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SSM6J206FE

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型

SSM6J206FE

○

电源管理开关应用

○

高速开关应用

1.8 V驱动器

低导通电阻：

= 320毫欧（最大值）（ @V

= -1.8 V)

= 186毫欧（最大值）（ @V

= -2.5 V)

= 130毫欧（最大值）（ @V

= -4.0 V)

单位：mm

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

储存温度

脉冲

符号

GSS

（注1 ）

英镑

等级

-20

-2

-4

500

150

单位

°C

ES6

1，2， 5 ，6：排水

：门

资料来源：

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

注1 ：安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）

注意：

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2N1A

重量： 3毫克（典型值）。

电气特性

（大

25°C)

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

测试条件

-1毫安，V

= +8

-20 V, V

= ±8

V, V

-3 V，I

-1毫安

-3 V，I

-1 A

-1.0 A，V

-4 V

漏源导通电阻

-0.5 A，V

-2.5 V

-0.2 A，V

-1.8 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

（注2 ）

民

-20

-12

-0.3

2.4

典型值。

130

180

335

0.85

最大

-10

±1

-1.0

130

186

320

1.2

mΩ

单位

μA

-10 V, V

0, f

1兆赫

-10 V, V

0, f

1兆赫

-10 V, V

0, f

1兆赫

-10 V，I

-1 A,

0至-2.5 V ，R

4.7

2 A，V

（注2 ）

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

2007-11-01

SSM6J206FE

开关时间测试电路

（ a）测试电路

OUT

2.5

90%

（二）V

10%

2.5V

μs

（三）V

OUT

DS （ ON）

90%

10%

关闭

10 V

4.7

税

≦

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

关于使用注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

= -1毫安

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要较低的

电压比V

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ; V

GS （上）。

)

使用设备时考虑到这一点。

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

2007-11-01

SSM6J206FE

ID - VDS

-5

-10

-4

-2.5

-4

常见的来源

TA = 25

℃

-10

常见的来源

VDS = -3 V

-1

ID - VGS

漏极电流ID （ A）

-3

-1.8

-0.1

℃

-2

-1.5

-1

VGS = -1.2 V

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-0.01

TA = 85

℃

-25

℃

-0.001

-0.0001

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

-1.6

-1.8

-2

-2.2

-2.4

漏源电压VDS （ V）

栅极 - 源极电压VGS （V）的

RDS （ ON） - VGS

300

-0.5 A

常见的来源

TA = 25

℃

250

300

常见的来源

RDS （ ON） - TA

-1.8 V， -0.2

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ）

200

-0.2 A

漏源导通电阻

RDS (ON)　(½Ω)

ID = -1

200

-2.5 V， -0.5

150

100

VGS = -4 V ， ID = -1

-60

-35

-10

115

140

栅极 - 源极电压VGS （V）的

环境温度Ta（ ℃ ）

RDS （ ON） - ID

VTH - TA

300

VGS = -1.8 V

250

常见的来源

TA = 25

℃

-1.4

常见的来源

为ID = -1毫安

VDS = -3 V

-1.2

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ）

栅极阈值电压Vth （V）的

-5

200

-1

150

-2.5 V

-0.8

-0.6

100

-4 V

-0.4

-0.2

-1

-2

-3

-4

-0

-25

100

125

150

漏极电流ID （ A）

环境温度Ta（ ℃ ）

2007-11-01

SSM6J206FE

| YFS | - ID

IDR - VDS

正向转移导纳| YFS | （ S）

℃

雨 EVERSE光凭目前 ID R（ A）

常见的来源

VDS = -3 V

TA = 25

℃

常见的来源

VGS = 0

TA = 25

℃

TA = 85

℃

-25

℃

0.1

-25

℃

0.01

TA = 85

℃

0.1

-0.01

0.001

-0.1

-1

-10

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

漏极电流ID （ A）

漏源电压VDS （ V）

- VDS

1000

吨 - ID

西塞

花花公子

常见的来源

VDD = -10 V

VGS = 0至-2.5 V

TA = 25

℃

SW痒时间t（ NS ）

apacitance C（ pF）的

100

科斯

CRSS

常见的来源

VGS = 0 V

F = 1 MHz的

TA = 25

℃

-0.1

-1

-10

-100

吨

0.01

0.1

漏源电压VDS （ V）

漏极电流ID （ A）

1000

钯 - TA

安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

漏极功耗PD （MW ）

800

600

400

200

100

120

140

160

环境温度Ta （C ）

2007-11-01

SSM6J206FE

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01