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SSM60T03GH,J
N沟道增强模式功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
描述
该SSM60T03 acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路,低栅极电荷。这是
适用于低电压应用,如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM60T03GH是在TO -252封装,这是
广泛用于商业和工业表面贴装
应用程序。
通孔版, SSM60T03GJ在TO- 251 ,
可以垂直安装,在占用空间小
需要在黑板上,和/或外部散热器
要附加。
这些器件采用先进工艺制造,
提供改进的导通电阻和开关性能。
该器件具有最高结温额定值
为175℃ ,以改善热余量和可靠性。
30V
12m
45A
无铅;符合RoHS标准的TO- 251 ( IPAK )
和TO - 252 ( DPAK )
G
S
D
S
TO- 251 (后缀十)
TO- 252 (标H )
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
连续
漏极电流,T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
脉冲
漏电流
1
功耗,T
C
= 25°C
线性
降额因子
单身
脉冲雪崩能量
3
存储
温度范围
操作
结温范围
价值
30
±20
45
32
120
44
0.352
29
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
mJ
°C
°C
特征
符号
R
Θ
JC
R
Θ
JA
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
3.4
110
单位
° C / W
° C / W
注意事项:
1.Pulse宽度必须被限制,以避免超过其安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.V
DD
= 25V ,L = 100UH中,R
G
=25 , I
AS
=24A.
2005年10月16日Rev.3.1
www.SiliconStandard.com
1 5
SSM60T03GH,J
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
(在TJ = 25 ° C,除非另有规定)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
参考至25℃ ,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=15A
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
0.026
-
-
-
25
-
-
-
11.6
3.9
7
8.8
57.5
18.5
6.4
1135
200
135
-
-
12
25
3
-
1
250
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
T
j
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=10A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
= 0V , TJ = 175℃
V
GS
= ±20V
I
D
=20A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=20A
R
G
=3.3
,
V
GS
=10V
R
D
=0.75
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 45A ,V
GS
=0V
I
S
= 20A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
23.3
16
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度必须被限制,以避免超过其安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.V
DD
= 25V ,L = 100UH中,R
G
=25 , I
AS
=24A.
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2 5
SSM60T03GH,J
125
90
T
C
=25
o
C
100
T
C
=175 C
10V
8.0V
I
D
,漏电流( A)
60
o
10V
8.0V
I
D
,漏电流( A)
75
6.0V
6.0V
5.0V
50
5.0V
30
V
G
=4.0V
25
V
G
=4.0V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
2
I
D
=20A
T
C
=25 ° C
60
1.6
I
D
=20A
V
G
=10V
归一化
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m )
40
1.2
20
0.8
0
3
5
7
9
11
0.4
-50
25
100
175
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻与栅极电压
100
2.8
图4.归一导通电阻
- 结温
2.3
10
1.8
I
S
(A)
T
j
=175 C
o
T
j
=25 C
o
V
GS ( TH)
(V)
1.3
1
0.8
0.1
0
0.5
1
1.5
0.3
-50
25
100
175
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压与
结温
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SSM60T03GH,J
12
10000
f=1.0MHz
I
D
=20A
V
GS
,门源电压( V)
9
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
C( pF)的
1000
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
100
0
6
12
18
24
1
8
15
22
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应(R
thJC
)
占空比= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
10
1ms
T
C
=25
o
C
单脉冲
10ms
100ms
DC
1
10
100
t
T
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
0.01
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热Impedanc
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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SSM60T03GH,J
物理尺寸
E
b3
L3
A
c2
S
Y
M
B
O
L
TO-252-3L
MILLIMETERS
分钟。
1.80
0.00
0.40
4.80
0.35
0.40
5.10
6.00
2.30 BSC
7.80
1.00
2.20
0.35
0.50
0.50
11.05
2.55
3.05
0.65
2.03
1.20
马克斯。
2.80
0.13
1.00
5.90
0.65
0.89
6.30
7.00
A
A1
D
b
b3
H
L4
c
c2
A
A
请参见视图B
D
E
e
H
e
b
与电镀
c
L
L1
贱金属
截面A-A
L2
L3
L4
θ
压力表飞机
飞机座位
L
视图B
θ
A1
L2
L1
*尺寸不包括塑模突出。
最热
部件号: 60T03GH或60T03GJ
XXXXXX
YWWSSS
日期/批号: ( YWWSSS )
今年Y =最后一位
WW =周
SSS =大量的代码序列
包装:
湿度敏感度等级MSL3
TO- 252 : 3000只在防静电胶带内部的防潮袋( MBB )包装一个趔趄。
TO- 251 :防静电袋1000个内部防潮袋( MBB )包装。
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而,硅标准公司不做任何
担保或保证,明示或暗示对这些信息的可靠性,准确性,及时性或完整性不承担任何
其使用的责任,或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因,任何产品进行更改的权利,包括
无需在可靠性,功能或设计限制的增强。没有获发牌照,无论明示或暗示,就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品,任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2005年10月16日Rev.3.1
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SSM60T03GH
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SSM60T03GH
VBSEMI
2443+
23000
TO-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
SSM60T03GH
SILICON
24+
32000
TO-252
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SSM60T03GH
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▲10/11+
9067
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SSM60T03GH
VB
25+23+
35500
TO-252
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
SSM60T03GH
APEC
13+
18500
TO-252
全新原装正品,大量现货库存供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SSM60T03GH
SILICON LABS/芯科
21+
33288
TO-252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881239445 复制

电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
SSM60T03GH
APEC
17+
15000
TO-252
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SSM60T03GH
S
21+
41150
TO-252
全新原装正品/质量有保证
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