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SSM5H14F

硅N沟道MOS型（U - MOSⅢ ） /硅外延肖特基二极管

SSM5H14F

○

电池组的保险丝熔断的应用

1.8 -V驱动器

一个N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管在一个封装中。

低R

DS （ ON）

低V

单位：mm

绝对最大额定值

MOSFET

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

脉冲

符号

DSS

GSS

（注1 ）

等级

±12

3.0

6.0

0.75

150

单位

°C

1.门

2.源

3.阳极

4.阴极

5.排水

肖特基二极管

（大

25°C)

特征

最大（峰值）反向电压

反向电压

平均正向电流

最大（峰值）正向电流

浪涌电流（ 10毫秒）

结温

符号

FSM

等级

100

300

125

单位

°C

SMV

JEDEC

JEITA

东芝

SC-74A

2-3L1F

重量： 14毫克（典型值）。

MOSFET和二极管

（大

25°C)

特征

存储温度范围

工作温度范围

符号

英镑

OPR

等级

到125

100

单位

°C

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使

的操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：安装在FR4电路板（25.4毫米

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米）

记号

等效电路（顶视图）

KEZ

2009-05-15

SSM5H14F

MOSFET

电气特性（Ta = 25 ° C）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

开启时间

打开-O FF时间

关闭

DSF

= 15 V，I

= 3.0 A

= 4 V

10 V，I

2 A

0 2.5 V ，R

4.7

-3.0 A，V

0 V

(Note2)

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

1毫安，V

0 V

1毫安，V

-12 V

=30

V, V

0 V

= ±12

V, V

0 V

3 V，I

1毫安

3 V，I

2.0 A

2.0 A，V

4.0 V

漏源导通电阻

1.0 A，V

2.5 V

0.5 A ，V

1.8 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开关时间

(Note2)

民

0.4

3.8

典型值。

7.7

270

4.3

2.8

1.5

–0.85

最大

±1

1.0

138

–1.2

mΩ

单位

μA

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5 V

μs

OUT

10 V

4.7

D.U.≤ 1 ％

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

（二）V

2.5 V

10%

90%

（三）V

OUT

DS （ ON）

90%

10%

关闭

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

D =

对于1毫安

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要

电压比V低

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）

)

请务必在使用该设备时要考虑到这一点。

2009-05-15

SSM5H14F

肖特基二极管

电气特性

（大

25°C)

特征

符号

F (1)

正向电压

F (2)

F (3)

反向电流

总电容

测试条件

= 1毫安

= 10毫安

= 100毫安

= 40 V

= 0 V ， F = 1mHz的

民

―

典型值。

0.28

0.36

0.54

―

最大

―

0.60

μA

单位

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

该通道到环境热阻R

第（章-a）的

和漏极功耗P

根据董事会各不相同

材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取散热充分考虑

帐户。

2009-05-15

SSM5H14F

MOS FET

– V

10 V

4.0 V 2.5 V

常见的来源

VDS

3 V

– V

(A)

1.8 V

漏电流

(A)

漏电流

0.1

VGS = 1.5 V

常见的来源

25 °C

0.2

0.4

0.6

0.8

0.01

100 °C

25 °C

0.001

0.0001

1.0

2.0

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– V

200

=0.5A

常见的来源

150

25°C

200

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

150

100

100 °C

25 °C

100

1.8 V

2.5 V

VGS = 4.0

Ｖ

常见的来源

25°C

栅源电压

(V)

漏电流

(A)

DS （ ON）

- TA

300

1.0

- TA

常见的来源

(V)

常见的来源

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

250

VDS

1毫安

150

0.5 A / 1.8 V

1.0 A / 2.5 V

栅极阈值电压

200

0.5

100

2.0 A / VGS

4.0 V

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2009-05-15

SSM5H14F

MOS FET

(S)

常见的来源

| – I

VDS

3 V

25°C

常见的来源

VGS

0 V

– V

正向转移导纳

反向漏电流

(A)

0.1

TA = 100℃

0.3

0.01

25 °C

°C

0.1

0.01

0.1

0.001

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

漏电流

(A)

漏源电压

(V)

- V

1000

吨 - 我

1000

常见的来源

VDD

10 V

VGS

0至2.5 V

25 °C

4.7Ω

500

（PF ）

300

西塞

（纳秒）

花花公子

100

电容

100

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

科斯

CRSS

开关时间

吨

0.1

100

0.01

0.1

漏源电压

(V)

漏电流

(A)

动态输入特性

常见的来源

(V)

3 A

25°C

栅源电压

VDD=15V

VDD=24V

总栅极电荷

（ NC ）

2009-05-15