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SSM6J08FU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSII ）
SSM6J08FU
电源管理开关
DC-DC变换器
小型封装
低导通电阻，R
on
= 0.18
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
: R
on
= 0.26
（最大值） （ @V
GS
=
2.5
V)
低栅极阈值电压
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
（注2 ）
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
20
±12
1.3
2.6
300
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
注意：
JEDEC
―
重负载下连续使用（例如应用
JEITA
―
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
东芝
2-2J1D
可靠性显著即使工作条件下（即
重量： 6.8毫克（典型值）。
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
×
6 ）所示： 1 。
注2 ：脉冲宽度有限的最大通道温度。
记号
等效电路
图1 ： 25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6 t,
Cu焊盘： 0.32毫米
2
×
6
6
5
4
6
5
4
0.4 mm
0.8 mm
KDD
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该
环境的保护，防止静电电。操作人员应穿防静电服装，和
这都与设备直接接触的容器和其他物品应采用防静电材料。
1
2007-11-01
SSM6J08FU
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
12 V
V
DS
= 20
V, V
GS
=
0
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.65
A
I
D
= 0.65
A，V
GS
= 4
V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= 0.65
A，V
GS
= 2.5
V
I
D
= 0.65
A，V
GS
= 2.0
V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
民
20
8
0.5
1.3
典型值。
2.7
140
200
260
370
73
116
33
47
最大
±1
1
1.1
180
260
460
pF
pF
pF
ns
ns
mΩ
单位
μA
V
μA
V
S
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= 10
V，I
D
= 0.65
A,
V
GS
=
0 -2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
注3 ：脉冲测试
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
2.5
V
10
μs
V
DD
= 10
V
R
G
=
4.7
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
I
D
IN
R
G
V
DD
2.5
V
OUT
（二）V
IN
0V
10%
90%
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 100 μA
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要的电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
2
2007-11-01
SSM6J08FU
I
D
– V
DS
3.0
10
2.5
4.0
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
1000
10000
常见的来源
VDS
= 3
V
I
D
– V
GS
漏电流I
D
（MA ）
(A)
100°C
100
Ta
=
25°C
10
2.0
2.0
1.8
漏极电流ID
1.5
1.0
1.6
VGS
= 1.4
V
1
25°C
0.5
0.1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
漏源电压
VDS
(V)
栅源电压
VGS （ V）
R
DS （ ON）
– I
D
1.0
常见的来源
Ta
=
25°C
0.8
0.8
1.0
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
= 0.65
A
Ta
=
25°C
漏源导通电阻
R
DS
（上）（ Ω ）
漏源导通电阻
R
DS
（上）（ Ω ）
3.0
0.6
VGS
= 2
V
0.4
2.5
0.2
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电流ID （ A）
栅源电压
VGS （ V）
|Y
fs
|
– I
D
R
DS （ ON）
- TA
0.5
常见的来源
0.4
VGS
= 2
V
ID
= 0.65
A
10
漏源导通电阻
R
DS
（上）（ Ω ）
正向转移导纳
|Y
fs
|
(S)
1
0.3
2.5
0.2
4
0.1
0.1
常见的来源
VDS
= 3
V
Ta
=
25°C
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.01
0.1
1
10
环境温度Ta （C ）
漏极电流ID （ A）
3
2007-11-01
SSM6J08FU
V
th
- TA
1.0
常见的来源
600
- V
DS
常见的来源
500
VGS
=
0
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
400
西塞
VTH （V）的
0.8
VDS
= 3
V
ID
= 0.1
mA
栅极阈值电压
电容C
0.6
（PF ）
0.4
300
200
科斯
100
CRSS
0.2
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
4
8
12
16
20
环境温度Ta （C ）
漏源电压
V
DS
(V)
吨 - 我
D
1000
2.0
常见的来源
VGS
=
0
1.5
Ta
=
25°C
I
DR
– V
DS
反向漏电流IDR （ A）
D
I
DR
S
开关时间t（ NS ）
100
花花公子
tf
吨
10
tr
常见的来源
VDD
= 10
V
VGS
=
0~2.5 V
Ta
=
25°C
1
0.01
RG
=
4.7
Ω
0.1
1
10
G
1.0
0.5
0
0
0.5
1
漏源电压
VDS
(V)
漏极电流ID （ A）
安全工作区
动态输入特性
10
常见的来源
10
V
ID MAX（脉冲）
ID MAX（连续）
1
10
安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×1.6
t
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6 ）所示： 1
10毫秒*
100毫秒*
栅极 - 源极电压VGS （V）的
VDD
= 16
V
6
漏极电流ID
(A)
8
ID
= 1.3
A
Ta
=
25°C
直流操作
Ta
=
25°C
0.1
*:
单非重复性
脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.01
0.1
1
10
4
2
0
0
VDSS最大
100
2
4
6
8
总栅极电荷Qg （ NC）
漏源电压
V
DS
(V)
4
2007-11-01
SSM6J08FU
r
th
– t
w
1000
瞬态热阻抗
th
（ ° C / W）
100
10
单脉冲
安装在FR4电路板（25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6 t,
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6)
图： 1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
TW （S ）
P
D
- TA
350
安装在FR4板
漏极功耗PD （MW ）
300
250
200
150
100
50
0
0
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
2
Cu焊盘： 0.32毫米
×
6)
图： 1
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
5
2007-11-01
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ST25W02B6TR
SPD02N50C3
ST92F250JV2T6
S-93A86A
SC1633-3CS
SNJ54ALS137AJ
S10064-01
SD403C16S10C
SIQ125R-5R8
SY100E131JYTR
S29GL01GP13FFI013
SN74HC02-EP
SY100S364JZ
SN74AHC1G86-EP
S6B1713A11-XXX0
STD18N55M5
SFC2309-200
STO-1.0-250N
SCA3100-D07
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    联系人：杨小姐
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