SSM6J212FE
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）
SSM6J212FE
○
电源管理开关应用
1.5 -V驱动器
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 94.0毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.5 V)
R
DS （ ON）
= 65.4毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
DS （ ON）
= 49.0毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
DS （ ON）
= 40.7毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
（注1 ）
I
DP
（注1 ）
P
D
（注2 ）
T = 10秒
T
ch
T
英镑
等级
-20
±
8
-4.0
-8.0
500
700
150
55
150
单位
V
V
A
1,2,5,6
：
漏
mW
°C
°C
3
：
门
：
来源
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
ES6
JEDEC
4
―
JEITA
―
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
东芝
2-2N1J
温度等）可能会导致此产品在减少
重量： 3毫克（典型值）。
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。
注2 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
标识（ TOP VIEW ）
6
5
4
等效电路
6
5
4
PQ
1
2
3
1
2
3
1
2009-12-09
SSM6J212FE
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
测试条件
民
-20
（注4 ）
-15
-0.3
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
4.7
典型值。
9.4
35.3
41.3
48.6
56.7
970
127
109
47
143
14.1
1.7
2.4
0.87
最大
-1
±1
-1.0
40.7
49.0
65.4
94.0
1.2
V
nC
ns
pF
mΩ
单位
V
V
μA
μA
V
S
V
（ BR ） DSS
I
D
=
-1毫安，V
GS
=
0 V
V
（ BR ） DSX
I
D
=
-1毫安，V
GS
=
5 V
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
-3 V，I
D
=
-1毫安
V
DS
=
-3 V，I
D
=
-1.0 A
I
D
=
-3.0 A，V
GS
=
-4.5 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
-2.0 A，V
GS
=
-2.5 V
I
D
=
-1.0 A，V
GS
=
-1.8 V
I
D
=
-0.5 A，V
GS
=
-1.5 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源正向电压
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
V
DSF
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
0 V
f
=
1兆赫
V
DD
=
-10 V，I
D
=
-2.0 A
V
GS
=
0至-2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
V
DD
=
-10 V，I
DD
=
-4.0 A,
V
GS
=
-4.5 V
I
D
=
4.0 A，V
GS
=
0 V
（注3）
注3 ：脉冲测试
注4 ： V
DSX
模式（栅极和源极之间加上电压的应用）可能会导致降低最高可
漏极 - 源极电压的额定值
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
OUT
IN
R
G
R
L
V
DD
2.5
V
10%
（二）V
IN
0V
90%
2.5V
10
μs
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
= -10 V
R
G
=
4.7
Ω
税
≤
1%
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
关于使用注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= -1毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
热阻R
第（章-a）的
极和漏极功耗P
D
根据板料，电路板面积，董事会各不相同
厚度和板面积。使用本设备时，请带散热考虑
2
2009-12-09
QQ：2880707522 复制
