SSM5N16FE
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
1毫安，V
GS
=
1.5 V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
3 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0~2.5 V
民
20
0.6
40
典型值。
1.5
2.2
5.2
9.3
4.5
9.8
70
125
最大
±1
1
1.1
3.0
4.0
15
pF
pF
pF
ns
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
开关时间测试电路
（ a）测试电路
2.5 V
0
10
μs
V
DD
=
3 V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
OUT
IN
50
Ω
R
L
V
DD
0V
10%
（二）V
IN
2.5 V
90%
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
μA
为了这
产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
要求较低
电压比V
th
。 （关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
2
2007-11-01
SSM5N16FE
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
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2007-11-01
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