毫安,V
GS
=
0
I
D
=
-1毫安,V
GS
=
+8 V
V
DS
=
-12 V, V
GS
=
0
V
DS
=
-3 V,I
D
=-0.1
mA
V
DS
=
-3 V,I
D
=
-1.5 A
I
D
=
-1.5 A,V
GS
=
-4 V
I
D
=
-1.5 A,V
GS
=
-2.5 V
(Note2)
(Note2)
(Note2)
-12
-4
-0.5
4.3
典型值。
35
50
1300
330
400
68
76
最大
±1
-1
-1.1
50
88
单位
μA
V
μA
V
S
pF
pF
pF
ns
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
注2 :脉冲测试
开关时间测试电路
( a)测试电路
0
2.5
V
10
μs
V
DD
=
-10 V
R
G
=
4.7
Ω
D.U.
& LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
I
D
(二)V
IN
OUT
0V
10%
90%
in
R
G
V
DD
2.5
V
V
DS ( ON)
90%
10%
t
r
t
on
(三)V
OUT
V
DD
t
f
t
关闭
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时,低工作电流值是我
D
=
-100
μA
此产品。对于正常的开关操作,V
GS (上)
需要更高的电压比V
th
和V
GS (关闭)
需要
电压比V低
钍。
(关系,可以建立如下:V
GS (关闭)
& LT ;
V
th
& LT ;
V
GS (上)
)
请考虑到这一点,使用该设备。
2
2007-11-01
SSM6J21TU
-4V
-6
-2.5V
-5
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
-10000
常见的来源
VDS
=
-3 V
-1000
I
D
– V
GS
(A)
I
D
-4
-1.8V
-3
(MA )
-100
Ta
=
100°C
-10
25°C
-1
25°C
漏电流
-2
VGS=-1.5V
-1
漏电流
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-0.1
0
-0.01
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
漏源电压
V
DS
(V)
栅极 - 源
V
GS
(V)
R
DS ( ON)
– I
D
100
常见的来源
Ta
=
25°C
R
DS ( ON)
– V
GS
200
ID
=
-1.5 A
常见的来源
Ta=25℃
150
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
80
60
-2.5V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
100
40
-4V
50
20
0
0
-2
-4
-6
-8
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
漏电流
I
D
(A)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS ( ON)
- TA
100
常见的来源
-1.2
V
th
- TA
常见的来源
V
th
(V)
ID
=-1.5A
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
80
-2.5 V
60
-1.0
VDS
=
-3V
ID
=
-0.1毫安
栅极阈值电压
-0.8
-0.6
40
VGS
=
-4 V
-0.4
20
-0.2
0
50
0
50
100
150
0
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-11-01
SSM6J21TU
|Y
fs
| – I
D
(S)
-30
-10
5000
3000
- V
DS
Y
fs
(PF )
西塞
1000
500
300
正向转移导纳
-3
-1
-0.3
-0.1
常见的来源
-0.03
-0.01
1
VDS
=
-3V
Ta
=
25°C
-10
-100
-1000
-10000
C
科斯
CRSS
电容
100
50
30
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
-1
-10
-100
10
-0.1
漏电流
I
D
(MA )
漏源电压
V
DS
(V)
动态输入特性
-10
10000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
-10 V
VGS
=
0-2.5V
Ta
=
25°C
RG
=
4.7
Ω
1000
(V)
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
10
20
常见的来源
ID
=
-3 A
Ta
=
25°C
30
35
10
0.01
VDD
=
-10V
V
GS
栅源电压
スイッチング時間
t
(纳秒)
tf
100
花花公子
tr
0.1
1
10
总栅极电荷
Q
g
( NC )
漏电流
I
D
(A)
I
DR
– V
DS
-8
常见的来源
(A)
VGS
=
0
Ta
=
25°C
-6
D
I
DR
S
I
DR
反向漏电流
G
-4
-2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
漏源电压
V
DS
(V)
4
2007-11-01
SSM6J21TU
r
th
– t
w
1000
r
th
( ° C / W)
单脉冲
安装在FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨, Cu焊盘: 645毫米)
100
瞬态热阻抗
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
-100
安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t
2
Cu焊盘: 645毫米)
P
D
- TA
1.2
安装在FR4板
-30
(W)
-10
1
t
=
10 s
0.8
(A)
-3
I
D
10毫秒*
漏极功耗
ID MAX(连续)
1毫秒*
P
D
ID MAX(脉冲)
*
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
2
Cu焊盘: 645毫米
0.6
DC
0.4
漏电流
-1
直流操作
-0.3
Ta
=
25°C
10s*
0.2
-0.1
* :单
nonrepetive脉冲
-0.03
Ta
=
25°C
曲线必须linealy降级
-0.01
-0.1
以增加温辐射。
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
0
0
50
100
150
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
5
2007-11-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SSM6J21TU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SSM6J21TU
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
SOT-363
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SSM6J21TU
TOSHIBA/东芝
24+
12300
SOT-363
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SSM6J21TU
TOSHIBA
25+23+
25500
SOT-363
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
SSM6J21TU
TOSHIBA
21+22+
62710
SOT363
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
SSM6J21TU
TOSHIBA
08+
63660
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制 点击这里给我发消息 QQ:28818943932881894393 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制

电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
SSM6J21TU
TOSHIBA
2025+
5185
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全新原装、公司现货热卖
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
SSM6J21TU
TOSHIBA
25+23+
49816
SOT363
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
SSM6J21TU
TOSHIBA/东芝
24+
21000
SOT-363
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507169 复制

电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
SSM6J21TU
TOSHIBA
22+
33000
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SSM6J21TU
TOSHIBA/东芝
2024
30475
SOT-363
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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